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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
2SB754
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
.Complement
键入2SD844
高
集电极电流：我
C
=-7A
ULOW
集电极饱和电压
高
功耗
应用
高
电流开关应用
“权力
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
60
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-50
-50
-5
-7
7
2.5
W
单位
V
V
V
A
A
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
E
= -10mA ;我
C
=0
I
C
= -4.0A ;我
B
=-0.4A
I
C
= -4A ; V
CE
=-1V
V
CB
= -50V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -4A ; V
CE
=-1V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
70
30
10
300
民
-50
-5
-0.2
-0.9
典型值。
2SB754
最大
单位
V
V
-0.4
-1.2
-10
-10
240
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB754
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.10
mm)
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅功率晶体管
2SB754
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB754
描述
·采用TO- 3P （ I）包
·补键入2SD844
·高集电极电流：I
C
=-7A
·低集电极饱和电压
·高功耗
应用
·高电流开关应用
·功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
60
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-50
-50
-5
-7
7
2.5
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
E
= -10mA ;我
C
=0
I
C
= -4.0A ;我
B
=-0.4A
I
C
= -4A ; V
CE
=-1V
V
CB
= -50V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -4A ; V
CE
=-1V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
70
30
10
民
-50
-5
2SB754
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
-0.2
-0.9
-0.4
-1.2
-10
-10
240
V
V
A
A
兆赫
pF
300
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB754
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅功率晶体管
2SB754
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB754
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
.Complement
键入2SD844
高
集电极电流：我
C
=-7A
ULOW
集电极饱和电压
高
功耗
应用
高
电流开关应用
“权力
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
60
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-50
-50
-5
-7
7
2.5
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
E
= -10mA ;我
C
=0
I
C
= -4.0A ;我
B
=-0.4A
I
C
= -4A ; V
CE
=-1V
V
CB
= -50V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
I
C
= -4A ; V
CE
=-1V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
70
30
10
300
民
-50
-5
-0.2
-0.9
典型值。
2SB754
最大
单位
V
V
-0.4
-1.2
-10
-10
240
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB754
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.10
mm)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅功率晶体管
2SB754
4
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