添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第266页 > 2SJ319S
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
硅P沟道MOS场效应管
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器， DC-DC变换器
概要
DPAK-1
4
4
1
1
D
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2 3
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
–200
±20
–3
–12
–3
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
–200
±20
—
—
–2.0
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
1.7
1.7
330
130
25
10
30
40
30
–1.15
180
最大
—
—
±10
–100
–4.0
2.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -3 A ，V
GS
= 0
I
F
= -3 A ，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
I
D
= -2 A ，V
GS
= –10 V,
R
L
= 15
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –160 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -2 A ，V
GS
= –10 V*
1
I
D
= -2 A ，V
DS
= –10 V*
1
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
功率与温度降额
20
P沟（W）的
I
D
(A)
–50
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.05
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
–1
最高安全工作区
15
散热通道
10
5
1
10
0 s
0
s
PW
1
m
DC
=
s
10
O
pe
m
s
ra
(1
TIO
sh
n
(T
ot
操作
c
)
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
=
25
°C
)
漏电流
TA = 25℃
–3
–10
–30
–100 –300 –500
外壳温度
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–5
–10 V
I
D
(A)
-4脉冲测试
–8 V
–6 V
(A)
–4
–5
典型的传输特性
25 °C
TC = -25°C
–3
I
D
75 °C
–3
漏电流
–5 V
–2
–4 V
V
GS
= –3.5 V
0
–4
–8
–12
漏源极电压
–16
–20
V
DS
(V)
漏电流
–2
–1
–1
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–2
–4
–6
栅极至源极电压
–8
–10
V
GS
(V)
0
3
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
–20
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
10
5
V
GS
= –10 V
脉冲测试
–16
2
1
0.5
0.2
0.1
–0.2
–12
I
D
= –5 A
–8
–2 A
–1 A
0
–4
–8
12
栅极至源极电压
–16
–20
V
GS
(V)
–4
–0.5
–1
–2
–5
漏电流I
D
(A)
–10
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
5
正向转移导纳主场迎战
漏电流
3
2
TC = -25°C
1
25 °C
75 °C
4
–2 A
I
D
= –5 A
–1 A
3
0.5
2
1
0
–40
V
GS
= –10 V
脉冲测试
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
0.2
0.1
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.5
–1
–2
–5
–10
–0.05 –0.1 –0.2
漏电流I
D
(A)
4
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
体漏二极管的反向
恢复时间
500
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
典型的电容比。
漏源极电压
1000
500
200
100
50
西塞
200
100
50
20
10
5
–0.5
–1
–2
–5
科斯
20
10
5
–0.05 –0.1 –0.2
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
CRSS
的di / dt = 50A / μs的，V
GS
= 0
值班< 1 ％ ， TA = 25℃
0
–10
–20
–30
-40
–50
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
0
0
开关特性
500
200
100
50
20
10
5
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5 –10
–100
–4
漏源极电压
–200
V
DD
= –150 V
–100 V
–50 V
–8
栅极至源极电压
V
DS
开关时间t（ NS ）
V
DD
= –50 V
–100 V
–150 V
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
值班< 1 ％ ， PW = 2微秒
吨D（关闭）
tf
tr
吨D（上）
–300
–12
–400
–500
V
GS
–16
–20
0
4
8
12
16
栅极电荷Qg （ NC ）
20
漏电流
I
D
(A)
5
SMD型
硅P沟道MOSFET
2SJ319S
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
IC
MOSFET
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
=2.3
(V
GS
=-10V,I
D
=-2A)
+0.2
9.70
-0.2
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
高速开关
1门
2漏
3源
2.3
+0.15
4.60
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲） *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10
S;
1%.
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-200
20
-3
-12
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
符号
V
DSS
V
GSS
I
DSS
I
GSS
Testconditons
I
D
=-10mA,V
GS
=0
I
G
=
100
A，V
DS
=0
民
-200
20
-100
10
-2.0
1.0
1.7
1.7
330
V
DS
=-10V,V
GS
=0,f=1MHZ
130
25
10
V
GS （ ON）
=-10V,I
D
= - 2A
L
=15
30
40
30
I
F
=-3A,V
GS
=0
I
F
=-3A,V
GS
=0,d
if
/d
t
=50A/
s
-1.15
180
2.3
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
-4.0
典型值
最大
单位
V
V
A
A
V
S
V
DS
=-160V,V
GS
=0
V
GS
=
16V,V
DS
=0
V
GS （ OFF ）
V
DS
=-10V,I
D
=-1mA
Y
fs
V
DS
=-10V,I
D
=-2A
R
DS （ ON）
V
GS
=-10V,I
D
=-2A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
3
.8
0
www.kexin.com.cn
1
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0858-0200
（上一个： ADE- 208-1192 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器， DC-DC变换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -A
（包名称： DPAK （ L） - （ 1 ） ）
4
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
D
4
1
2
G
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
2
3
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
–200
±20
–3
–12
–3
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
PCH
总胆固醇
注2
TSTG
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意：
3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–200
±20
—
—
–2.0
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
1.7
1.7
330
130
25
10
30
40
30
–1.15
180
最大
—
—
±10
–100
–4.0
2.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –160 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -2 A ，V
GS
= –10 V
注3
I
D
= -2 A ，V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= –2 A
V
GS
= –10 V
R
L
= 15
I
F
= -3 A ，V
GS
= 0
I
F
= -3 A ，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注3
Rev.2.00 2005年9月7日第2 7
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
主要特点
功率与温度降额
20
最高安全工作区
–50
–30
P沟（W）的
I
D
(A)
15
–10
10
–3
10
散热通道
0
s
漏电流
10
–1
–0.3
–0.1
05
m
s
10
Op
m
s(
er
ATI
1s
on
ho
(T
t)
操作
c=
这个区域是
25
°C
限于由R
DS （ ON）
)
TA = 25°C
DC
=
–3
–10
–30
–100 –300 –500
PW
1
s
0
0
50
100
150
200
–0.05
–1
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–5
–10 V
脉冲测试
–5
–8 V
–6 V
典型的传输特性
TC = -25°C
I
D
(A)
–4
I
D
(A)
–4
25°C
75°C
–3
漏电流
漏电流
–5 V
–3
–2
–4 V
V
GS
= –3.5 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
–2
–1
–1
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
–16
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
–20
10
5
V
GS
= –10 V
脉冲测试
–12
I
D
= –5 A
–8
–2 A
–1 A
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
2
1
0.5
–4
0.2
0.1
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页7
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
5
3
2
TC = -25°C
4
–2 A
3
I
D
= –5 A
1
25°C
75°C
0.5
2
–1 A
1
0.2
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0.1
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1
–2
–5
–10
V
GS
= –10 V
脉冲测试
0
40
80
120
160
0
–40
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
500
西塞
体漏二极管的反向
恢复时间
500
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
200
100
50
200
100
50
20
10 V = 0
GS
F = 1 MHz的
5
0
–10
CRSS
科斯
20
10
的di / dt = 50A /
s,
V
GS
= 0
税
≤
1 ％ ， TA = 25℃
–0.5
–1
–2
–5
5
–0.05 –0.1 –0.2
–20
–30
–40
–50
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
–100
V
DS
开关时间t（ NS ）
V
DD
= –50 V
–100 V
–150 V
V
GS
(V)
0
0
500
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 2
s,
税
≤
1 %
200
100
50
TD （关闭）
tf
20
10
5
–0.05 –0.1 –0.2
tr
–4
漏源极电压
–200
–300
V
GS
–400
V
DD
= –150 V
–100 V
–50 V
–8
–12
栅极至源极电压
–16
TD （上）
–500
0
4
8
12
16
–20
20
–0.5 –1
–2
–5
–10
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 7
2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–5
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–4
–3
–2
–
10 V
–1
V
GS
= 0, 5 V
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 6.25 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
p
ot
ULS
e
D=
PW
T
0.03
0.0
1
PW
T
1s
h
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
10%
波形
90%
90%
90%
VIN
–10 V
50
V
DD
= –30 V
VOUT
TD （上）
10%
tr
TD （关闭）
10%
tf
Rev.2.00 2005年9月7日第5 7
查看更多2SJ319SPDF信息
推荐型号
270T824A103A1A1
2450BP07A0100E
224MPR400K
236-404
24C08B-E/P
2N7002P
24C01C-ST
2-1445094-7
2N5461G
2SC1756D
2SC3158
2SC5118
27000700
290-02A-2800
2SD2143TL
23602.5
206-1212LPSN
26PCJSG5G
254970
24LCS61_04
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SJ319S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SJ319S
HITACHI/日立
2443+
23000
TO-251
一级代理专营，原装现货，价格优势
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SJ319S
HITACHI
21+
15360
TO-251
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SJ319S
HITACHI
21+
15360
TO-251
全新原装正品/质量有保证
德国显周集团有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SJ319S
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9035
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
德国显周集团有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SJ319S
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8369
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SJ319S
瑞萨Renesa
2024
89832
DPAK(S)
原装现货上海库存！专营进口元件
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2433532182 复制

电话：0755-23607529/23603360/83258002
联系人：江先生
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
2SJ319S
T
2015+
1000
TO-
香港原装现货 3-5天
查询更多2SJ319S供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！