【2SJ246L， 2SJ246S硅P沟道MOS场效应管应用DPAK–1高速电源开关44特点12312】,IC型号2SJ246,2SJ246 PDF资料,2SJ246经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SJ246

L

， 2SJ246

S

硅P沟道MOS场效应管

应用

DPAK–1

高速电源开关

4

特点

12

3

12

3

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

4V栅极驱动器可以驱动

5V电源。

适用于开关稳压器，直流 - 直流

变流器

2, 4

1

3

1.门

2.漏

3.源

4.漏

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

I

DR

PCH **

总胆固醇

TSTG

评级

–30

±20

–7

–28

–7

20

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

*

PW

≤

10微秒，占空比

≤

1 %

**

在Tc值= 25°C

2SJ246 L， 2SJ246 S

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

民

–30

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

= -100 μA ，V

DS

= 0

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0

V

DS

= –25 V, V

GS

= 0

V

DS

= -10 V ， ID = -1毫安

———————————————————————————————————————————

±20

—

V

———————————————————————————————————————————

—

–1.0

—

0.12

±10

–100

–2.5

0.17

A

V

———————————————————————————————————————————

I

D

= –4 A

V

GS

= –10 V

I

D

= –4 A

V

GS

= –4 V

V

DS

= –10 V

I

D

= –4 A

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= –10 V

I

D

= –4 V

R

L

= 7.5

————————————————————————

—

0.21

0.31

———————————————————————————————————————————

正向转移导纳

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

3.0

5.0

—

S

———————————————————————————————————————————

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

—

660

465

180

10

55

135

–1.2

—

pF

ns

V

I

F

= -7 A ，V

GS

= 0

IF = -7 A ，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 50 A / μs的

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

—

90

—

s

———————————————————————————————————————————

2SJ246 L， 2SJ246 S

功率与温度降额

40

P沟（W）的

–50

–30

I

D

(A)

–10

最高安全工作区

10s

100s

PW

1

30

=

m

DC

10

s

功耗

漏电流

20

–3

–1

–0.3

Op

m

er

s(

1

at

离子

sh

ot

(T

)

c=

10

在这一领域是

限于由R

DS （ ON）

25

°C

)

0

50

100

外壳温度

150

TC （ ℃）

200

–0.1

–0.3

–1

–3

–10

–30 –50

漏极至源极电压V

DS

(V)

TA = 25°C

典型的输出特性

–10

–5 V

–6 V

–10V

–10

–4 V

(A)

脉冲测试

–3.5 V

–8

典型的传输特性

TC = -25°C

25°C

75°C

(A)

–8

脉冲测试

–6

V

DS

= –10 V

I

D

–6

漏电流

–4

–3 V

–2

V

GS

= –2.5 V

0

–2

–4

–6

漏源极电压

–8

V

DS

(V)

–10

漏电流

I

D

–4

–2

0

–1

–2

–3

栅极至源极电压

–4

V

GS

(V)

–5

2SJ246 L， 2SJ246 S

静态漏极至源极通态电阻

R

DS

（上）（

)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

–2.0

脉冲测试

–1.6

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

5

脉冲测试

2

1

–1.2

I

D

= –5 A

–1 A

0.5

V

GS

= –4 V

–10 V

–0.8

0.2

0.1

–0.4

–2 A

0

–2

–4

–6

–8

–10

栅极至源极电压V

GS

(V)

0.05

–0.1

–1

漏电流

–10

I

D

(A)

–100

静态漏极至源极通态电阻

R

DS

（上）（

)

静态漏源导通状态

电阻与温度

0.5

脉冲测试

0.4

I

D

= –5 A

–2 A

0.3

V

GS

= –4 V

0.2

–10 V

0.1

0

–40

–1 A, –2 A

–5 A

–1 A

10

正向转移导纳

|y

fs

| (S)

正向转移导纳主场迎战

漏电流

PUSLE测试

V

DS

= –10 V

5

–25°C

2

TC = 25°C

75°C

1

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

0.5

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5

漏电流I

D

(A)

–10

2SJ246 L， 2SJ246 S

体漏二极管反向

恢复时间

200

吨RR （ NS ）

10000

5000

（PF ）

100

典型的电容与漏极至

源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

反向恢复时间

2000

50

电容

C

1000

西塞

500

科斯

200

100

0

CRSS

–10

–20

–30

漏源极电压

–40

–50

V

DS

(V)

20

的di / dt = 50A / μs的，TA = 25℃

V

GS

= 0 ，脉冲测试

10

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10

反向漏电流I

DR

(A)

动态输入特性

V

DS

(V)

V

DD

= –10 V

–25 V

–20

V

DS

–40

V

DD

= –25 V

–10 V

–4

V

GS

(V)

0

开关特性

500

V

GS

= -10 V ， PW = 2微秒，

V

DD

= -30 V，占空比

＆ LT ;

1 %

=

:

TD （关闭）

tf

200

T（ NS ）

开关时间

100

50

tr

20

10

5

–0.1 –0.2

漏源极电压

–8

–60

V

GS

–12

栅极至源极电压

–80

I

D

= –7 A

–8

–16

–24

–32

栅极电荷Qg （ NC ）

–16

–20

–40

TD （上）

–100

0

–0.5 –1

–2

–5

漏电流I

D

(A)

–10