三洋半導½ニューズ
2SJ458
特長
高速ダイオド内蔵
单位
450
±30
2
8
60
150
55+150
V
V
A
A
W
℃
℃
ドレイン½ース耐圧
ゲート½ース耐圧
ドレイン电流( DC )
ドレイン電流(パルス)
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
号
PチャネルMOS½シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
暫定規格
絶対最大定格
绝对最大额定值/ TA = 25 ℃
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
(Tc=25℃)
总胆固醇
TSTG
電気的特性
电气特性/ TA = 25 ℃
ドレイン½ース降伏電圧
ドレイン½ースしゃ断電流
ゲート½ースもれ電流
カットオフ電圧
順伝達アドミタンス
½和抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ダイオード順電圧
ダイオード逆回復時間
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
yfs
RDS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
VSD
TRR
最小典型最大
450
ID = -10mA , VGS = 0
VDS = -360V , VGS = 0
VGS = ± 30V , VDS = 0
2.0
VDS = -10V ,ID = -1mA
0.6
VDS = -10V ,ID = -1A
ID=1A
, VGS = -10V
VDS = -20V , F = 1MHz的
VDS = -20V , F = 1MHz的
VDS = -20V , F = 1MHz的
下図指定測定回路において
〃
〃
〃
IS=2A
, VGS = 0
IS=2A
,的di / dt = 100A / μs的
1.0
±100
3.0
1.2
4.0
700
110
40
25
28
160
55
120
5.5
=单位
V
mA
nA
V
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
1.5
155
スイッチングタイム測定回路
VIN
VIN
PW=10uS
D.C≦1%
G
2SJ458
P.G
50Ω
S
D
VDD=200V
ID=1A
RL=200Ω
VOUT
外½図
SMP- FD(单位:mm)
4.5
10.2
1.3
0V
10V
8.8
1.2
0.8
2
1
3
3.0
2.7
0.4
2.55
2.55
1:Gate
2:Drain
3:Source
※これらの仕様は、改良などのため変更することがあります。
〒370-05 群馬県大泉町坂田一丁目1番1号
三洋電機株式会社 半導½事業本部
950328TM2fXHD
1.2