2N5883 ， 2N5884 （ PNP ）
2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）
2N5884和2N5886的首选设备
其他芯片
大功率晶体管
互补硅大功率晶体管被设计为
通用功率放大器和开关应用。
特点
http://onsemi.com
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏， （最大值） ，在我
C
= 15 ADC
低漏电流
I
CEX
= 1.0 MADC （最大）额定电压
出色的直流电流增益 -
h
FE
= 20 （分钟） ，在我
C
= 10位ADC
高电流增益带宽积 -
f
t
= 4.0兆赫（分钟） ，在我
C
= 1.0 ADC
无铅包可用*
25安培互补
硅功率晶体管
60 - 80伏， 200瓦
最大额定值
（注1 ）
等级
TO- 204AA （TO- 3）
案例1-07
风格1
符号
V
首席执行官
价值
60
80
60
80
单位
VDC
集电极 - 发射极电压
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
集电极 - 基极电压
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
V
CB
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流 -
连续
PEAK
基极电流
V
EB
I
C
5.0
25
50
VDC
ADC
I
B
7.5
ADC
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
200
1.15
W
W / ℃，
°C
T
J
, T
英镑
- 65至+ 200
标记图
2N588xG
Ayyww
MEX
2N588x
G
A
YY
WW
MEX
热特性
特征
符号
q
JC
最大
单位
=器件代码
X = 3 ，4，5 ，或6个
= Pb-Free包装
=大会地点
=年
=工作周
=原产地
热阻，结到外壳
0.875
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示JEDEC注册的数据。单位和条件不同，一些
参数和重新登记反映这些变化已要求。
上述所有值最大或超过目前JEDEC注册的数据。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年3月 - 11牧师
出版订单号：
2N5883/D
PD ，功耗（瓦）
2.表示JEDEC注册的数据。
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
= |h
fe
|
f
TEST
.
开关特性
动态特性
基本特征
电气特性
（注2） （T
C
= 25 ° C除非另有说明）
下降时间
贮存时间
上升时间
小信号电流增益（I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏，女
TEST
= 1.0千赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
电流增益 - 带宽积（注4 ）
基射极电压上（注3 ）
基射极饱和电压（注3 ）
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= 15 ADC ，我
B
= 1.5 ADC）
(I
C
= 25个ADC ，我
B
= 6.25 ADC）
DC电流增益（注3）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 25个ADC ，V
CE
= 4.0伏）
发射极截止电流（V
EB
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
= 60 VDC ，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150°C)
(V
CE
= 80伏，V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150°C)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注3 ）
(I
C
= 200 MADC ，我
B
= 0)
2N5883 ， 2N5884 （ PNP ） 2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）
(I
C
= 10位ADC ，V
CE
= 4.0伏）
100
125
150
175
200
特征
25
50
75
0
0
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 10位ADC ，我
B1
= I
B2
= 1.0 ADC）
(I
C
= 25个ADC ，我
B
= 6.25 ADC）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1.0兆赫）
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
http://onsemi.com
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
2N5883, 2N5884
2N5885, 2N5886
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
2N5883, 2N5885
2N5984, 2N5886
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
175
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
I
CEX
C
ob
h
FE
200
h
fe
f
T
t
s
t
r
t
f
民
4.0
35
20
4.0
20
60
80
1000
500
最大
100
0.8
1.0
0.7
1.5
2.5
1.0
4.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
2.0
2.0
MADC
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
ms
ms
ms
2
2N5883 ， 2N5884 （ PNP ） 2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）
V
CC
30 V
3.0
TO SCOPE
t
r
≤
20纳秒
开启时间
R
L
+2.0 V
0
t
r
≤
20纳秒
11 V
10至100
ms
T， TIME （
μ
s)
占空比
≈
2.0%
V
CC
R
L
+9.0 V
0
R
B
11 V
t
r
≤
20纳秒
10至100
ms
10
30 V
3.0
TO SCOPE
t
r
≤
20纳秒
10
R
B
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.3
2N5883 ， 2N5884 （ PNP ）
2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）
t
r
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 30 V
V
BE （OFF）的
= 2 V
关断时间
t
d
V
BB
+7.0 V
占空比
≈
2.0%
针对图曲线3 & 6，R
B
＆放大器;
L
是多种多样的。
输入电平大致如图所示。
适用于NPN ，翻转所有的极性。
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（安培）
20
30
图3.开启时间
图2.开关时间等效测试电路
1.0
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
0.5
D = 0.5
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
（ PK）
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 0.875 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.02
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
吨，时间（ ms）的
20
50
100
200
500
1000
2000
图4.热响应
100
50
20
10
dc
1毫秒
5毫秒
500
ms
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
1.0
T
J
= 200°C
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
（单脉冲）
曲线适用于低于额定V
首席执行官
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
200℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
IC ，集电极电流（安培）
图5.活动区安全工作区
http://onsemi.com
3
2N5883 ， 2N5884 （ PNP ） 2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）
10
7.0
5.0
3.0
T， TIME （
μ
s)
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.3
0.5 0.7
t
f
t
s
3000
2N5883 ， 2N5884 （ PNP ）
2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
2000
C，电容（pF ）
C
ob
C
ib
1000
700
500
2N5883 ， 2N5884 （ PNP ）
2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）
20
30
300
0.1
0.2
C
ob
50
100
C
ib
t
f
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（安培）
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
图6.开启，关闭时间
PnP设备
2N5883和2N5884
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
100
70
50
30
20
10
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20 30
25°C
55
°C
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
100
70
50
30
20
10
0.3
0.5 0.7
25°C
图7.电容
NPN器件
2N5885和2N5886
T
J
= 150°C
V
CE
= 4.0 V
V
CE
= 4.0 V
T
J
= 150°C
55
°C
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
I
C
，集电极电流（安培）
I
C
，集电极电流（安培）
图8.直流电流增益
图9.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
T
J
= 25°C
1.6
I
C
= 2.0 A
1.2
5.0 A
10 A
20 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
T
J
= 25°C
1.6
I
C
= 2.0 A
5.0 A
10 A
20 A
1.2
0.8
0.8
0.4
0
0.01
0.4
0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
I
B
，基极电流（安培）
2.0
5.0
10
0
0.01
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
I
B
，集电极电流（安培）
5.0
10
图10.集电极饱和区
图11.集电极饱和区
http://onsemi.com
4
2N5883 ， 2N5884 （ PNP ） 2N5885 ， 2N5886 （ NPN ）
2.0
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.6
2.0
T
J
= 25°C
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 4 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
20
30
1.2
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 4 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
20
30
0.8
0.8
I
C
，集电极电流（安培）
I
C
，集电极电流（安培）
图12. “开”电压
图13为“ON”电压
订购信息
设备
2N5883
2N5883G
2N5884
2N5884G
2N5885
2N5885G
2N5886
2N5886G
包
TO204
TO204
（无铅）
TO204
TO204
（无铅）
100单位/托盘
TO204
TO204
（无铅）
TO204
TO204
（无铅）
航运
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
