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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD2033
描述
良好
h的线性度
FE
·
集电极 - 发射极击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 120V （最小值）
.Complement
到类型2SB1353
应用
·设计
对于在高电压驱动器的应用程序的使用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
120
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
120
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5.0
V
I
C
集电极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
1.5
A
1.8
W
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
J
结温
20
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD2033
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 0.1毫安;我
E
= 0
120
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
120
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 0.1毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.1A
B
2.0
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
10
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
10
μA
h
FE
直流电流该隐
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
60
320
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
50
兆赫
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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供货商
型号
厂家
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