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数据表
硅晶体管
2SD2402
NPN硅外延型晶体管
低频功率放大器和中速切换
该2SD2402是一个晶体管具有高的电流
电容在小尺寸。
此晶体管是理想的
的DC / DC转换器和电动机驱动器。
封装图(单位:mm )
特点
高电流容量
低集电极饱和电压
与2SB1571互补晶体管
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
PW
10毫秒
占空比
50 %
条件
评级
50
30
6.0
5.0
8.0
单位
V
V
V
A
A
基极电流(DC)的
基极电流(脉冲)
I
B( DC )
I
B(脉冲)
PW
10毫秒
占空比
50 %
16厘米
2
×
0.7毫米陶瓷板装
0.2
0.4
A
A
总功耗
结温
储存温度
P
T
T
j
T
英镑
2.0
150
55
+150
W
°C
°C
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16155EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2002年4月 CP ( K)
日本印刷
2002
1998
2SD2402
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
DC基极电压
集电极饱和电压
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
BE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0
V
CE
= 1.0 V,I
C
= 1.0 A
V
CE
= 1.0 V,I
C
= 2.0 A
V
CE
= 1.0 V,I
C
= 0.1 A
I
C
= 3.0 V,I
B
= 0.15 A
I
C
= 5.0 V,I
B
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I
C
= 3.0 V,I
B
= 0.15 A
V
CE
= 10 V,I
E
=
0.5
A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
I
C
= 2.0 A,V
CC
= 10 V
I
B1
=
I
B2
= 0.1 A
R
L
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80
100
600
200
650
140
230
0.88
170
60
275
485
45
400
700
300
500
1.2
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
单位
nA
nA
mV
mV
mV
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
h
FE
分类
记号
h
FE2
EX
100至200
EY
160到320
EZ
200至400
2
数据表D16155EJ2V0DS
2SD2402
典型特性( TA = 25 ° C)
°
数据表D16155EJ2V0DS
3
2SD2402
4
数据表D16155EJ2V0DS
2SD2402
[备忘录]
数据表D16155EJ2V0DS
5
数据表
硅晶体管
2SD2402
NPN硅外延型晶体管
低频功率放大器和中速切换
该2SD2402是一个晶体管具有高的电流
电容在小尺寸。
此晶体管是理想的
的DC / DC转换器和电动机驱动器。
封装图(单位:mm )
特点
高电流容量
低集电极饱和电压
与2SB1571互补晶体管
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
PW
10毫秒
占空比
50 %
条件
评级
50
30
6.0
5.0
8.0
单位
V
V
V
A
A
基极电流(DC)的
基极电流(脉冲)
I
B( DC )
I
B(脉冲)
PW
10毫秒
占空比
50 %
16厘米
2
×
0.7毫米陶瓷板装
0.2
0.4
A
A
总功耗
结温
储存温度
P
T
T
j
T
英镑
2.0
150
55
+150
W
°C
°C
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证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16155EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2002年4月 CP ( K)
日本印刷
2002
1998
2SD2402
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
DC基极电压
集电极饱和电压
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
BE
V
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V
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V
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f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
EB
= 6.0 V,I
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CE
= 1.0 V,I
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CE
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C
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= 0.15 A
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C
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C
= 3.0 V,I
B
= 0.15 A
V
CE
= 10 V,I
E
=
0.5
A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
I
C
= 2.0 A,V
CC
= 10 V
I
B1
=
I
B2
= 0.1 A
R
L
= 500
80
100
600
200
650
140
230
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170
60
275
485
45
400
700
300
500
1.2
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
单位
nA
nA
mV
mV
mV
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
h
FE
分类
记号
h
FE2
EX
100至200
EY
160到320
EZ
200至400
2
数据表D16155EJ2V0DS
2SD2402
典型特性( TA = 25 ° C)
°
数据表D16155EJ2V0DS
3
2SD2402
4
数据表D16155EJ2V0DS
2SD2402
[备忘录]
数据表D16155EJ2V0DS
5
SMD型
NPN硅Epitaxia
2SD2402
晶体管
特点
高电流容量。
低集电极饱和电压。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲) *
基极电流
基极电流(脉冲) *
总功耗
结温
储存温度
* PW
10毫秒,占空比
50 %
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
30
6
5
8
0.2
0.4
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SD2402
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
基极 - 射极电压*
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
1
h
FE
2
V
BE
Testconditons
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
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EB
= 6.0 V,I
C
= 0
V
CE
= 1.0 V,I
C
=1.0 A
V
CE
= 1.0 V,I
C
= 2.0 A
V
CE
= 1.0 V,I
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= 0.1 A
晶体管
典型值
最大
100
100
单位
nA
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80
100
600
200
650
140
230
0.88
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60
275
485
45
400
700
300
500
1.2
mV
mV
mV
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
V
CE (SAT) 1
I
C
= 3 V,I
B
= 0.15 A
V
CE ( sat)的2
I
C
= 5 V,I
B
= 0.25 A
V
BE ( SAT )
I
C
= 3 V,I
B
= 0.15 A
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= 10 V,I
E
= -0.5 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
I
C
= 2.0 A,V
CC
= 10 V
I
B1
= -I
B2
= 0.1 A
R
L
= 500
h
FE
分类
记号
的hFE
EX
100 200
EY
160 320
EZ
200 400
2
www.kexin.com.cn
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD2402
特点
高电流容量。
低集电极饱和电压。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲) *
基极电流
基极电流(脉冲) *
总功耗
结温
储存温度
* PW
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50 %
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
30
6
5
8
0.2
0.4
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD2402
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
基极 - 射极电压*
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
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h
FE
2
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Testconditons
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200
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60
275
485
45
400
700
300
500
1.2
mV
mV
mV
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
V
CE (SAT) 1
I
C
= 3 V,I
B
= 0.15 A
V
CE ( sat)的2
I
C
= 5 V,I
B
= 0.25 A
V
BE ( SAT )
I
C
= 3 V,I
B
= 0.15 A
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= 10 V,I
E
= -0.5 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
I
C
= 2.0 A,V
CC
= 10 V
I
B1
= -I
B2
= 0.1 A
R
L
= 500
h
FE
分类
记号
的hFE
EX
100 200
EY
160 320
EZ
200 400
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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数量
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单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD2402
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13424184668
联系人:肖佳欣
地址:广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
2SD2402
NEC
24+
8000000
SMT
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
2SD2402
NEC
2019+
15000
SOT-89
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ:2322757237 复制

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
2SD2402
RENESAS
2019+
15000
SOT89
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
2SD2402
N/A
24+
16800
D175261
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
2SD2402
NEC
24+
15862
SOT89
全新原装现货热卖
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
2SD2402
NEC
24+
11631
SOT-89
全新原装正品现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SD2402
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
SOT-89
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SD2402
CHINA
24+
8640
SOT-89
全新原装现货,原厂代理。
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SD2402
NEC
21+22+
12600
SOT89
原装正品
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
2SD2402
NEC
14+
1500
SOT89
原装正品,支持实单
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