2SA1296
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1296
功率放大器的应用
电源开关应用
低饱和电压： V
CE （SAT）
=
0.5
V（最大值） @I
C
=
2
A
补充2SC3266 。
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
20
6
2
0.5
750
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TO-92
SC-43
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
东芝
2-5F1B
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
重量：0.33克（典型值）
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
h
FE （1）
直流电流增益
（注）
h
FE （2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE （SAT）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
I
C
= 10
妈，我
B
=
0
I
E
= 0.1
妈，我
C
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
= 0.1
A
V
CE
= 2
V，I
C
= 2
A
I
C
= 2
A，I
B
= 0.1
A
V
CE
= 2
V，I
C
= 0.1
A
V
CE
= 2
V，I
C
= 0.5
A
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
20
6
120
40
典型值。
120
40
最大
0.1
0.1
400
0.5
0.85
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
V
注：H
FE （1）
Y： 120 240 ， GR ： 200 400
1
2007-11-01
2SA1296
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
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兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
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2007-11-01
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