UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SD882S
中功率低
电压晶体管
特点
*高电流输出高达3A
*低饱和电压
*补到2SB772S
NPN硅晶体管
1
SOT-89
1
SOT-223
应用
*音频功率放大器
*的DC-DC转换器
*稳压器
1
TO-92
*无铅电镀产品编号： 2SD882SSL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SD882S-x-AA3-R
2SD882SL-x-AA3-R
2SD882S-x-AB3-R
2SD882SL-x-AB3-R
2SD882S-x-T92-B
2SD882SL-x-T92-B
2SD882S-x-T92-K
2SD882SL-x-T92-K
包
SOT-223
SOT-89
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
B
C
E
B
C
E
E
C
B
E
C
B
填料
带盘
带盘
磁带盒
体积
2SD882SL-x-AA3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ） B：磁带盒， K：散装， R：带卷轴
（ 2 ） AA3 ： SOT - 223 ， AB3 ： SOT - 89 ， T92 ： TO- 92
（3 ）× ：指h的分类
FE2
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R208-007,C
2SD882S
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
SOT-89
SOT-223
TO-92
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25
℃
中，除非另有规定）
评级
40
30
5
3
7
0.6
单位
V
V
V
A
A
A
0.5
W
功耗
P
D
1
W
0.5
W
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注1 ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=20mA
V
CE
= 2V ，我
C
=1A
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
V
CE
= 5V ，我
C
=0.1A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
40
30
5
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
1000
1000
30
100
200
150
0.3
1.0
80
45
400
0.5
2.0
V
V
兆赫
pF
注1 ：脉冲测试： PW<300
S，责任Cycle<2 ％
分类h及
FE2
秩
范围
Q
100-200
P
160-320
E
200-400
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R208-007,C
2SD882S
典型特征
静态特性
NPN硅晶体管
国家外汇管理局经营降额曲线
地区
150
集电极电流IC （ A）
降额，我
C
(%)
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
I
B
=9mA
I
B
=8mA
I
B
=7mA
I
B
=6mA
I
B
=5mA
I
B
=4mA
I
B
=3mA
I
B
=2mA
I
B
=1mA
4
8
12
16
20
100
S/
50
bl
im
ITE
d
n
io
at
ip
为s
D
LIM
d
ITE
0
-50
0
50
100
150
200
集电极 - 发射极电压（ V）
外壳温度，T
C
(℃)
电流增益带宽积
目前GAIN-
带宽积，女
T
（兆赫）
安全工作区
10
1
集电极电流，I
C
(A)
10
3
S
1m
0.
10
m
S
1m
S
10
2
V
CE
=5V
I
B
=8mA
10
0
I
C
（最大） ，直流
10
1
10
-1
I
C
（最大） ，脉冲
10
-2
10
10
-2
0
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
集电极 - 发射极电压
10
2
集电极电流IC （ A）
直流电流增益
饱和电压
饱和电压（MV ）
10
3
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0 0
10
V
BE （ SAT ）
直流电流增益，H
FE
10
2
V
CE
=2V
V
CE （ SAT ）
10
1
10
0
10
0
10
集电极电流，I
C
（MA ）
10
1
3
10
4
10
1
10
2
10
3
10
4
集电极电流，I
C
（MA ）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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3 4
QW-R208-007,C
2SD882S
典型特征（续）
集电极输出电容
输出电容（pF ）
NPN硅晶体管
10
3
I
E
=0
f=1MHz
10
2
10
1
10
0
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
集电极 - 基极电压（ V）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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QW-R208-007,C
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SD882S
中功率低
电压晶体管
特点
*高电流输出高达3A
*低饱和电压
*补到2SB772S
NPN硅晶体管
1
SOT-89
1
SOT-223
应用
*音频功率放大器
*的DC-DC转换器
*稳压器
1
TO-92
*无铅电镀产品编号： 2SD882SSL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SD882S-x-AA3-R
2SD882SL-x-AA3-R
2SD882S-x-AB3-R
2SD882SL-x-AB3-R
2SD882S-x-T92-B
2SD882SL-x-T92-B
2SD882S-x-T92-K
2SD882SL-x-T92-K
包
SOT-223
SOT-89
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
B
C
E
B
C
E
E
C
B
E
C
B
填料
带盘
带盘
磁带盒
体积
2SD882SL-x-AA3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ） B：磁带盒， K：散装， R：带卷轴
（ 2 ） AA3 ： SOT - 223 ， AB3 ： SOT - 89 ， T92 ： TO- 92
（3 ）× ：指h的分类
FE2
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
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QW-R208-007,C
2SD882S
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
SOT-89
SOT-223
TO-92
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25
℃
中，除非另有规定）
评级
40
30
5
3
7
0.6
单位
V
V
V
A
A
A
0.5
W
功耗
P
D
1
W
0.5
W
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注1 ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
测试条件
I
C
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E
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B
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E
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C
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E
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V
EB
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C
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V
CE
= 2V ，我
C
=20mA
V
CE
= 2V ，我
C
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I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
V
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= 5V ，我
C
=0.1A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
40
30
5
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
1000
1000
30
100
200
150
0.3
1.0
80
45
400
0.5
2.0
V
V
兆赫
pF
注1 ：脉冲测试： PW<300
S，责任Cycle<2 ％
分类h及
FE2
秩
范围
Q
100-200
P
160-320
E
200-400
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QW-R208-007,C
2SD882S
典型特征
静态特性
NPN硅晶体管
国家外汇管理局经营降额曲线
地区
150
集电极电流IC （ A）
降额，我
C
(%)
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
I
B
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I
B
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I
B
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I
B
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I
B
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B
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I
B
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I
B
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I
B
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4
8
12
16
20
100
S/
50
bl
im
ITE
d
n
io
at
ip
为s
D
LIM
d
ITE
0
-50
0
50
100
150
200
集电极 - 发射极电压（ V）
外壳温度，T
C
(℃)
电流增益带宽积
目前GAIN-
带宽积，女
T
（兆赫）
安全工作区
10
1
集电极电流，I
C
(A)
10
3
S
1m
0.
10
m
S
1m
S
10
2
V
CE
=5V
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C
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10
1
10
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C
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10
-2
10
10
-2
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10
-1
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10
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集电极 - 发射极电压
10
2
集电极电流IC （ A）
直流电流增益
饱和电压
饱和电压（MV ）
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4
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10
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FE
10
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V
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10
集电极电流，I
C
（MA ）
10
1
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4
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1
10
2
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3
10
4
集电极电流，I
C
（MA ）
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2SD882S
典型特征（续）
集电极输出电容
输出电容（pF ）
NPN硅晶体管
10
3
I
E
=0
f=1MHz
10
2
10
1
10
0
10
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10
-1
10
-2
10
-3
集电极 - 基极电压（ V）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
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QW-R208-007,C
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SD882S
中功率低
电压晶体管
特点
*高电流输出高达3A
*低饱和电压
*补到2SB772S
NPN硅晶体管
1
SOT-89
1
SOT-223
应用
*音频功率放大器
*的DC-DC转换器
*稳压器
1
TO-92
*无铅电镀产品编号： 2SD882SSL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
2SD882S-x-AA3-R
2SD882SL-x-AA3-R
2SD882S-x-AB3-R
2SD882SL-x-AB3-R
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2SD882SL-x-T92-B
2SD882S-x-T92-K
2SD882SL-x-T92-K
包
SOT-223
SOT-89
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
B
C
E
B
C
E
E
C
B
E
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B
填料
带盘
带盘
磁带盒
体积
2SD882SL-x-AA3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ） B：磁带盒， K：散装， R：带卷轴
（ 2 ） AA3 ： SOT - 223 ， AB3 ： SOT - 89 ， T92 ： TO- 92
（3 ）× ：指h的分类
FE2
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
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2SD882S
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
SOT-89
SOT-223
TO-92
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25
℃
中，除非另有规定）
评级
40
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5
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7
0.6
单位
V
V
V
A
A
A
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P
D
1
W
0.5
W
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T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注1 ）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
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符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
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V
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f
T
COB
测试条件
I
C
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E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=20mA
V
CE
= 2V ，我
C
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C
= 2A ，我
B
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C
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B
=0.2A
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C
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V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
40
30
5
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
1000
1000
30
100
200
150
0.3
1.0
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400
0.5
2.0
V
V
兆赫
pF
注1 ：脉冲测试： PW<300
S，责任Cycle<2 ％
分类h及
FE2
秩
范围
Q
100-200
P
160-320
E
200-400
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2SD882S
典型特征
静态特性
NPN硅晶体管
国家外汇管理局经营降额曲线
地区
150
集电极电流IC （ A）
降额，我
C
(%)
1.6
1.2
0.8
0.4
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0
I
B
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I
B
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I
B
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B
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I
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I
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I
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I
B
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20
100
S/
50
bl
im
ITE
d
n
io
at
ip
为s
D
LIM
d
ITE
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集电极 - 发射极电压（ V）
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(℃)
电流增益带宽积
目前GAIN-
带宽积，女
T
（兆赫）
安全工作区
10
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集电极电流，I
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10
10
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10
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集电极电流IC （ A）
直流电流增益
饱和电压
饱和电压（MV ）
10
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4
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直流电流增益，H
FE
10
2
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=2V
V
CE （ SAT ）
10
1
10
0
10
0
10
集电极电流，I
C
（MA ）
10
1
3
10
4
10
1
10
2
10
3
10
4
集电极电流，I
C
（MA ）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R208-007,C
2SD882S
典型特征（续）
集电极输出电容
输出电容（pF ）
NPN硅晶体管
10
3
I
E
=0
f=1MHz
10
2
10
1
10
0
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
集电极 - 基极电压（ V）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
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4 4
QW-R208-007,C
UTC 2SD882S
NPN外延硅晶体管
中功率低电压
晶体管
特点
*高电流输出高达3A
*低饱和电压
*补到2SB772S
应用
*音频功率放大器
*的DC-DC转换器
*稳压器
1
TO-92
1 ：发射器2 ：收藏家3 ： BASE
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散（ TA = 25 ° C）
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Pc
Ic
Ic
I
B
T
j
T
英镑
等级
40
30
5
0.5
3
7
0.6
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
W
A
A
A
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益（注1 ）
符号
测试条件
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=3V,Ic=0
V
CE
=2V,Ic=20mA
V
CE
=2V,Ic=1A
Ic=2A,I
B
=0.2A
Ic=2A,I
B
=0.2A
V
CE
=5V,Ic=0.1A
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
民
典型值
最大
1000
1000
单位
nA
nA
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
（SAT）
基射极饱和电压
V
BE
（SAT）
电流增益带宽积
f
T
输出电容
COB
注1 ：脉冲测试： PW<300μs ，职务Cycle<2 ％
30
100
200
150
0.3
1.0
80
45
400
0.5
2.0
V
V
兆赫
pF
中hFE2分类
秩
范围
Q
100-200
P
160-320
E
200-400
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R201-024,A
UTC 2SD882S
图1静态特性
NPN外延硅晶体管
安全图2降额曲线
经营领域
150
12
典型参数性能
图3功率降额
-Ic ，集电极电流（ A）
1.6
1.2
-IB=6mA
-IB=5mA
100
功耗（ W）
150
200
- 集成电路降额（ ％ ）
-IB=9mA
-IB=8MA
-IB=7mA
S/
b
8
0.8
LIM
ITE
d
D
pa
si
is
-IB=4mA
-IB=3mA
-IB=2mA
-IB=1mA
50
4
n
TIO
0.4
LIM
d
ITE
0
0
4
8
12
16
20
0
-50
0
50
100
0
-50
0
50
100
150
200
-collector发射极电压（ V）
TC，外壳温度（ ° C）
TC，外壳温度（ ° C）
图4集电极输出
电容
3
10
3
10
图5电流GAIN-
带宽积
1
10
图6安全工作区
集成电路（最大） ，脉冲
集成电路（最大） ，直流
10
mS
1m
S
S
1m
0.
输出电容（pF ）
F
T
（兆赫） ，目前GAIN-
带宽积
2
10
I
E
=0
f=1MHz
V
CE
=5V
2
10
-Ic ，集电极电流（ A）
0
1
10
10
0
I
B
=8mA
1
10
1
10
-1
10
0
10
10
0
-1
10
-2
10
-3
10
0
10
-2
10
-1
10
-2
10
10
10
0
1
10
2
10
-collector基极电压（ V）
IC ，集电极电流（ A）
集电极 - 发射极电压
图7直流电流增益
3
10
4
10
图8饱和电压
V
CE
=-2V
-saturation电压（毫伏）
直流电流增益，H
FE
3
10
V
BE
（SAT）
2
10
2
10
1
10
V
CE
（SAT）
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
-Ic ，集电极电流（mA ）
-Ic ，集电极电流（mA ）
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
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2
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