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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD536
描述
·采用TO-3封装
·高电压，高转速
·低集电极饱和电压
应用
开关稳压器
· DC-DC转换
通用功率放大器
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
200
5
10
5
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安，我
B
=0
I
C
= 0.1毫安，我
E
=0
I
E
= 0.1毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
50
民
200
200
5
2SD536
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
0.1
0.1
V
V
mA
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD536
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD536
描述
·带
TO- 3封装
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
切换
稳压器
·直流 - 直流
转换器
■一般
目的功率放大器
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
200
5
10
5
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安，我
B
=0
I
C
= 0.1毫安，我
E
=0
I
E
= 0.1毫安，我
C
=0
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CB
= 200V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
50
民
200
200
5
典型值。
2SD536
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
0.1
0.1
V
V
mA
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD536
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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2N3715SMD
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