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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD675
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 160V （最小值）
高
电源Dissipation-
: P
C
= 100W （最大） @T
C
=25℃
.Complement
到类型2SB655
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
160
单位
V
160
5
V
V
12
20
100
150
-55~150
A
A
W
℃
℃
集电极电流连续
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 50毫安;
BE
=
∞
I
E
= 5毫安;我
C
= 0
I
C
= 6A ;我
B
= 0.6A
B
2SD675
民
160
5
典型值。
最大
单位
V
V
2.5
1.5
0.1
60
200
V
V
mA
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
h
FE-1
分类
B
60-120
C
100-200
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 6A ; V
CE
= 5V
20
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ISC
硅NPN功率晶体管
2SD675
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 160V （最小值）
高
电源Dissipation-
: P
C
= 100W （最大） @T
C
=25℃
.Complement
到类型2SB655
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
160
160
5
12
20
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
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电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
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条件
I
C
= 50毫安;
BE
=
∞
I
E
= 5毫安;我
C
= 0
I
C
= 6A ;我
B
= 0.6A
B
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民
160
5
典型值。
最大
单位
V
V
2.5
1.5
0.1
60
20
200
V
V
mA
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 6A ; V
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= 5V
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FE-1
分类
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60-120
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100-200
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2N341A
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26001-0506
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