INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6253
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6257
固电
IN
导½
半
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
器
UC
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6253
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
JMnic
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6253
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
民
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
民
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
民
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE （ SAT ）
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
2N6673
PNP
2N6248
fT
* TYP
（兆赫）
民
4.0
2.5
2.5
2.5
4.0
--
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
4.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
2.5
6.0
6.0
6.0
15
15
15
2N6285
2N6286
2N6287
20
20
20
8.0
8.0
8.0
15
18,000 10
18,000 10
18,000 10
75
75
60
60
8.0
8.0
8.0
8.0
2N6648
2N6649
2N6650
2N6469
10
10
10
15
15
15
15
5.0
5.0
8.0
8.0
15
15
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
20
20
20
20
7.0
7.0
7.0
7.0
12
12
15
150
150
150
150
35
35
35
35
60
60
200
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
2N6594
12
15
15
15
8.0
8.0
8.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
10
10
10
40
40
40
--
--
--
阴影部分表示达林顿。
83
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
2N6253
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 45V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 15A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
45
15
单位
V
A
-
Hz
@ 4/3 (V
CE
/ I
C
)
20
150
150
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
2N6253 - 2N6254 - 2N6371
高功率硅NPN晶体管
该2N6253 ， 2N6254和2N6371是用于广泛的硅NPN晶体管
各种高功率应用。这些装置的构造使得它们
以在很宽范围的操作条件的第二击穿高度耐药。
这些器件在不同电压和功耗最大额定值。都是
在JEDEC TO-3密封钢包提供。
绝对最大额定值
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CBO
V
CER （ SUS）
集电极 - 发射极电压
评级
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
2N6253
2N6254
2N6371
价值
45
80
40
55
100
50
55
85
45
55
90
50
5
7
5
15
7
单位
V
V
集电极 - 基极电压（ * ）
集电极 - 发射极电压
R
BE
=100
集电极 - 发射极电压
V
BE
=-1.5V
发射极 - 基极电压
V
V
CEV （ SUS ）
V
V
EBO
I
C
I
B
V
A
A
集电极电流
基极电流
半导体COMSET
1/4
2N6253 - 2N6254 - 2N6371
机械数据案例TO- 3
尺寸
毫米英寸
A
25,45
1
B
38,8
1,52
C
30,09 1,184
D
17,11
0,67
E
9,78
0,38
G
11,09
0,43
H
8,33
0,32
L
1,62
0,06
M
19,43
0,76
N
1
0,04
P
4,08
0,16
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。
资料如有变更，恕不另行通知
半导体COMSET
4/4
QQ：2880707522 复制
