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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD526
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SB596
良好
h的线性度
FE
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
for 20½25W high fidelity
音频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
80
80
5
4
0.4
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 3 A;我
B
=0.3 A
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
40
15
8
90
民
80
典型值。
2SD526
最大
单位
V
1.5
1.5
30
100
240
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
40-80
O
70-140
Y
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD526
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD526
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD526
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SB596
· h的线性度好
FE
应用
·功率放大器应用
·推荐20 25W高保真
音频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
80
80
5
4
0.4
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 3 A;我
B
=0.3 A
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
40
15
8
90
民
80
2SD526
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
1.5
1.5
30
100
240
V
V
A
A
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
40-80
O
70-140
Y
120-240
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD526
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD526
4
2SD526
NPN外延硅晶体管
低频功率放大器
TO-220
!
补充2SA671
绝对最大额定值（T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（ TC = 25
℃)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
80
80
5
4
30
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（T
A
=25℃)
℃
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
V
CE （ SAT ）
f
T
测试条件
V
CB
= 80V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=
0
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
V
CE
= 5V ，我
C
=0.5A
民
典型值
最大
10
10
240
1.7
8
单位
A
A
40
V
M
HZ
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
A
A
A
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232266193121
2SB631F
20020107-D181A01LF
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2SK2632LS
22226064423
239.2
2680FS12
2941248
2SK3562
249-7971-3732-504F
2SA928
24AA04T-/SM
2SC4081
2-1393230-2
259191
2N4428
24LC64T-I/P
208-4112LPSTN
284516-5
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD526
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2SD526
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联系人：朱
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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TOSHIBA/东芝
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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TOSHIBA/东芝
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全新原装正品/质量有保证
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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TOSHIBA/东芝
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TO-220
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