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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD2384
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 140V （最小值）
高
直流电流GAIN-
: h
FE
= 5000 （最小值） @I
C
= 6A
.Complement
到类型2SB1555
应用
·设计
对于功率放大器的应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
140
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
140
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流连续
7
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
0.1
A
P
C
100
W
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD2384
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50毫安;我
B
= 0
140
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ;我
B
= 6毫安
B
2.5
V
V
BE （
on
)
基射极电压上
I
C
= 6A ; V
CE
= 5V
3.0
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 140V ;我
E
=0
5
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
5
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 6A ; V
CE
= 5V
5000
30000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 10A ; V
CE
= 5V
2000
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
90
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
30
兆赫
h
FE-1
分类
A
5000-12000
B
9000-18000
C
15000-30000
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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