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2SJ486
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0869-0300
（上一个： ADE- 208-512A ）
Rev.3.00
2005年9月7日
描述
低频功率开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.5
（典型值） 。 （在V
GS
= -4 V，I
D
= -100毫安）
2.5 V门极驱动装置。
小型封装（ MPAK ） 。
概要
瑞萨封装代码： PLSP0003ZB -A
（包名称： MPAK ）
D
3
1
2
G
1.源
2.门
3.排水
S
注：标记为“ ZU- ” 。
Rev.3.00 2005年9月7日第1页6
2SJ486
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1. PW
≤
100
s,
占空比
≤
10%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
PCH
注1
价值
–30
±10
–0.3
–0.6
150
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
mW
°C
°C
总胆固醇
TSTG
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意：
2.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
–30
±10
—
—
–0.5
—
—
0.4
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.5
0.7
0.65
45
76
5.4
120
340
850
550
最大
—
—
–1.0
±5.0
–1.5
0.65
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= –10
A,
V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±6.5
V, V
DS
= 0
I
D
= –10
A,
V
DS
= –5 V
I
D
= -100毫安，V
GS
= –4 V
注2
I
D
= -100毫安，V
GS
= –2.5 V
I
D
= -100毫安，V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= –4 V
I
D
= ± 150毫安
R
L
= 66.6
注2
注2
Rev.3.00 2005年9月7日第2 6
2SJ486
主要特点
功率与温度降额
P沟（ mW）的
200
–1
PW
最高安全工作区
1毫秒
I
D
(A)
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
D
s
米T）
10 o
= 1 SH
(
150
C
O
散热通道
pe
漏电流
ra
100
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TIO
n
50
–0.003
TA = 25°C
–0.001
–0.1 –0.3
–1
0
0
50
100
150
200
–3
–10
–30
–100
环境温度
的Ta （℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–1.0
–10 V
–5 V
–4 V
–2.5 V
–0.6
–2 V
–1.0
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
–0.8
I
D
(A)
漏电流
–0.8
–0.6
漏电流
–0.4
TA = 25°C
脉冲测试
V
GS
= –1.5 V
–0.4
TC = 75℃
–0.2
25°C
–25°C
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
–0.2
0
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
–0.5
TA = 25°C
脉冲测试
–0.4
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
10
TA = 25°C
5脉冲测试
–0.3
2
1
0.5
V
GS
= –2.5 V
–0.2
I
D
= –0.2 A
–0.1 A
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–4 V
–0.1
0.2
0.1
–0.01 –0.03 –0.1 –0.3
–1
–3
–10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.3.00 2005年9月7日第3页6
2SJ486
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
2.0
脉冲测试
1.4
I
D
= –0.1 A, –0.2 A
V
GS
= –2.5 V
0.8
–0.1 A, –0.2 A
–4 V
0
–40
0
40
80
120
160
5
V
DS
= –10 V
脉冲测试
2
1
0.5
75°C
TC = -25°C
25°C
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1.2
0.2
0.1
0.05
–0.01 –0.02
0.4
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
10000
3000
1000
300
100
30
10
–0.05
开关特性
开关时间t（ NS ）
300
电容C （PF ）
100
30
10
科斯
西塞
TD （关闭）
tf
tr
TD （上）
CRSS
3
1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–4
–8
–12
–16
–20
V
GS
= –4 V, V
DD
= –10 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
–0.1
–0.2
–0.5
–1
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–1.0
漏电流
I
D
(A)
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–0.8
–0.6
–
5 V
–0.4
V
GS
= 0, 5 V
–0.2
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
Rev.3.00 2005年9月7日第4 6
2SJ486
开关时间测试电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
90%
VIN
–10 V
50
V
DD
= –10 V
VOUT
TD （上）
10%
tr
TD （关闭）
10%
tf
90%
90%
VOUT
MONITOR
10%
波形
Rev.3.00 2005年9月7日第5 6
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