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2N5460, 2N5461, 2N5462
JFET放大器
P沟道 - 耗尽
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅 - 源电压
正向栅电流
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温范围
存储通道温度范围
符号
V
DG
V
GSR
I
G( F)
P
D
T
J
T
英镑
价值
40
40
10
350
2.8
-65到+135
-65到+150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
http://onsemi.com
2漏
3
1来源
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
12
3
TO92
CASE 29
风格7
标记图
2N
546x
AYWWG
G
2N546x =器件代码
X = 0,1,或2个
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年3月 - 修订版5
出版订单号:
2N5460/D
2N5460, 2N5461, 2N5462
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
栅 - 源击穿电压
(I
G
= 10
MADC ,
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
= 20伏,V
DS
= 0)
(V
GS
= 30伏直流电,V
DS
= 0)
(V
GS
= 20伏,V
DS
= 0, T
A
= 100°C)
(V
GS
= 30伏直流电,V
DS
= 0, T
A
= 100°C)
栅 - 源截止电压
(V
DS
= 15 VDC ,我
D
= 1.0
MADC )
栅 - 源电压
(V
DS
= 15 VDC ,我
D
= 0.1 MADC )
(V
DS
= 15 VDC ,我
D
= 0.2 MADC )
(V
DS
= 15 VDC ,我
D
= 0.4 MADC )
基本特征
零-Gate - 电压漏电流
(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= 0中,f = 1.0 kHz)的
小信号特性
正向转移导纳
(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= 0中,f = 1.0 kHz)的
输出导纳(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= 0中,f = 1.0 kHz)的
输入电容(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
反向传输电容(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
功能特点
相当于短路输入噪声电压
(V
DS
= 15 VDC ,V
GS
= 0中,f = 100Hz时, BW = 1.0赫兹)
e
n
60
115
nV
Hz
2N5460
2N5461
2N5462
y
fs
1000
1500
2000
5.0
1.0
4000
5000
6000
75
7.0
2.0
毫姆欧
2N5460
2N5461
2N5462
I
DSS
1.0
2.0
4.0
5.0
9.0
16
MADC
V
( BR ) GSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
I
GSS
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460, 2N5461, 2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
2N5460
2N5461
2N5462
V
GS ( OFF )
0.75
1.0
1.8
0.5
0.8
1.5
5.0
1.0
6.0
7.5
9.0
4.0
4.5
6.0
NADC
MADC
VDC
40
VDC
符号
典型值
最大
单位
V
GS
VDC
y
os
C
国际空间站
C
RSS
毫姆欧
pF
pF
订购信息
设备
2N5460
2N5460G
2N5461
2N5461G
2N5461RLRA
2N5461RLRAG
2N5462
2N5462G
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
1000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
1000单位/箱
航运
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
2N5460, 2N5461, 2N5462
漏极电流与GATE
源极电压
4.0
3.5
I D ,漏电流(毫安)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
1.2 1.4
1.6
V
GS
,栅源电压(伏)
1.8
2.0
T
A
= 55°C
25°C
125°C
YFS正向转移导纳(
m
姆欧)
V
DS
= 15 V
4000
3000
2000
正向转移导纳
与漏极电流
1000
700
500
300
200
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
I
D
,漏极电流(毫安)
V
DS
= 15 V
F = 1.0千赫
2.0
3.0
4.0
图1. V
GS ( OFF )
= 2.0 V
YFS正向转移导纳(
m
姆欧)
图4. V
GS ( OFF )
= 2.0 V
10
9.0
I D ,漏电流(毫安)
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
,栅源电压(伏)
3.5
4.0
T
A
= 55°C
25°C
125°C
V
DS
= 15 V
10000
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
I
D
,漏极电流(毫安)
5.0
V
DS
= 15 V
F = 1.0千赫
7.0
图2. V
GS ( OFF )
= 4.0 V
YFS正向转移导纳(
m
姆欧)
图5. V
GS ( OFF )
= 4.0 V
16
14
I D ,漏电流(毫安)
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
1.0
T
A
= 55°C
25°C
125°C
V
DS
= 15 V
10000
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
I
D
,漏极电流(毫安)
V
DS
= 15 V
F = 1.0千赫
5.0
7.0
10
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
GS
,栅源电压(伏)
7.0
8.0
图3. V
GS ( OFF )
= 5.0 V
图6. V
GS ( OFF )
= 5.0 V
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3
2N5460, 2N5461, 2N5462
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
I
D
,漏极电流(毫安)
5.0
10
6.0毫安
10毫安
I
DSS
= 3.0毫安
10
V
DS
= 15 V
F = 1.0千赫
C,电容(pF )
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
C
OSS
C
RSS
10
20
30
V
DS
,漏源极电压(伏)
40
C
国际空间站
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0
OSS ,输出电阻(千欧)
图7.输出电阻
与漏极电流
图8.电容与
漏源电压
10
9.0
NF ,噪声系数(dB )
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
1.0
10
100
1000
R
S
,源电阻(千欧)
10,000
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0
F = 100赫兹
图9.噪声系数与
源电阻
v
i
C
RSS
C
国际空间站
r
OSS
C
OSS
| y
fs
| v
i
常见的来源
当频率y参数
30 MHz以下
y
is
= JW
国际空间站
y
os
= JW
OSP
* + 1/r
OSS
y
fs
= y
fs
|
y
rs
= -jw
RSS
*C
OSP
是C
OSS
在用C的串联组合并联
国际空间站
和C
RSS
.
注意:
1.图形数据被提交DC条件。表格式的
数据给出了脉冲条件(脉冲宽度= 630毫秒,
占空比= 10 %) 。
图10.等效低频电路
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4
2N5460, 2N5461, 2N5462
包装尺寸
TO92
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格7 :
PIN 1.源
2.漏
3.门
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
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480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
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2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
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5
2N5460/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N5461G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
2N5461G
onsemi
24+
10000
TO-92(TO-226)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2N5461G
onsemi
24+
25265
TO-92(TO-226)
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱咸华
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2N5461G
ON
25+23+
25500
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
2N5461G
ON
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4166
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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联系人:张
地址:福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
2N5461G
ON
2020+
8700
原厂封装
全新原装正品,可售样,可开13%增值税
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2N5461G
ONSemiconductor
21+
15000
TO-92-8
全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2N5461G
ON/安森美
20+
26500
TO-92
全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘先生
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9650
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电话:0755-83039139
联系人:邓小姐
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8877
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