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2SJ533
硅P沟道MOS场效应晶体管
高速电源开关
ADE - 208-649B （ Z）
3 。版
1998年6月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.028Ω （典型值） 。
低驱动电流。
4V栅极驱动装置。
高速开关。
概要
TO–220CFM
D
G
1 2
S
3
1.门
2.漏
3.源
2SJ533
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
–60
±20
–30
–120
–30
–30
77
35
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
体漏二极管的反向漏电流I
DR
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.028
0.038
25
2500
1300
300
25
150
350
220
–0.95
100
最大
—
—
–10
±10
–2.0
0.037
0.055
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -30A ，V
GS
= 0
I
F
= -30A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 50A / μs的
测试条件
I
D
= -10mA ，V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16V,
V
DS
= 0
I
D
= -1mA ，V
DS
= –10V
I
D
= -15A ，V
GS
= –10V
Note4
I
D
= -15A ，V
GS
= –4V
Note4
I
D
= -15A ，V
DS
= –10V
Note4
V
DS
= –10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= -10V ，我
D
= –15A
R
L
= 2
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
零门voltege漏电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
体漏二极管的正向电压V
DF
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
t
rr
2
2SJ533
主要特点
功率与温度降额
40
–1000
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
30
–100
PW
10
10
0
s
1
=
10
ms
m
s
散热通道
漏电流
s
20
–10
DC
Op
er
10
–1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TA = 25℃
at
离子
(1
sh
o
(T
t)
c=
25
°C
)
–0.1
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
–0.1
–1
–10
–100
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
–50
–8 V
–3.5 V
脉冲测试
–50
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
–5 V
–30
–4 V
V
GS
= –10 V
–20
I
D
(A)
漏电流
–40
–40
–30
漏电流
–3 V
–20
TC = 75℃
25 °C
-25 °C
0
–1
–2
–3
栅极至源极电压
–4
–5
V
GS
(V)
–10
–2.5 V
–2 V
–10
0
–2
–4
–6
漏源极电压
–10
V
DS
(V)
–8
3
2SJ533
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
–5
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
0.5
0.2
0.1
V
GS
= –4 V
–10 V
脉冲测试
–3
–10
–30
–100 –300
–1000
–4
–3
–2
I
D
= –50 A
–1
–20 A
–10 A
0
–4
–8
–12
栅极至源极电压
–16
–20
V
GS
(V)
0.05
0.02
0.01
–1
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.1
脉冲测试
0.08
I
D
= –50 A
V
GS
= –4 V
0.04
–10,–20A
–10 A
–50 A
–20 A
100
30
正向转移导纳主场迎战
漏电流
TC = -25°C
10
3
1
0.3
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–100
25 °C
0.06
75 °C
0.02
0
–40
V
GS
= –10 V
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
0.1
–0.1 –0.3 –1
–3
–10 –30
漏电流I
D
(A)
4
2SJ533
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
10000
3000
1000
科斯
300
100
30
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
漏极至源极电压V
DS
(V)
CRSS
西塞
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
200
100
50
20
10
0.1
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
100
30
3
1
0.3
反向漏电流I
DR
(A)
电容C （PF ）
500
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
–20
漏源极电压
I
D
= –30 A
–4
开关时间t（ NS ）
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
V
DS
V
GS
(V)
0
0
1000
500
200
100
50
吨D（上）
20
10
–0.1 –0.3
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 5微秒，占空比< 1 ％
=
–3
–1
–10 –30
漏电流I
D
(A)
–100
吨D（关闭）
tf
–40
V
GS
–60
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
–8
栅极至源极电压
tr
–12
–80
–16
–20
200
–100
0
160
40
80
120
栅极电荷Qg （ NC ）
5
2SJ533
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0883-0400
（上一个： ADE- 208-649B ）
Rev.4.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.028
典型值。
低驱动电流。
4 V栅极驱动装置。
高速开关。
概要
瑞萨封装代码：
PRSS0003AE-A
（包名称：
TO-220C
FM ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1 2
3
S
Rev.4.00 2005年9月7日第1页7
2SJ533
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
–60
±20
–30
–120
–30
–30
77
35
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
I
AP
注3
E
AR
PCH
总胆固醇
注2
注3
TSTG
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.028
0.038
25
2500
1300
300
25
150
350
220
–0.95
100
最大
—
—
–10
±10
–2.0
0.037
0.055
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
注4
I
D
= -15 A，V
GS
= –10 V
I
D
= -15 A，V
GS
= –4 V
注4
I
D
= -15 A，V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= –10 V
I
D
= –15 A
R
L
= 2
I
F
= -30 A，V
GS
= 0
I
F
= -30 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注4
Rev.4.00 2005年9月7日第2 7
2SJ533
主要特点
功率与温度降额
40
–1000
–300
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
10
s
10
0
1
= 1
ms
s
DC
0m
Op
s(
ERA
1s
TIO
ho
n(
t)
Tc
=2
操作
5°
C)
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
30
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
PW
散热通道
20
10
漏电流
0
50
100
150
200
0
TA = 25°C
–0.1
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–50
–10 V
–8 V
–5 V
–30
–4 V
–3 V
–20
–2.5 V
V
GS
= –2 V
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
脉冲测试
–3.5 V
–50
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
–40
I
D
(A)
漏电流
–40
–30
漏电流
–20
–10
–10
TC = 75℃
–1
–2
25°C
–25°C
–3
–4
–5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
–5
脉冲测试
–4
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
1
脉冲测试
0.5
0.2
0.1
0.05
V
GS
= –4 V
–3
–2
I
D
= –50 A
–1
–20 A
–10 A
0.02
0.01
–1
–10 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第3页7
2SJ533
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.10
脉冲测试
0.08
–10 A
–20 A
I
D
= –50 A
0.06
V
GS
= –4 V
–50 A
–10 A, –20 A
–10 V
100
30
TC = -25°C
10
25°C
3
75°C
1
0.3
0.1
–0.1
正向转移导纳主场迎战
漏电流
0.04
0.02
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
–40
0
40
80
120
160
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
脉冲测试
500
电容C （PF ）
3000
1000
300
100
30
10
西塞
科斯
200
100
50
CRSS
20
10
–0.1
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–10
–20
–30
–40
–50
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
开关特性
V
GS
(V)
0
1000
500
TD （关闭）
tf
0
–20
–4
漏源极电压
栅极至源极电压
开关时间t（ NS ）
–40
V
DS
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
–8
200
100
50
tr
–60
V
GS
–12
–80
I
D
= –30 A
0
40
80
120
160
–16
TD （上）
20 V = –10 V, V = –30 V
GS
DD
PW = 5
s,
税
≤
1 %
10
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–100
–20
200
–30
–100
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第4 7
2SJ533
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–50
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
100
I
AP
= –30 A
V
DD
= –25 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
反向漏电流I
DR
(A)
–40
–10 V
–5 V
–20
V
GS
= 0
80
–30
60
40
–10
脉冲测试
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
20
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 3.57 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
PW
T
0.03
0.02
LS ê
1
pu
0.0
t
ho
1s
100
0.01
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
L I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D.U.T
VIN
–15 V
50
V
DD
0
Rev.4.00 2005年9月7日第5 7
查看更多2SJ533PDF信息
推荐型号
2N2222AUS-1
2SD525Y
282837-8
2SC3970A
2222SQ-111JEB
28C64A-15
2SK1452
294SN-T1010Z
22-01-2105
2-87233-9
27HC64-55/L
200D437X0050A1
2SK2356-Z
22-15-2216
2SC4931B2
24IMS7-05-9
2016L200PR
2SD334
27HC641-70/L
2-1393092-7
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