【2SJ245L， 2SJ245S硅P沟道MOS场效应管应用DPAK–1高速电源开关44特点12 3低】,IC型号2SJ245,2SJ245 PDF资料,2SJ245经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SJ245

L

， 2SJ245

S

硅P沟道MOS场效应管

应用

DPAK–1

高速电源开关

4

特点

1

2 3

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

4 V栅驱动器可以驱动

从5 V电源

适用于开关稳压器，直流 - 直流

变流器

12

3

2, 4

1

3

1.门

2.漏

3.源

4.漏

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

I

DR

PCH **

总胆固醇

TSTG

评级

–60

±20

–5

–20

–5

20

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

*

PW

≤

10微秒，占空比

≤

1 %

**

在Tc值= 25°C

2SJ245 L， 2SJ245 S

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

民

–60

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

= -100 μA ，V

DS

= 0

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0

V

DS

= –50 V, V

GS

= 0

I

D

= -1毫安， VDS = -10 V

———————————————————————————————————————————–

±20

—

V

———————————————————————————————————————————–

—

–1.0

—

0.2

±10

–100

–2.0

0.25

A

V

———————————————————————————————————————————–

I

D

= –3 A

V

GS

= –10 V *

I

D

= –3 A

V

GS

= –4 V *

I

D

= –3 A

V

DS

= –10 V *

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= –3 A

V

GS

= –10 V

R

L

= 10

————————————————————————–

—

0.28

0.38

———————————————————————————————————————————–

正向转移导纳

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

2.2

3.7

—

S

———————————————————————————————————————————–

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

—

610

315

95

12

45

170

90

–1.1

—

pF

ns

V

I

F

= -5 A ，V

GS

= 0

IF = -5 A ，V

GS

= 0,

DIF / DT = 50 A / μs的

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————–

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————–

—

160

—

ns

———————————————————————————————————————————–

2SJ245 L， 2SJ245 S

功率与温度降额

30

通道耗散P沟（W）的

最高安全工作区

–100

I

D

(A)

在这一领域是

限于由R

DS （ ON）

–30

–10

PW

=

10 s

10

0

漏电流

20

1

10

m

s

m

s

D

–3

–1

C

pe

O

s

(1

TIO

ra

°C

)

ot

25

sh

=

c

(T

10

n

–0.3

TA = 25°C

0

50

100

壳温度（ ° C）

150

–0.1

–1

–10 –30 –100

–0.3

–3

漏极至源极电压V

DS

(V)

–10

典型的输出特性

–10 V

–6 V

–5 V

–4 V

I

D

(A)

典型的传输特性

–5

TC = -25°C

25°C

75°C

脉冲测试

–3 V

DS

= –10 V

–2

)

I

D

(A)

–8

脉冲测试

–6

–3.5 V

–4

–3 V

–2

V

GS

= –2.5 V

–2

–4

–6

漏源极电压

–8

V

DS

(V)

–10

–4

漏电流

–1

0

–1

–2

–3

栅极至源极电压

–4

V

GS

(V)

–5

2SJ245 L， 2SJ245 S

–1.0

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

5

脉冲测试

2

1

–0.8

I

D

= –3 A

–0.6

–2 A

0.5

V

GS

= –4 V

–10 V

–0.4

–1 A

脉冲测试

0

–2

–4

–6

栅极至源极电压

–8

V

GS

(V)

–10

0.2

0.1

–0.2

0.05

–0.5

–1

–2

–5

漏电流

–10 –20

I

D

(A)

–50

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

1.0

脉冲测试

0.8

正向转移导纳

与漏电流

10

5

TC = -25°C

25°C

0.6

–3 A

V

GS

= –4 V

–3 A

–1, –2 A

2

1

75°C

0.4

0.5

0.2

–10 V

0

–40

–I

D

= –1, –2 A

160

0.2

0.1

–0.1 –0.2 –0.5 –1

漏电流

脉冲测试

V

DS

= –10 V

–2

–5

I

D

(A)

–10

0

40

80

120

壳温度（ ° C）

2SJ245 L， 2SJ245 S

体漏二极管反向恢复时间

1000

吨RR （ NS ）

500

典型的电容比。

漏源极电压

2000

1000

C（ pF）的

500

西塞

反向恢复时间

200

100

50

的di / dt = 50A / μs的

V

GS

= 0

TA = 25°C

脉冲测试

200

100

科斯

电容

CRSS

50

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

20

0

–10

–20

–30

–40

–50

漏极至源极电压V

DS

(V)

20

10

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10

反向漏电流I

DR

(A)

V

DS

(V)

0

动态输入特性

V

DD

= –10 V

–25 V

–50 V

V

DD

= –50 V

–25 V

–10 V

V

DS

0

V

GS

(V)

500

开关特性

T（ NS ）

–20

–4

200

100

V

GS

= –10 V

50 V

DD

= –30 V

PW = 2

s

税

≤

1%

20

10

t

f

t

d

（关闭）

漏源极电压

–60

V

GS

I

D

= –5 A

8

16

24

32

栅极电荷Qg （ NC ）

–12

开关时间

–40

–8

栅极至源极电压

t

r

t

d

（上）

–80

–16

–20

40

–100

0

5

–0.1 –0.2 –0.5 –1

漏电流

–2

–5

I

D

(A)

–10