【等效电路C达林顿2SD2562s电气特性符号ICBOIEBOV（ BR ） CEOhFEVCE（SA】,IC型号2SD2562,2SD2562 PDF资料,2SD2562经销商,ic,电子元器件-51电子网

等效电路

C

达林顿

2SD2562

s

电气特性

符号

I

CBO

I

EBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

f

T

C

OB

条件

V

CB

=150V

V

EB

=5V

I

C

=30mA

V

CE

= 4V ，我

C

=10A

I

C

= 10A ，我

B

=10mA

I

C

= 10A ，我

B

=10mA

V

CE

= 12V，我

E

=–2A

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

2SD2562

100

最大

100

最大

150

民

5000

民

2.5

最大

3.0

最大

70

典型值

120

典型值

V

兆赫

pF

16.2

B

(7 0 )

E

硅NPN三重扩散平面晶体管

（补键入2SB1649 ）

s

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

Tj

T

英镑

2SD2562

150

5

15

1

85(Tc=25°C)

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

应用：

音频系列稳压器和通用

(Ta=25°C)

单位

外形尺寸

FM100(TO3PF)

0.8

±0.2

15.6

±0.2

5.5

±0.2

3.45

±0.2

5.5

3.3

±0.2

1.6

A

V

9.5

±0.2

A

23.0

±0.3

a

b

1.75

2.15

1.05

+0.2

-0.1

5.45

±0.1

1.5

4.4

5.45

±0.1

1.5

0.65

+0.2

-0.1

3.3

0.8

h

FE

秩

O（ 5000 12000 ）， P（ 6500 20000 ）， Y（ 15000至30000）

s

典型的开关特性（共发射极）

V

CC

(V)

40

R

L

()

4

I

C

(A)

10

V

BB1

(V)

10

V

BB2

(V)

–5

I

B1

（MA ）

10

I

B2

（MA ）

–10

t

on

(

s)

0.8typ

t

英镑

(

s)

4.0typ

t

f

(

s)

1.2typ

3.35

B

C

E

重量：约6.5克

一。型号

B 。批号

I

C

– V

CE

特征

（典型值）

15

V

CE

（SAT） - 我

B

特征

（典型值）

ollector - é MIT TE R 5 TU一口粮武LT年龄V

权证（S AT）

( V)

3

I

C

– V

Bé

温度特性

（典型值）

15

( V

CE

= 4 V )

10mA

50mA

3mA

2m

A

1.5

mA

1.0微米的

C 0 L L权证T O服务铜R R简T I

C

( A)

10

0.5mA

2

C 0 L L权证T或C ü R R简T I

C

( A )

0 0.8米一

10

EMP

MP ）

I

C

= . 15 A

I

C

= .1 0A

1

I

C

= . 5A

)

ê特

eT

C (

5

125

25C

0

2

4

6

0

0 .2

0.5

1

5

10

50

100 200

0

1

B一个发E - EM I T T O服务武升TA克ê V

Bé

( V)

–30

C (C

I

B

=0.3mA

5

（CAS

ASE牛逼

CAS

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2

3.0

2. 2

OL升EC T或 - 惠TTE诉OL踏歌V

权证

(V )

巴瑟 ú R R鄂西北我

B

（M A）

( V

CE

= 4 V )

50000

DC ú R R鄂西北嘎我N·H

FE

DC ú R R鄂西北嘎我N·H

FE

50000

12

5C

( V

权证

= 4 V)

瞬态热阻

θ

-a

（℃ / W）的

h

FE

– I

C

特征

（典型值）

h

F ê

– I

C

温度特性

（典型值）

θ

的J - 一

- T特征

3. 0

典型值

10000

5000

10000

5000

1. 0

25

C

0. 5

–30

C

1000

500

02

0.5

1

醇L E CT或Cu rren T I

C

(A )

5

10

15

1000

500

02

0 .5

1

联合升乐于r铜R R简T I

C

( A)

5

10

15

0. 1

1

10

10 0

时间t（ ms）的

1 0 0 0 2 00 0

f

T

– I

E

特征

（典型值）

(V

权证

= 1 2 V )

80

安全工作区

（单脉冲）

100

电脑 - 钽降额

M IM AX UM P流器 I S的I P A T I O 4 N P

C

(W )

铜吨-O FF FRE曲简和Y F

T

（ M·H

Z

)

80

60

W

第i个

In

60

鳍

ITE

40

he

at

si

nk

40

20

无需散热器

0

25

50

75

100

125

1 50

0

–0.02 –0. 05 –0 1

–0 .5

–1

–5

–10

3.5

0

它EM T E R C URR EN T I

E

(A )

A M B I连接吨率T e米P·E·R一吨UR （E T） A（ C）

160

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

2SD2562

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 150V （最小值）

高

直流电流GAIN-

: h

FE

=

5000 （最小） @ （我

C

= 10A ，V

CE

= 4V)

ULOW

集电极饱和电压 -

: V

CE （ SAT ）

=

2.5V （最大值） @ （我

C

= 10A ，我

B

= 10毫安）

.Complement

到类型2SB1649

B

应用

·设计

串联稳压器和通用

应用程序。

绝对最大额定值（T

a

=25℃)

符号

参数

价值

单位

V

CBO

集电极 - 基极电压

150

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

150

V

EBO

发射极 - 基极电压

5

V

I

C

集电极电流连续

15

A

I

B

基极电流连续

集电极耗散功率

@T

C

=25℃

结温

1

A

P

C

85

W

T

J

150

℃

T

英镑

储存温度

-55~150

℃

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

电气特性

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

I

CBO

I

EBO

h

FE

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

输出电容

电流增益带宽积

条件

I

C

= 30mA时我

B

= 0

I

C

= 10A ，我

B

= 10毫安

I

C

= 10A ，我

B

= 10毫安

V

CB

= 150V ，我

E

= 0

V

EB

= 5V ，我

C

= 0

I

C

= 10A ; V

CE

= 4V

I

E

= 0; V

CB

= 10V ; F

TEST

= 1MHz的

I

E

= -2A ; V

CE

= 12V

5000

民

150

2SD2562

典型值。

最大

单位

V

2.5

3.0

0.1

V

mA

120

70

pF

兆赫

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

V

CC

=

40V ，R

L

= 4Ω,

I

C

= 10A ;我

B1

= -I

B2

= 10毫安

0.8

4.0

1.2

μs

h

FE

分类

O

5000-12000

P

6500-20000

Y

15000-30000

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2

等效电路

C

达林顿

2SD2562

s

电气特性

符号

I

CBO

I

EBO

V

（ BR ） CEO

h

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V

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V

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C

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V

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C

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I

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V

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=–2A

V

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= 10V ， F = 1MHz的

评级

100

最大

100

最大

150

民

5000

民

2.5

最大

3.0

最大

70

典型值

120

典型值

V

兆赫

pF

16.2

B

(7 0 )

E

硅NPN三重扩散平面晶体管

（补键入2SB1649 ）

s

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

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P

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英镑

评级

150

5

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-55到+150

单位

V

A

W

°C

应用：

音频系列稳压器和通用

(Ta=25°C)

单位

外形尺寸

FM100(TO3PF)

0.8

±0.2

15.6

±0.2

5.5

±0.2

3.45

±0.2

5.5

3.3

±0.2

1.6

A

V

9.5

±0.2

A

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±0.3

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b

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2.15

1.05

+0.2

-0.1

5.45

±0.1

1.5

4.4

5.45

±0.1

1.5

0.65

+0.2

-0.1

3.3

0.8

h

FE

秩

O（ 5000 12000 ）， P（ 6500 20000 ）， Y（ 15000至30000）

s

典型的开关特性（共发射极）

V

CC

(V)

40

R

L

()

4

I

C

(A)

10

V

BB1

(V)

10

V

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–5

I

B1

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10

I

B2

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(

s)

0.8typ

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英镑

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4.0typ

t

f

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1.2typ

3.35

B

C

E

重量：约6.5克

一。产品型号

B 。批号

I

C

– V

CE

特征

（典型值）

15

V

权证

（SAT） - 我

B

特征

（典型值）

OL讲师 - 在uration V LT岁; V。E MI TT ER S

权证（S AT）

( V )

3

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C

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温度特性

（典型值）

15

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C

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C

= . 1 5A

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C

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2.2

OL升EC T或 - 惠TT呃武升踏歌V

权证

(V)

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B

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权证

=4 V)

50000

D C ú R R简吨盖N·H

F ê

D C ú R R简吨盖N·H

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50000

12

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权证

= 4 V)

瞬态热阻

θ

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（ C / W ）

h

FE

– I

C

特征

（典型值）

h

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– I

C

温度特性

（典型值）

θ

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- T特征

3. 0

典型值

10000

5000

10000

5000

1. 0

25

C

0. 5

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C

1000

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0.5

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OL升EC T或C乌尔仁T I

C

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C

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0. 1

1

10

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时间t（ ms）的

1 00 0 2 0 0 0

f

T

– I

E

特征

（典型值）

(V

权证

=1 2 V )

80

50

安全工作区

（单脉冲）

1 00

10

m

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电脑 - 钽降额

10

M IM AX UM P 2 O疫情周报迪S S小我PA T I O 4 N P

C

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铜吨-O FF FRE Q ü简和Y F

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C

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W

第i个

In

60

鳍

ITE

40

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1

0.5

无需散热器

自然冷却

si

nk

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20

无需散热器

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125

150

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0

–0.02 –0. 05 –0 1

– 0. 5

–1

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–10

0.05

3

5

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50

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20 0

3 .5

0

EM I T吨ER URR EN T I

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联合升乐C到的R - ê米它吨呃武升踏歌V

权证

( V)

A M双烯吨率T e米P·E·R一吨UR （E T） A（ C）

158

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

2SD2562

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 150V （最小值）

高

直流电流GAIN-

: h

FE

=

5000 （最小） @ （我

C

= 10A ，V

CE

= 4V)

ULOW

集电极饱和电压 -

: V

CE （ SAT ）

=

2.5V （最大值） @ （我

C

= 10A ，我

B

= 10毫安）

.Complement

到类型2SB1649

B

应用

·设计

串联稳压器和通用

应用程序。

绝对最大额定值（T

a

=25℃)

符号

参数

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

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w

.CN

i

em

cs

。是

w

价值

单位

150

V

150

V

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V

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A

1

A

V

EBO

发射极 - 基极电压

I

C

集电极电流连续

I

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基极电流连续

集电极耗散功率

@T

C

=25℃

结温

P

C

85

W

T

J

150

℃

T

英镑

储存温度

-55~150

℃

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

电气特性

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

I

CBO

I

EBO

h

FE

C

OB

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

输出电容

条件

I

C

= 30mA时我

B

= 0

I

C

= 10A ，我

B

= 10毫安

I

C

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V

CB

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= 0

V

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= 5V ，我

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I

C

= 10A ; V

CE

= 4V

民

150

2SD2562

典型值。

最大

单位

V

2.5

3.0

0.1

V

mA

电流增益带宽积

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

w

P

em

cs

。是

w

I

E

= -2A ; V

CE

= 12V

V

CC

=

40V ，R

L

= 4Ω,

I

C

= 10A ;我

B1

= -I

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= 10毫安

I

E

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CB

= 10V ; F

TEST

= 1MHz的

.CN

i

5000

120

70

pF

兆赫

0.8

4.0

1.2

μs

h

FE

分类

O

5000-12000

Y

15000-30000

6500-20000

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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