【小信号晶体管TO- 92案例（续）TO-92型号描述LEAD VCBO VCEOCODE(V)(V)】,IC型号2N5823,2N5823 PDF资料,2N5823经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 92案例（续）

TO-92

型号

描述

LEAD VCBO VCEO

CODE

(V)

* VCES

CBE

EBC

欧洲央行

EBC

民

35

50

70

120

160

60

45

30

25

40

250

300

350

250

300

350

80

70

40

60

80

60

80

25

40

50

40

30

民

25

40

60

100

140

60

45

30

25

40

250

300

350

250

300

350

60

35

40

60

40

60

25

30

20

30

VEBO ICBO @ VCB

（ nA的）

(V)

* ICES

(V)

* ICEV

最大

5.0

8.0

5.0

12

6.0

5.0

10

5.0

25

5.0

6.0

最大

100

50

2.0

100

50

100

10

100

25

100

120

60

45

30

25

30

150

200

250

150

200

250

60

25

10

60

80

60

80

18

25

20

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

民

150

100

150

100

80

170

600

1,200

100

20,000

14,000

45

40

20

45

40

20

1,000

4,000

10,000

100

40

150

90

55

180

60

100

30

100

45

最大

500

200

300

200

500

700

1,400

2,000

500

200,000

140,000

220

200

100

220

200

100

--

300

400

--

300

500

800

540

300

600

400

660

@ VCE

(V)

@ IC

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

(V)

（MA ）

TO-92-18R

fT

NF

花花公子

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

最大最小

15

135

15

4.0

13

7.0

6.0

--

10

40

--

10

--

12

4.0

--

135

120

135

120

100

150

200*

150

130

40

--

105

--

75

--

100

--

MAX MAX

--

3.0

--

10

--

5.0

--

5.0

--

400

--

2N5812

2N5813

2N5816

2N5817

2N5818

2N5819

2N5822

2N5823

2N5830

2N5831

2N5961

2N5962

2N5963

2N6076

2N6426

2N6427

2N6515

2N6516

2N6517

2N6518

2N6519

2N6520

BCX38A

BCX38B

BCX38C

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN高压

NPN低噪声

PNP低噪声

NPN达林顿

NPN高压

PNP高压

NPN达林顿

2.0

5.0

10

5.0

10

5.0

1.0

0.15

2.0

4.5

5.0

2.0

5.0

2.0

10

500

50

500

10

12

2,000

2.0

50

0.10

1.0

0.75

0.25

0.20

0.25

1.50

1.0

1.25

0.50

0.15

0.50

--

0.30

0.25

0.60

1.0

500

50

10

500

50

800

500

12

2,000

--

50

100

10

GES6014

NPN幅度/ SWITCH

MPS404A

PNP CHOPPER

MPS650

MPS651

MPS750

MPS751

NPN HIGH CURRENT

PNP HIGH CURRENT

MPS3392

NPN幅度/ SWITCH

MPS3395

NPN幅度/ SWITCH

MPS3396

NPN幅度/ SWITCH

MPS3397

NPN幅度/ SWITCH

MPS3398

NPN幅度/ SWITCH

MPS3415

NPN低噪声

MPS3702

PNP幅度/ SWITCH

MPS3704

NPN幅度/ SWITCH

MPS3706

NPN幅度/ SWITCH

MPS3707

NPN低噪声

MPS3708

NPN低噪声

74

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

TO- 92-18R

2N5820 2N5822 NPN

2N5821 2N5823 PNP

补充

硅晶体管

中央

TM

半导体公司

描述：

中央SEMICONDUCTOR 2N5820系列

类型环氧树脂成型硅互补

由制造小信号晶体管

外延平面工艺设计的一般

目的放大器应用中高

集电极电流额定值是必需的。

标识代码：全型号

TO- 92-18R案例

最大额定值：

（ TA = 25° C除非另有说明）

符号

集电极 - 基极电压

VCBO

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

功耗

功率耗散（ TC = 25°C ）

工作和存储

结温

热阻

VCES

VCEO

VEBO

IC

ICM

PD

TJ ， TSTG

Θ

JA

Θ

JC

70

60

5.0

750

1.0

625

1.5

-65到+150

200

83.3

单位

V

mA

A

mW

W

°C

° C / W

电气特性：

（ TA = 25° C除非另有说明）

2N5820

2N5821

符号

ICBO

IEBO

BVces

BVCEO

BVEBO

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

测试条件

VCB=25V

VCB = 25V ， TA = 100℃

VEB=5.0V

IC=10A

IC=10mA

IE=10A

IC = 500毫安， IB = 50毫安

VCE = 2.0V ， IC = 500毫安

VCE = 2.0V ， IC = 2.0毫安

VCE = 2.0V ， IC = 500毫安

70

60

5.0

0.75

1.2

0.60

60

20

1.1

120

0.60

100

25

民

最大

100

15

10

70

60

5.0

0.75

1.2

1.1

250

2N5822

2N5823

民

最大

100

15

10

单位

nA

A

V

R1 （ 2005年21月）

中央

TM

半导体公司

2N5820 2N5822 NPN

2N5821 2N5823 PNP

补充

硅晶体管

电气特性：

（续）

2N5820

2N5821

符号

fT

COB

兴业银行

测试条件

VCE = 2.0V ， IC = 50mA时F = 20MHz的

VCB = 10V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的

VEB = 0.5V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的

民

100

最大

15

55

2N5822

2N5823

民

120

最大

15

55

单位

兆赫

pF

TO- 92-18R案例 - 机械外形

尺寸

英寸

MILLIMETERS

最大

民

最大

符号最小值

A（ DIA ） 0.175 0.205 4.45

5.21

B

0.170 0.210 4.32

5.33

C

0.500

-

12.70

-

D

0.016 0.022 0.41

0.56

E

0.100

2.54

F

0.050

1.27

G

0.125 0.165 3.18

4.19

H

0.080 0.105 2.03

2.67

J（下DIA ）

0.100

2.54

K

0.015

0.38

TO- 92-18R （ REV ： R1 ）

前导码：

1 ）收集

2 ）基

3 ）辐射源

标识代码：

全部型号

R1 （ 2005年21月）