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新电元
达林顿晶体管
2SD2196
(TP15L20)
15A NPN
外形尺寸
案例： ITO -3P
单位：mm
评级
“绝对
最大额定值
项
储存温度
结温
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流DC
集电极电流峰值
基极电流DC
基极电流峰值
总晶体管耗散
介电强度
安装力矩
符号
TSTG
Tj
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
VDIS
器
条件
TC = 25 ？
终端的情况下交流
1
分钟
(Recommended torque : 0.5N½m）
评级
-55½+150
+150
200
200
7
15
22
1
2
65
2
0.8
评级
最大0.1
最大0.1
最多5
民
1,500
最大30000
最大
1.5
最大2.0
最大
1.92
TYP 20
MAX 2
最大
12
最多5
单位
℃
℃
V
V
V
A
A
A
A
W
kV
N½m
单位
mA
mA
ⅵELECTRICAL
特性（TC = 25 ??）
项
符号
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
首席执行官
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
热阻
跃迁频率
启动时间
贮存时间
下降时间
条件
V
CB
= 200V
V
CE
= 200V
V
EB
= 7V
V
CE
= 3V ，我
C
=
10A
IC =
10A
I
B
= 30毫安
结到外壳
V
CE
=
10V,
I
C
=
1.5A
I
C
=
10A
I
B1
= I
B2
= 30毫安
R
L
= 3Ω
V
BB2
= 4V
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
θJC
f
T
吨
ts
tf
V
V
℃/W
兆赫
μs
版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd
2SD2196
h
FE
- I
C
V
CE
= 3V
10000
50°C
100°C
TC = 150℃
直流电流增益
FE
1000
0°C
25°C
25°C
55°C
1
10
22
100
0.1
集电极电流I
C
[A]
2SD2196
饱和电压
3
5A
7.5A 10A
15A
22A
2.5
22A
10A
15A
2
3
I
C
= 0.5A 1.5A
2.5
2
7.5A
5A
1.5
I
C
= 0.5A
1.5A
1.5
集电极 - 发射极电压V
CE
[V]
0.5
0.5
TC = 25°C
1
10
100
0
1000 2000
0
0.1
基极电流I
B
[马]
基极 - 发射极电压V
BE
[V]
1
1
2SD2196
切换时间 - 我
C
10
t
s
开关时间t
SW
[s]
t
f
1
t
on
I
B1
= 0.333I
C
I
B2
= 0.333I
C
V
BB2
= 4V
V
CC
= 50V
TC = 25°C
0.1
0
5
10
15
20
集电极电流I
C
[A]
2SD2196
开关时间
10
t
s
开关时间t
SW
[s]
t
f
1
t
on
I
C
= 10A
I
B1
= 0.033A
I
B2
= 0.033A
V
BB2
= 4V
TC = 25°C
R
L
= 3
0.1
0
50
100
150
200
集电极电压V
CC
[V]
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2196
描述
·带
TO- 3PML包
高
直流电流增益
·达林顿
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
200
200
7
15
22
1
2
65
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个例
参数
热阻结案件
最大
1.92
单位
℃/W
1
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 50米A;我
B
=0
I
C
= 10 A ，我
B
=30mA
I
C
= 10 A ，我
B
=30mA
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
CE
= 200V ;我
B
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=10V
1500
民
200
2SD2196
典型值。
最大
单位
V
1.5
2.0
0.1
0.1
5
30000
20
V
V
mA
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=10A;R
L
=3Ω
I
B1
=I
B2
=30mA;V
BB2
=4V
2
12
5
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2196
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2196
描述
·采用TO- 3PML包
·高直流电流增益
·达林顿
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
200
200
7
15
22
1
2
65
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个例
参数
热阻结案件
最大
1.92
单位
/W
1
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 50米A;我
B
=0
I
C
= 10 A ，我
B
=30mA
I
C
= 10 A ，我
B
=30mA
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
CE
= 200V ;我
B
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=10V
1500
民
200
2SD2196
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
1.5
2.0
0.1
0.1
5
30000
20
V
V
mA
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=10A;R
L
=3C
I
B1
=I
B2
=30mA;V
BB2
=4V
2
12
5
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2196
图2外形尺寸
3
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推荐型号
2SC4315
24AA08HT-I/SN
24IYR1-12N
27C256I15N
22-28-3305
2695-06R
2SJ458
2SD476AK
24SM15S
22386061572
24AA01BT-E/SN
299-93-640-10-002000
26PCAFP2G
2SB1567
20020109-H221A01LF
2SK3455
2010.0013
2SB0940AQ
2N7002VAC-7
2SK1775-E
供货商
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    联系人：杨小姐
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    2SD2196
    -
    -
    -
    -
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联系人：销售部
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2SD2196
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2SD2196
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SD2196
SHI
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56000
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10000
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