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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第387页 > 2SC3970A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220Fa包
·高速开关
●高V
CBO
·安全运行的广域
应用
·对于高击穿voltate ，高速
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
2SC3970 2SC3970A
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
2SC3970
集电极 - 基极电压
2SC3970A
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25
集电极耗散功率
T
a
=25
结温
储存温度
2
150
-55~150
开基
集电极开路
发射极开路
900
500
8
1.5
3.0
0.5
25
W
V
V
A
A
A
条件
价值
800
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3970
2SC3970A
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 0.6A ;我
B
=0.17A
I
C
= 0.6A ;我
B
=0.17A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
2SC3970 2SC3970A
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
民
500
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
V
V
I
CBO
集热器
截止电流
0.1
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V;f=1MHz
15
8
20
0.1
mA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 0.6A ;我
B1
=0.17A
I
B2
=-0.34A;V
CC
=200V
1.0
3.0
0.3
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3970 2SC3970A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3970 2SC3970A
4
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220Fa包
高
高速开关
高
V
CBO
ùWide
安全工作区
应用
For
高击穿voltate ，高速
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
2SC3970 2SC3970A
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC3970
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC3970A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
℃
℃
开基
集电极开路
发射极开路
900
500
8
1.5
3.0
0.5
25
W
V
V
A
A
A
条件
价值
800
V
单位
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3970
I
CBO
集热器
截止电流
2SC3970A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 0.6A ;我
B
=0.17A
I
C
= 0.6A ;我
B
=0.17A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
2SC3970 2SC3970A
民
500
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
V
V
0.1
mA
0.1
15
8
20
mA
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V;f=1MHz
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 0.6A ;我
B1
=0.17A
I
B2
=-0.34A;V
CC
=200V
1.0
3.0
0.3
μs
μs
μs
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3970 2SC3970A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3970 2SC3970A
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220Fa包
高
高速开关
高
V
CBO
ùWide
安全工作区
应用
For
高击穿voltate ，高速
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
2SC3970 2SC3970A
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SC3970
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SC3970A
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
℃
℃
开基
集电极开路
发射极开路
900
500
8
1.5
3.0
0.5
25
W
V
V
A
A
A
条件
价值
800
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3970
I
CBO
集热器
截止电流
2SC3970A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 0.6A ;我
B
=0.17A
I
C
= 0.6A ;我
B
=0.17A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
2SC3970 2SC3970A
民
500
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
V
V
0.1
mA
0.1
15
8
20
mA
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V;f=1MHz
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 0.6A ;我
B1
=0.17A
I
B2
=-0.34A;V
CC
=200V
1.0
3.0
0.3
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3970 2SC3970A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3970 2SC3970A
4
功率晶体管
2SC3970 ， 2SC3970A
硅NPN三重扩散平面型
对于高击穿电压的高速开关
0.7±0.1
单位：mm
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
φ3.1±0.1
1.4±0.1
1.3±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
4.2±0.2
s
特点
q
q
q
q
q
高速开关
高集电极到基极电压V
CBO
安全运行的广域（ ASO ）
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25C)
评级
800
900
800
900
500
8
3.0
1.5
0.5
25
2
150
-55到+150
单位
V
16.7±0.3
14.0±0.5
参数
集电极
基极电压
集电极
2SC3970
2SC3970A
2SC3970
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
发射极电压2SC3970A
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
V
V
V
A
A
A
W
C
C
浸焊
s
绝对最大额定值
4.0
7.5±0.2
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220全包套餐（一）
P
C
T
j
T
英镑
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
2SC3970
2SC3970A
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 800V ，我
E
= 0
V
CB
= 900V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1A
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.6A
I
C
= 0.6A ，我
B
= 0.17A
I
C
= 0.6A ，我
B
= 0.17A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.1A ， F = 1MHz的
I
C
= 0.6A ，我
B1
= 0.17A ，我
B2
= – 0.34A,
V
CC
= 200V
20
1.0
3.0
0.3
500
15
8
1.0
1.5
V
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
100
100
100
单位
A
A
V
1
功率晶体管
P
C
- TA
40
1.2
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（3）同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
（ 4 ）不带散热片
(P
C
=2W)
T
C
=25C
1.0
I
B
=150mA
100mA
0.8
80mA
60mA
0.6
40mA
2SC3970 ， 2SC3970A
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/I
B
=5
30
10
3
1
25C
0.3
T
C
=100C
0.1
–25C
0.03
0.01
0.01 0.03
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极耗散功率P
C
(W)
30
(1)
20
集电极电流I
C
(A)
0.4
20mA
10mA
10
(2)
(3)
(4)
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0.1
0.3
1
3
10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
I
C
/I
B
=5
1000
V
CE
=5V
1000
C
ob
— V
CB
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
30
正向电流传输比H
FE
300
300
10
100
100
3
T
C
=–25C
1
100C
0.3
25C
30
25C
T
C
=100C
30
10
–25C
10
3
3
0.1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
1
0.01 0.03
1
0.1
0.3
1
3
10
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
f
T
— I
C
100
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
100
30
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 ％
I
C
/I
B
=3.5
(2I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=200V
T
C
=25C
t
on
安全操作区（ ASO ）
10
3
非重复脉冲
T
C
=25C
t=0.5ms
1
10ms
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
DC
1ms
过渡频率f
T
（兆赫）
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
30
10
3
t
英镑
1
0.3
10
3
1
t
f
0.1
0.03
0.3
0.1
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
集电极电流I
C
(A)
1
3
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
安全运行方面，反向偏压ASO
4.0
3.5
L
COIL
=180H
I
C
/I
B
=5
(I
B1
=–I
B2
)
T
C
<100C
2SC3970 ， 2SC3970A
反向偏压ASO测量电路
L的线圈
I
B1
V
in
T.U.T
I
C
集电极电流I
C
(A)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
–I
B2
V
CC
t
W
VCLAMP
集电极到发射极电压V
CE
(V)
R
日（T ）
— t
10000
注释：R
th
测量在Ta = 25℃，在自然对流。
(1) P
T
=10V
×
0.2A （ 2W ）和不带散热片
(2) P
T
=10V
×
1.0A （ 10W ）中，用一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
热阻R
th
（吨）（ C / W）
1000
100
(1)
10
(2)
1
0.1
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t （S ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220Fa包
高
高速开关
高
V
CBO
ùWide
安全工作区
应用
For
高击穿voltate ，高速
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
2SC3970 2SC3970A
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
2SC3970
集电极 - 基极电压
发射极开路
2SC3970A
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极开路
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
OR
CT
U
价值
800
900
500
8
1.5
3.0
0.5
25
单位
V
V
V
A
A
A
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
2
150
-55~150
W
T
j
T
英镑
结温
储存温度
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2SC3970
I
CBO
集热器
截止电流
2SC3970A
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
V
CB
= 900V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 0.6A ;我
B
=0.17A
I
C
= 0.6A ;我
B
=0.17A
V
CB
= 800V ;我
E
=0
2SC3970 2SC3970A
民
500
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
V
V
0.1
mA
0.1
15
8
mA
开关时间
t
on
t
s
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V;f=1MHz
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 0.6A ;我
B1
=0.17A
I
B2
=-0.34A;V
CC
=200V
OR
CT
U
20
1.0
3.0
0.3
兆赫
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3970 2SC3970A
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3970 2SC3970A
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
4
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型号
厂家
批号
数量
封装
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