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2N3906
新产品
威世半导体
原通用半导体
小信号晶体管( PNP )
TO- 226AA ( TO-92 )
0.181 (4.6)
分钟。 0.492 ( 12.5 ) 0.181 ( 4.6 )
0.142 (3.6)
特点
PNP硅外延平面晶体管
开关和放大器应用。
互补型, NPN晶体管
2N3904建议。
在特殊要求,该晶体管也
在引脚配置TO- 18制造。
该晶体管也是在SOT -23的情况下可用
同类型指定MMBT3906 。
马克斯。
0.022 (0.55)
0.098 (2.5)
尺寸以英寸
(毫米)
机械数据
案例:
TO- 92塑料包装
重量:
约。 0.18克
包装代码/选项:
E6 /散 - 每个集装箱5K , 20K /箱
E7 / 4K每个弹药倍率, 20K /箱
底部
意见
最大额定值&热特性
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
符号
–V
首席执行官
–V
CBO
–V
EBO
–I
C
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
价值
40
40
5.0
200
625
1.5
250
(1)
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
W
° C / W
°C
°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
注意:
(1)有效的规定,引线被保持在环境温度下进行。
文档编号88114
07-May-02
www.vishay.com
1
2N3906
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
参数
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
测试条件
-V
CE =
1 V , -I
C
- 0.1毫安
-V
CE =
1 V , -I
C
= 1毫安
-
V
CE =
1 V , -I
C
= 10毫安
-V
CE =
1 V , -I
C
= 50毫安
-V
CE =
1 V , -I
C
= 100毫安
-V
EB
= 3 V, -V
CE
= 30 V
-V
EB
= 3 V, -V
CE
= 30 V
-I
C
= 10毫安, -I
B
= 1毫安
-I
C
= 50毫安, -I
B
= 5毫安
-I
C
= 10毫安, -I
B
= 1毫安
-I
C
= 50毫安, -I
B
= 5毫安
-I
C
= 1毫安,我
B
= 0
-I
C
= 10
A,
I
E
= 0
-I
E
= 10
A,
I
C
= 0
-V
CE
= 10 V , -I
C
= 1毫安,
F = 1千赫
-V
CE
= 10 V , -I
C
= 1毫安,
F = 1千赫
-V
CE
= 20 V , -I
C
= 10毫安
F = 100 MHz的
-V
CB
= 5 V , F = 100千赫
-V
EB
= 0.5 V , F = 100千赫
-V
CE
= 10 V , -I
C
= 1毫安
F = 1千赫
-V
CE
= 1 V , -I
C
= 1毫安
F = 1千赫
60
80
100
60
30
40
40
5
1
0.5 10
-4
250
100
1
典型值
最大
300
50
50
0.25
0.4
0.85
0.95
10
8 10
-4
4.5
10
400
40
单位
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
集电极饱和电压
基本饱和电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
输入阻抗
电压反馈比例
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
小信号电流增益
输出导纳
-I
CEV
-I
EBV
-V
CESAT
-V
BESAT
-V(
BR ) CEO
-V(
BR ) CBO
-V(
BR ) EBO
h
ie
h
re
f
T
C
CBO
C
EBO
h
fe
h
oe
nA
nA
V
V
V
V
V
k
兆赫
pF
pF
S
www.vishay.com
2
文档编号88114
07-May-02
2N3906
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
参数
噪声系数
延迟时间(参见图1)
上升时间(参见图1)
储存时间(见图2)
下降时间(参见图2)
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
F
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
-V
CE
= 5 V , -I
C
= 100
A,
R
G
= 1千欧, F = 10 ... 15000赫兹
-I
B1
= 1毫安, -I
C
= 10毫安
-I
B1
= 1毫安, -I
C
= 10毫安,
I
B1
= -I
B2
= 1毫安,
-I
C
= 10毫安
I
B1
= -I
B2
= 1毫安,
-I
C
= 10毫安
典型值
最大
4
35
35
225
75
单位
dB
ns
ns
ns
ns
图。 1 :
对于延迟和上升时间测试电路
*测试夹具和连接器共有并联电容
图。 2 :
存储和下降时间测试电路
*测试夹具和连接器共有并联电容
文档编号88114
07-May-02
www.vishay.com
3
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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