【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2SD2395描述·带TO】,IC型号2SD2395,2SD2395 PDF资料,2SD2395经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD2395

描述

·带

TO- 220F封装

ULOW

集电极饱和电压

ùWide

SOA （安全工作区）

.Complement

键入2SB1566

钉扎

针

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

=25℃

集电极耗散

=25℃

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

最大

4.5

单位

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CESAT

BESAT

CBO

EBO

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

= 1毫安，我

= 50μA ;我

= 2A ，我

=0.2A

= 2A ，我

=0.2A

= 40V ;我

= 4V ;我

= 0.5A ; V

=5V

=0 ; V

=10V;f=1MHz

= 0.5A ; V

=5V;f=30MHz

100

民

2SD2395

典型值。

最大

单位

1.0

1.5

1.0

320

100

μA

兆赫

分类

100-200

160-320

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD2395

图2外形尺寸

晶体管

2SB1566

2SD2395

(94L-459-B350)

(94L-1101-D350)

296

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD2395

描述

·采用TO- 220F封装

·低集电极饱和电压

·宽SOA （安全工作区）

·补键入2SB1566

钉扎

针

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

=25

集电极耗散

=25

英镑

结温

储存温度

150

-55~150

发射极开路

开基

集电极开路

条件

最大

4.5

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

条件

= 1毫安，我

= 50μA ;我

= 2A ，我

=0.2A

= 2A ，我

=0.2A

= 40V ;我

= 4V ;我

= 0.5A ; V

=5V

=0 ; V

=10V;f=1MHz

= 0.5A ; V

=5V;f=30MHz

100

民

2SD2395

符号

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CESAT

BESAT

CBO

EBO

典型值。

最大

单位

1.0

1.5

1.0

320

100

兆赫

分类

100-200

160-320

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD2395

图2外形尺寸

2SD2395

晶体管

进行功率放大（ 50V ， 3A ）

2SD2395

结构

NPN硅外延平面晶体管

外形尺寸

（单位：毫米）

TO-220FN

10.0

4.5

3.2

2.8

特点

1 ）低V

CE （SAT）

2 ）范围内的SOA 。

15.0

12.0

8.0

5.0

1.2

1.3

14.0

0.8

(1)Base

(2)Collector

(3)Emitter

2.54

(1) (2) (3)

2.54

0.75

2.6

应用

继电器驱动

DC-DC变换器

稳压电源

补语

PNP

2SB1566

NPN

2SD2395

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

脉冲

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

范围

4.5

150

+150

单位

A（ DC ）

A（脉冲）

W(Ta=25

°C)

W(Tc=25°C)

°C

包装规格和h

包

TYPE

2SD2395

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

500

值被分类如下：

项

100至200

160到320

集电极耗散功率

结温

储存温度

PW = 100毫秒，单脉冲

电气特性

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

直流电流增益

跃迁频率

集电极输出电容

脉冲测试

符号

首席执行官

CBO

EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

COB

MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT

100

1.0

1.5

320

=1mA

=50A

=60V

=4V

条件

=2A/0.2A

= 3V ，我

=0.5A

兆赫V

= 5V ，我

= -0.5A ， F = 30MHz的

= 10V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

1/1

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平

可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，

交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等

安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

关于出口管制令日本

产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）

订单在日本。

在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）

对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。

Appendix1-Rev1.1