【2SD2533NPN硅外延应用低频功率放大器UPAK特点低饱和电压VCE （ SAT ）≤0.2 V】,IC型号2SD2533,2SD2533 PDF资料,2SD2533经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SD2533

NPN硅外延

应用

低频功率放大器

UPAK

特点

低饱和电压

V

CE （ SAT ）

≤

0.2 V

·大电流容量。

IC = 2将

3

2

1

1.基地

2.收集

3.辐射源

4.收集

4

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

集成电路（峰值） *

P

C

**

Tj

TSTG

评级

80

6

2

3

1

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

* PW

≤

10毫秒，占空比

≤

20 %

**当使用的氧化铝陶瓷板（ 12.5 ×20× 0.7mm）的

注意：

标记是"KS"

注意：此设备是非常敏感的静电放电。

建议处理该晶体管时采取适当的注意事项。

2SD2533

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

集电极到发射极击穿

电压

发射器基极击穿

电压

集电极基截止电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

民

80

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

I

C

= 1毫安，

R

BE

=

∞

I

E

= 10 A

I

C

= 0

V

CB

= 65 V,

I

E

= 0

V

CE

= 65 V,

R

BE

=

∞

V

EB

= 5 V,

I

C

= 0

V

CE

= 2 V,

I

C

= 0.5 A

V

CE

= 2 V,

I

C

= 1.5 A

V

IC = 1

I

B

= 50毫安

IC = 1

I

B

= 50毫安

V

CE

= 2 V,

I

C

= 50毫安

V

CB

= 10 V

I

E

= 0

F = 1 MHz的

———————————————————————————————————————————

80

—

V

———————————————————————————————————————————

6

—

V

———————————————————————————————————————————

—

1

A

———————————————————————————————————————————

集电极到发射极截止电流I

首席执行官

发射基地的截止电流

I

EBO

h

FE1*

h

FE2*

V

CE （SAT） *

V

BE （SAT） *

f

T

COB

—

5

A

———————————————————————————————————————————

—

1

A

———————————————————————————————————————————

直流电流传输比

120

—

300

———————————————————————————————————————————

直流电流传输比

40

—

———————————————————————————————————————————

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

增益带宽积

—

0.11

0.2

———————————————————————————————————————————

—

0.85

1.2

V

———————————————————————————————————————————

—

160

—

兆赫

———————————————————————————————————————————

集电极输出电容

—

20

—

pF

———————————————————————————————————————————

*脉冲测试

2SD2533

最大功耗曲线

集电极耗散功率PC（ W）

2.0

I

C

(A)

5

安全工作区

集成电路（峰值）

2 I

C

（最大）

s

1m

1.5

1

C

D

PW

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

TA = 25℃

1次脉冲

=1

O

集电极电流

0m

s

n

TIO

ra

pe

1.0

0.5

0

50

100

150

环境温度Ta （C ）

200

0.005

0.1 0.3

1

3

10

集电极到发射极电压

30

100

V

CE

(V)

**当使用氧化铝陶瓷板

（ 12.5 ×20× 0.7mm）的

典型的输出特性

2.0

I

C

(A)

mA

20

8毫安

1

6毫安

1

A

14 m

mA

12

A

10 m

8毫安

6毫安

典型的传输特性

2.0

I

C

(A)

V

CE

= 2 V

TA = 25℃

1.6

集电极电流

1.2

TA = 75℃

25 °C

–25 °C

0.8

4毫安

0.8

0.4

TA = 25℃

0

2毫安

0.4

I

B

=0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

集电极到发射极电压V

CE

(V)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

基极至发射极电压V

BE

(V)

2SD2533

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

1000

h

FE

500

200

100

50

75 °C

集电极到发射极饱和电压

与基极电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

10

5

2

1

TA = 25℃

脉冲测试

25 °C

直流电流传输比

0.5

0.2

0.1

TA = -25°C

I

C

=2A

1A

0.5 A

0.05

0.02

0.01

1

2

5

10 20

20 V

CE

= 2 V

脉冲测试

10

0.005 0.01 0.03

0.1

0.3

1

3 5

50 100 200 500 1000

集电极电流

I

C

(A)

基极电流I

B

（MA ）

饱和电压与

集电极电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

基地发射极饱和电压

V

BE （ SAT ）

(V)

10

增益带宽积主场迎战

集电极电流

1000

增益带宽乘积F

T

（兆赫）

脉冲测试

5

I

C

= 20 I

B

2

1

500

–25 °C

25 °C

V

BE （ SAT ）

200

100

50

0.5

TA = 75℃

V

CE （ SAT ）

0.2

0.1

25 °C

0.05

75 °C

0.02

0.01

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

20

10

TA = -25°C

0.5

1

2

5

10

脉冲测试

V

CE

= 6 V

1

集电极电流I

C

(A)

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

0.5

集电极电流I

C

(A)

2SD2533

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

集电极输出电容科夫（PF ）

500

I

E

=0

F = 1 MHz的

200

100

50

20

10

1

2

5

10

20

50

100

集电极基极电压V

CB

(V)

包装尺寸

单位：mm

4.5 ± 0.1

0.4

1.8最大

1.5 ± 0.1

0.44最大

φ

1.0

1.5 1.5

3.0

0.8分钟

0.53最大

0.48最大

1

2

3

2.5 ± 0.1

4.25最大

4

0.44最大

日立代码

EIAJ

JEDEC

UPAK

SC–62

UPAK