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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4507
描述
·带
TO- 220F封装
高
击穿电压
高
高速开关性能
应用
For
开关稳压器和通用
目的功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
500
400
7
5
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
T
C
=25℃
40
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC4507
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压Sustainig
I
C
= 100毫安;我
B
=0
400
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
=0
500
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
=0
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
0.8
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
1.2
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 450V ;我
E
=0
100
μA
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
固电
IN
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
ES
昂
CH
导½
半
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
ON
MIC
E
OR
DUT
25
65
20
100
μA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4507
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4507
描述
·带
TO- 220F封装
高
击穿电压
高
高速开关性能
应用
For
开关稳压器和通用
目的功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
7
5
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC4507
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压Sustainig
I
C
= 100毫安;我
B
=0
400
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
=0
500
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
=0
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
0.8
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
1.2
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 450V ;我
E
=0
100
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
100
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
25
65
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
20
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4507
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4507
描述
·带
TO- 220F封装
高
击穿电压
高
高速开关性能
应用
For
开关稳压器和通用
目的功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
7
5
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC4507
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压Sustainig
I
C
= 100毫安;我
B
=0
400
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
=0
500
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
=0
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
0.8
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
1.2
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 450V ;我
E
=0
100
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
100
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
25
65
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
20
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4507
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC4507
描述
·采用TO- 220F封装
·高击穿电压
·高速开关性能
应用
·对于开关稳压器和通用
目的功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
500
400
7
5
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SC4507
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压Sustainig
I
C
= 100毫安;我
B
=0
400
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
=0
500
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
=0
7
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
0.8
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
1.2
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 450V ;我
E
=0
100
A
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
100
A
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
25
65
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
20
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC4507
图2外形尺寸
3
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2-87579-1
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