晶体管
2SD2598
0.15
NPN硅外延平面型
达林顿
对于低频放大
单位：mm
6.9±0.1
0.7
4.0
1.05 2.5±0.1
±0.05
(1.45)
0.8
0.5
4.5±0.1
0.45
–0.05
2.5±0.1
q
q
q
正向电流传输比H
FE
设计高，这是AP-
propriate到电机和打印机·巴默尔的驱动器电路：小时
FE
= 4000 20000 。
分流电阻器从驱动器被删去。
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
0.45
–0.05
+0.1
+0.1
2.5±0.5
1
2
2.5±0.5
3
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25C)
评级
60
50
5
750
500
单位
V
V
V
mA
mA
W
C
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
*1
注意：除了
所示引线型
上图所示，
在如图所示键入
下图是
也可提供。
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT2类型封装
1.2±0.1
0.65
马克斯。
0.45
+0.1
– 0.05
（ HW型）
1
150
–55 ~ +150
内部连接
C
B
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
*1
h
FE
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE*1
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
条件
V
CB
= 25V ，我
E
= 0
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
*2
I
C
= 500毫安，我
B
- 0.5毫安
*2
I
C
= 500毫安，我
B
- 0.5毫安
*2
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
200
*2
E
民
典型值
最大
100
100
60
50
5
4000
20000
2.5
3.0
14.5±0.5
s
特点
0.65最大。
1.0 1.0
0.2
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
兆赫
等级分类
Q
R
4000 ~ 10000 8000 ~ 20000
脉冲测量
秩
h
FE
1
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