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首字符2的型号第357页
> 2SD5075
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD5075
描述
·带
TO- 3PML包
高
击穿电压
高
高速开关
应用
●颜色
电视机行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
昂
CH
导½
半
参数
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
1500
800
6
3.5
10
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
50
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD5075
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=2.5A;I
B
=0.8A
8.0
V
V
BESAT
I
EBO
基射极饱和电压
I
C
=2.5A;I
B
=0.8A
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.5
V
发射极截止电流
1.0
mA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ;我
E
=0
10
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5 A; V
CE
=5V
8
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5 A; V
CE
=10V
I
C
=3A;I
B1
=0.8A;I
B2
=-1.6A
V
CC
=200V;R
L
=66.7Ω
3
兆赫
μs
t
f
下降时间
0.4
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD5075
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD5075
描述
·采用TO- 3PML包
·高击穿电压
·高速开关
应用
·彩电行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
6
3.5
10
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
发射极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
下降时间
条件
I
C
=2.5A;I
B
=0.8A
I
C
=2.5A;I
B
=0.8A
V
EB
= 5V ;我
C
=0
V
CB
= 800V ;我
E
=0
I
C
= 0.5 A; V
CE
=5V
I
C
= 0.5 A; V
CE
=10V
I
C
=3A;I
B1
=0.8A;I
B2
=-1.6A
V
CC
=200V;R
L
=66.7=
8
民
2SD5075
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
EBO
I
CBO
h
FE
f
T
t
f
典型值。
最大
8.0
1.5
1.0
10
单位
V
V
mA
A
3
0.4
兆赫
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD5075
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD5075
描述
·带
TO- 3PML包
高
击穿电压
高
高速开关
应用
●颜色
电视机行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
6
3.5
10
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD5075
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=2.5A;I
B
=0.8A
8.0
V
V
BESAT
I
EBO
基射极饱和电压
I
C
=2.5A;I
B
=0.8A
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1.5
V
发射极截止电流
1.0
mA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ;我
E
=0
10
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5 A; V
CE
=5V
8
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5 A; V
CE
=10V
I
C
=3A;I
B1
=0.8A;I
B2
=-1.6A
V
CC
=200V;R
L
=66.7Ω
3
兆赫
μs
t
f
下降时间
0.4
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD5075
图2外形尺寸
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2SD5075
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