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2SJ280

L

， 2SJ280

S

硅P沟道MOS场效应晶体管

应用

LDPAK

高速电源开关

4

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

4 V栅极驱动器可以驱动

5 V电源

适用于开关稳压器，直流 - 直流

变流器

雪崩额定值

1

2, 4

2

3

2

3

1

1.门

2.漏

3.源

4.漏

3

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

I

DR

I

AP

***

E

AR

***

PCH **

总胆固醇

TSTG

评级

–60

±20

–30

–120

–30

77

75

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

°C

———————————————————————————————————————————

*

PW

≤

10微秒，占空比

≤

1 %

**

在Tc值= 25°C

***

在总胆固醇值= 25 ° C， RG

≥

50

2SJ280 L， 2SJ280 S

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

民

–60

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

= ±200 μA ，V

DS

= 0

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0

V

DS

= –50 V, V

GS

= 0

I

D

= -1毫安， VDS = -10 V

———————————————————————————————————————————

±20

—

V

———————————————————————————————————————————

—

–1.0

—

0.033

±10

–250

–2.25

0.043

A

V

———————————————————————————————————————————

I

D

= –15 A

V

GS

= –10 V *

I

D

= –15 A

V

GS

= –4 V *

I

D

= –15 A

V

DS

= –10 V *

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= –15 A

V

GS

= –10 V

R

L

= 2

————————————————————————

—

0.045

0.06

———————————————————————————————————————————

正向转移导纳

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

17

25

—

S

———————————————————————————————————————————

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

*脉冲测试

—

3300

1500

480

30

170

500

390

–1.5

—

pF

ns

V

I

F

= -30 A，V

GS

= 0

IF = -30 A，V

GS

= 0,

DIF / DT = 50 A / μs的

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

—

200

—

ns

———————————————————————————————————————————

2SJ280 L， 2SJ280 S

功率与温度降额

75

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

最高安全工作区

–500

–300

10

s

–100

–30

–10

–3

D

a

S(

r

on

ea

)

0

10

50

O

是PE

LIM RA

ITE化

d。在

经t

他

s

1

DC

m

s

10

m

s

n

PW

ATIO

r

pe

O

=

c

(T

25

0

50

100

150

壳温度（ ° C）

TA = 25°C

–1

–0.5

–0.1 –0.3

–1

–3 –10 –30 –100

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

–50

–40

漏电流I

D

(A)

–30

–20

–10

V

GS

= –2 V

0

–2

–4

–6

–8

–10

漏极至源极电压V

DS

(V)

0

–10 V

–6 V

–4 V

–3.5 V

–50

–40

D

(A)

典型的传输特性

TC = 25°C

–25°C

75°C

=

)

°C

25

–3 V

漏电流I

脉冲测试

–30 V = –10 V

GS

–20

–10

–2.5 V

–1

–2

–3

–4

–5

栅极至源极电压V

GS

(V)

2SJ280 L， 2SJ280 S

漏极 - 源极饱和电压

与栅源电压

–2.0

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

–1.6

–1.2

–0.8

–0.4

脉冲测试

关于国家静态漏源

电阻R

DS （ ON）

(

)

0.5

0.2

0.1

关于国家静态漏源

电阻与漏极电流

I

D

= –30 A

–20 A

–10 A

0.05

0.02

0.01

V

GS

= –4 V

–10 V

0

–2

–4

–6

–8

–10

栅极至源极电压V

GS

(V)

0.005

–2

–5 –10 –20

–50 –100 –200

漏电流I

D

(A)

关于国家静态漏源

电阻与温度

0.1

关于国家静态漏源

电阻R

DS （ ON）

(

)

0.08

0.06

0.04

0.02

0

–40

–10 V

I

D

= –30 A

–10 A, –20 A

脉冲测试

I

D

= –30 A

V

GS

= –4 V

–10 A, –20 A

正向转移导纳

与漏电流

100

正向转移导纳

|y

fs

| (s)

50

20

10

5

2

–2

–5 –10 –20

漏电流I

D

(A)

–50

脉冲测试

V

DS

= –10 V

TC = 25°C

–25°C

75°C

0

40

80

120

160

案例温度T

C

(°C)

1

–0.5 –1

2SJ280 L， 2SJ280 S

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间吨RR （ NS ）

200

C（ pF）的

100

50

20

10

5

–1

的di / dt = 50A /

S，V

GS

= 0

TA = 25°C

10000

典型电容

与漏源电压

西塞

1000

科斯

CRSS

100

V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

电容

–2

–5 –10 –20

–50 –100

反向漏电流I

DR

(A)

10

0

–10

–20

–30

漏源极电压

–40

–50

V

DS

(V)

动态输入特性

0

漏极至源极电压V

DS

(V)

–20

–40

–60

–80

栅极至源极电压V

GS

(V)

V

DD

= –10 V

–25 V

–50 V

V

DS

V

DD

= –10 V

–25 V

–50 V

开关特性

0

–4

–8

–12

1000

t

d

（关闭）

开关时间t（ NS ）

500

200

100

50

20

10

–0.5 –1

t

f

t

r

I

D

= –30 A

V

GS

–16

–20

200

t

d

（上）

V

GS

= –10 V, V

DD

=

–30 V

:

＆ LT ;

1%

PW = 2

S，值班

=

–100

0

40

80

120

160

栅极电荷Qg （ NC ）

–2

–5 –10 –20

漏电流I

D

(A)

–50