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2SJ545
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0892-0400
Rev.4.00
2006年6月5日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.11
典型值。
低驱动电流
4 V栅极驱动装置
高速开关
概要
瑞萨封装代码：
PRSS0003AE-A
（包名称：
TO-220C
FM ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1 2
3
S
Rev.4.00 2006年6月5日第1页7
2SJ545
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
AP注3
E
AR注3
PCH
注2
总胆固醇
TSTG
价值
–60
±20
–12
–48
–12
–12
12
25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.11
0.16
8
580
300
85
10
55
85
60
–1.2
60
最大
—
—
–10
±10
–2.0
0.15
0.23
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -6 A，V
GS
= –10 V
注4
I
D
= -6 A，V
GS
= –4 V
注4
I
D
= -6 A，V
DS
= –10 V
注4
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= –10 V
I
D
= –6 A
R
L
= 6
I
F
= -12 A，V
GS
= 0
I
F
= -12 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
Rev.4.00 2006年6月5日第2 7
2SJ545
主要特点
功率与温度降额
40
–100
–30
–10
DC
PW
1
最高安全工作区
10
s
10
0
s
P沟（W）的
30
I
D
(A)
=
m
散热通道
10
s
漏电流
20
–3
–1
–0.3
m
s(
1
10
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
n
TIO
ra
pe
O
sh
ot
)
c=
(T
)
°C
25
0
0
50
100
150
200
TA = 25°C
–0.1
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–10
–10 V
–5 V
–4 V
脉冲测试
–3.5 V
–10
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
–8
I
D
(A)
漏电流
–8
–6
–6
–3 V
漏电流
–4
–4
25°C
–25°C
–2
–2.5 V
V
GS
= –2 V
–2
TC = 75℃
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
–1.0
脉冲测试
–0.8
I
D
= –5 A
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
1
脉冲测试
0.5
V
GS
= –4 V
–0.6
0.2
0.1
0.05
–10 V
–0.4
–2 A
–0.2
–1 A
0.02
0.01
–0.1 –0.3
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
–1
–3
–10
–30
–100
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2006年6月5日第3页7
2SJ545
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.5
脉冲测试
0.4
–2 A
0.3
V
GS
= –4 V
I
D
= –5 A
–1 A
–5 A
–10 V
0
–40
0
40
–1 A, –2 A
20
10
5
TC = -25°C
2
1
0.5
75°C
25°C
0.2
0.1
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0.2
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
80
120
160
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
2000
体漏二极管的反向
恢复时间
500
反向恢复时间trr （ NS ）
脉冲测试
1000
电容C （PF ）
200
100
50
西塞
500
200
100
50
科斯
20 V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0
–10
CRSS
20
10
5
–0.1 –0.2
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–30
–40
–50
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
–20
–4
开关时间t（ NS ）
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
V
GS
(V)
0
0
1000
300
TD （关闭）
100
30
10
3
1
–0.1 –0.2
tf
tr
漏源极电压
–40
V
DS
–60
V
DD
= –50 V
–25 V
–10 V
I
D
= –12 A
0
8
16
V
GS
–8
栅极至源极电压
–12
TD （上）
–80
–16
–100
24
32
–20
40
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
–0.5
–1
–2
–5
–10
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2006年6月5日第4 7
2SJ545
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–10
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
20
I
AP
= –12 A
V
DD
= –25 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
反向漏电流I
DR
(A)
–8
–10 V
–6
–5 V
16
12
–4
V
GS
= 0, 5 V
8
–2
脉冲测试
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
4
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 5.0 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
1
h
p
ot
ULS
e
0.03
0.02
0.0
D=
PW
T
PW
T
1s
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
L I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D.U.T
VIN
–15 V
50
V
DD
0
Rev.4.00 2006年6月5日第5 7
2SJ545
硅P沟道MOS场效应晶体管
高速电源开关
ADE - 208-643A （ Z）
第2位。版
1998年6月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.11
典型值。
低驱动电流
4 V格特驱动装置
高速开关
概要
TO–220CFM
D
G
1 2
S
3
1.门
2.漏
3.源
2SJ545
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
–60
±20
–12
–48
–12
–12
12
25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
体漏二极管的反向漏电流I
DR
Avalenche电流
Avalenche能源
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.11
0.16
8
580
300
85
10
55
85
60
–1.2
60
最大
—
—
–10
±10
–2.0
0.15
0.23
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -12A ，V
GS
= 0
I
F
= -12A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 50A / μs的
测试条件
I
D
= -10mA ，V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16V,
V
DS
= 0
I
D
= -1mA ，V
DS
= –10V
I
D
= -6A ，V
GS
= –10V
I
D
= -6A ，V
GS
= –4V
Note4
Note4
Note4
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
零门voltege漏电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
D
= -6A ，V
DS
= –10V
V
DS
= –10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= -10V ，我
D
= –6A
R
L
= 6
体漏二极管的正向电压V
DF
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
t
rr
2
2SJ545
主要特点
功率与温度降额
40
P沟（W）的
I
D
(A)
–100
–50
最高安全工作区
10 s
10
PW
30
–20
–10
–5
–2
–1
–0.5
D
C
0
s
=
1
10
m
s
m
散热通道
漏电流
20
O
pe
s
ra
TIO
(1
n
sh
o
(T
t)
10
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
c=
25
℃
)
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
–0.2
-0.1 TA = 25℃
–0.1 –0.3
–1 –3
–10 –30 –100
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
–10
–10
(A)
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–10 V
–5 V
–4 V
–3.5 V
–8
脉冲测试
I
D
I
D
(A)
–8
–6
–3 V
–4
漏电流
–6
漏电流
–4
TC = 75℃
–2
–25 °C
0
–1
–2
–3
栅极至源极电压
–4
V
GS
(V)
–5
25 °C
–2
–2.5 V
V
GS
= –2 V
0
–2
–4
–6
漏源极电压
–10
V
DS
(V)
–8
3
2SJ545
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
0.5
0.2
0.1
V
GS
= –4 V
–10 V
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
–0.8
I
D
= –5 A
–0.6
–0.4
–2 A
–0.2
–1 A
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
–1.0
0.05
0.02
0.01
–0.1
–0.3
–1
–3
脉冲测试
–10
–30
–100
0
–4
–8
–12
栅极至源极电压
–16
–20
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.5
脉冲测试
0.4
正向转移导纳主场迎战
漏电流
20
10
TA = -25°C
5
25 °C
2
75 °C
1
0.5
0.1
–0.1 –0.2
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.5 –1
–2
–5
漏电流I
D
(A)
–10
0.3
V
GS
= –4 V
I
D
= –5 A –2 A
–1 A
–5 A
–1, –2 A
–10 V
0.2
0.1
0
–40
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
4
2SJ545
体漏二极管的反向
恢复时间
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
500
200
100
50
科斯
10
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
20
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
漏极至源极电压V
DS
(V)
CRSS
500
2000
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
100
50
20
5
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
–5 –10
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
电容C （PF ）
200
开关特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
0
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
I
D
= –10 A
0
1000
300
100
30
10
3
1
–0.1 –0.2
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 5微秒，占空比< 1 ％
吨D（关闭）
tf
tr
吨D（上）
漏源极电压
–40
V
DS
–60
V
DD
= –50 V
–25 V
–10 V
V
GS
–8
–12
–80
–100
0
–16
–20
40
32
8
16
24
栅极电荷Qg （ NC ）
栅极至源极电压
开关时间t（ NS ）
–20
–4
–0.5 –1 –2
–5
漏电流I
D
(A)
–10
5
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24AA08-/SM
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25AA040AT-E/OT
2-1440002-6
2SD1898T100R
2EZ62
2751200005
2-5329452-2
2SC3245
2SB1239
2795V
2SC4507
205-532-23-38
2650S28
2N697
25TTS16STRL
25AA1024
2SD1890
2N5785SMD
24470
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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