【晶体管2SC4715NPN硅外延平面型对于低频高击穿电压的放大单位：mm4.0±0.23.0±0.2】,IC型号2SC4715,2SC4715 PDF资料,2SC4715经销商,ic,电子元器件-51电子网

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晶体管

2SC4715

NPN硅外延平面型

对于低频高击穿电压的放大

单位：mm

4.0±0.2

3.0±0.2

0.7±0.1

s

特点

q

q

q

正向电流传输比H良好的线性

FE

.

高集电极到发射极电压V

首席执行官

.

小集电极输出电容C

ob

.

(Ta=25C)

1

2

3

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

评级

150

150

5

100

50

300

150

–55 ~ +150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

C

C

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

EIAJ ：SC- 72

新的S型套餐

1.27 1.27

2.54±0.15

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

集电极输出电容

跃迁频率

噪声电压

(Ta=25C)

符号

I

CBO

V

首席执行官

V

EBO

h

FE*1

V

CE （ SAT ）

C

ob

f

T

NV

条件

V

CB

= 100V ，我

E

= 0

I

C

= 100μA ，我

B

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安

I

C

= 30mA时我

B

= 3毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= -10mA ， F = 200MHz的

V

CE

= 10V ，我

C

= 1毫安，G

V

= 80分贝

R

g

= 100kΩ的，功能= FLAT

160

150

150

5

130

330

1

3

V

pF

兆赫

mV

民

典型值

最大

1

单位

A

V

V

*1

h

FE

等级分类

R

130 ~ 220

S

185 ~ 330

秩

h

FE

2.0±0.2

s

绝对最大额定值

记号

+0.2

0.45–0.1

15.6±0.5

1

晶体管

P

C

- TA

500

180

Ta=25C

150

I

B

=10mA

9mA

8mA

7mA

6mA

5mA

4mA

3mA

2mA

60

1mA

2SC4715

I

C

— V

CE

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.003

0.001

1

3

10

30

100

300

1000

Ta=75C

25C

–25C

V

CE （ SAT ）

— I

C

I

C

/I

B

=10

集电极耗散功率P

C

（ mW）的

集电极电流I

C

（MA ）

0

20

40

60

80 100 120 140 160

400

120

300

90

200

100

30

0

0

0

2

4

6

8

10

12

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

h

FE

— I

C

300

6

C

ob

— V

CB

集电极输出电容C

ob

（PF ）

V

CE

=5V

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

正向电流传输比H

FE

250

Ta=75C

200

25C

150

–25C

100

5

4

3

2

50

1

0

1

3

10

30

100

300

1000

0

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极基极电压V

CB

(V)

2

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