2SJ103
东芝场效应晶体管
硅P沟道结型
2SJ103
对于音频放大器，模拟开关，恒流
和阻抗转换器应用
高击穿电压： V
GDS
= 50 V
高输入阻抗：我
GSS
= 1.0 NA （最大值） （V
GS
= 30 V)
低R
DS （ ON）
: R
DS （ ON）
= 270
（ TYP。） （我
DSS
=
5
毫安）
免费为2SK246
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
栅 - 漏电压
栅电流
漏极功耗
结温
存储温度范围
符号
V
GDS
I
G
P
D
T
j
T
英镑
等级
50
10
300
125
55~125
单位
V
mA
mW
°C
°C
注意：
重负载下连续使用（例如应用
JEDEC
TO-92
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
JEITA
SC-43
可靠性显著即使工作条件下（即
东芝
2-5F1C
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
重量：0.33克（典型值）
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，
估计的故障率，等）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极截止电流
栅极 - 漏极击穿电压
漏电流
栅极 - 源极截止电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
符号
I
GSS
V
（ BR ） GDS
I
DSS
（注）
V
GS （关闭）
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
测试条件
V
GS
=
30 V, V
DS
=
0
V
DS
=
0, I
G
=
100
μA
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0
V
DS
= 10
V，I
D
= 0.1 μA
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1千赫
V
DS
= 10
毫伏，V
GS
=
0, I
DSS
= 5
mA
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DG
= 10
V，I
D
=
0, f
=
1兆赫
民
50
1.2
0.3
1.0
典型值。
4.0
270
18
3.6
最大
1.0
14
6.0
单位
nA
V
mA
V
mS
Ω
pF
pF
注：我
DSS
分类Y：
1.2~3.0
毫安， GR ：
2.6~6.5
毫安BL ：
6~14
mA
1
2007-11-01
2SJ103
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
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兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
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2007-11-01
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