2N7002E
Vishay Siliconix公司
N沟道60 V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
R
DS （ ON）
()
3在V
GS
= 10 V
I
D
（MA ）
240
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
低导通电阻： 3
门槛低： 2 V （典型值）
低输入电容： 25 pF的
快速开关速度： 7.5纳秒
低输入和输出泄漏
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
TO-236
(SOT-23)
标识代码： 7E
3
S
2
D
G
1
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
驱动程序：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，
回忆，晶体管等。
电池供电系统
固态继电器
顶部
意见
订购信息： 2N7002E -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
2N7002E -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
脉冲漏
当前
a
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J,
T
英镑
极限
60
± 20
240
190
1300
0.35
0.22
357
- 55 150
W
° C / W
°C
mA
单位
V
功耗
热阻，结到环境
工作结存储温度范围
注意事项：
一。脉冲宽度有限的最高结温。
文档编号： 70860
S11-0183 -REV 。男， 07 -FEB- 11
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1
2N7002E
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
V
DD
= 10 V ，R
L
= 40
I
D
250毫安，V
根
= 10 V ，R
g
= 10
V
DS
= 5 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
GS
= 0 V，I
D
= 10 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 15 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V, V
DS
= 7.5 V
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 250毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 200毫安
V
DS
= 15 V，I
D
= 200毫安
I
S
= 200毫安， V
GS
= 0 V
800
500
1300
700
1.2
1.8
600
0.85
1.2
3
4
60
1
68
2
2.5
± 10
1
500
V
nA
A
符号
测试条件
分钟。
典型值。
a
马克斯。
单位
通态漏电流
b
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
A，C
开启时间
打开-O FF时间
mA
mS
V
0.4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
I
D
250毫安
0.06
0.06
21
7
2.5
0.6
nC
pF
13
18
20
25
ns
注意事项：
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试：脉冲宽度
300占空比
2 %.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 70860
S11-0183 -REV 。男， 07 -FEB- 11
2N7002E
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
1.0
V
GS
= 10
V,
9
V, 8 V,
7
V,
6
V
0.8
I
D
- 漏电流（ A）
5
V
0.9
0.6
I
D
- 漏电流（ A）
25 °C
125 °C
0.6
1.2
T
J
= - 55 °C
4
V
0.4
0.3
0.2
3
V
0.0
0
1
2
3
4
5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
4
3.5
3.0
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
3
2.5
传输特性
V
GS
= 4.5
V
2.0
V
GS
= 10
V
1.5
1.0
0.5
I
D
在250毫安
2
I
D
在75毫安
1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
D
- 漏电流（ A）
导通电阻与栅源电压
2.0
V
GS
= 10
V
在250毫安
1.6
R
DS （ ON）
- 导通电阻
V
GS （ TH）
-
方差
(V)
0
0.4
导通电阻与漏电流
0.2
I
D
= 250
A
（归一化）
1.2
V
GS
= 4.5
V
以200mA
- 0.2
0.8
- 0.4
0.4
- 0.6
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
- 0.8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
T
J
- 结温（ ° C）
导通电阻与结温
阈值电压变化过温
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S11-0183 -REV 。男， 07 -FEB- 11
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2N7002E
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
40
1.0
V
DS
= 30
V
I
D
= 0.25 A
0.8
32
- 电容（pF ）
C
国际空间站
24
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
C
RSS
20
25
0.6
16
C
OSS
8
0.4
0.2
0
0
5
10
15
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
2
栅极电荷
1
I
S
- 源电流（ A）
T
J
=
85
°C
25 °C
- 55 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?70860.
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4
文档编号： 70860
S11-0183 -REV 。男， 07 -FEB- 11
包装信息
Vishay Siliconix公司
SOT- 23 （ TO- 236 ） ： 3引脚
b
3
E
1
1
2
E
S
e
1
e
D
0.10 mm
A
A
2
0.004"
座位
飞机
A
1
C
L
L
1
C
C
q
0.25 mm
压力表飞机
座位
飞机
暗淡
A
A
1
A
2
b
c
D
E
E
1
e
e
1
L
L
1
S
q
ECN ： S- 03946 -REV 。 K， 09 -JUL- 01
DWG ： 5479
MILLIMETERS
民
0.89
0.01
0.88
0.35
0.085
2.80
2.10
1.20
0.95 BSC
1.90 BSC
0.40
0.64 REF
0.50参考
3°
8°
3°
0.60
0.016
英寸
最大
1.12
0.10
1.02
0.50
0.18
3.04
2.64
1.40
民
0.035
0.0004
0.0346
0.014
0.003
0.110
0.083
0.047
0.0374参考
参考0.0748
最大
0.044
0.004
0.040
0.020
0.007
0.120
0.104
0.055
0.024
0.025 REF
0.020 REF
8°
文档编号： 71196
09-Jul-01
www.vishay.com
1
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