JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6486 2N6487 2N6488
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6486 2N6487 2N6488
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
民
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
民
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
民
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
（兆赫）
民
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
安森美半导体
)
NPN
互补硅塑料
功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器的使用和开关
应用程序。
2N6487
2N6488 *
2N6490
2N6491*
·安森美半导体首选设备
PNP
直流电流增益指定为15安培 -
的hFE = 20-150 @ IC = 5.0 ADC
= 5.0 （最小） @ IC = 15 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - 2N6487 ， 2N6490
= 80伏直流（最小值） - 2N6488 ， 2N6491
高电流增益 - 带宽积
FT = 5.0兆赫（最小值） @ IC = 1.0 ADC
TO- 220AB封装紧凑
15安培
补充
硅
功率晶体管
60-80伏
75瓦
最大额定值（ 1 ）
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
PD
2N6487
2N6490
60
70
2N6488
2N6491
80
90
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
5.0
15
5.0
连续集电极电流 -
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
75
0.6
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
_C
1.8
0.014
TJ ， TSTG
-65到+150
4
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
70
单位
热阻，结到外壳
1.67
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 10牧师
出版订单号：
2N6487/D
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
TA TC
4.0 80
PD ，功耗（瓦）
3.0
60
TC
2.0
40
TA
1.0
20
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TC ，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
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2
小信号电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0伏， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
（2）的fT = | HFE |
FTEST 。
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
开关特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0伏， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 15 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 0.5 ADC ）
（ IC = 15 ADC ， IB = 5.0 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 15 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 65伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 85伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 200 MADC ， VBE = 1.5伏）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 200 MADC ， IB = 0 ）
特征
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
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2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
VCEX
ICEO
IEBO
ICEX
的hFE
的hFE
fT
民
5.0
20
5.0
25
70
90
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
150
—
500
500
5.0
5.0
1.3
3.5
1.3
3.5
1.0
1.0
1.0
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
—
—
3
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
VCC
+ 30 V
25
s
+ 10 V
0
- 10 V
TR ， TF
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
RB
D1
-4V
RC
范围
T， TIME （ NS ）
1000
500
200
100
50
20
NPN
PNP
TD @ VBE （关闭）
[
5.0 V
tr
RB和RC变化，以获得所需的电流水平。
适用于PNP ，翻转所有的极性。
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
[
百毫安
MSD6100下使用IB
[
百毫安
TC = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
10
0.5
0.2
2.0
1.0
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
20
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.67 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
5.0
10
20
50
100
200
500 1.0 k
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
吨，时间（ ms）的
图4.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
100
s
500
s
1.0毫秒
TJ = 150℃
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
曲线适用于低于额定VCEO
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2.0
5.0毫秒
dc
4.0
40 60
10
20
80
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
一个晶体管平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
v
150℃。 T J （ pk）的可从数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过二次击穿所施加的限制
图5.活动区安全工作区
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4
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
5000
1000
700
ts
1000
T， TIME （ NS ）
500
200
100
50
0.2
0.5
tf
NPN
PNP
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
1.0
2.0
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
20
C，电容（pF ）
300
200
兴业银行
COB
COB
100
70
50
0.5
NPN
PNP
TJ = 25°C
1.0
2.0
5.0
10
20
VR ，反向电压（伏）
50
图6.开启，关闭时间
图7的电容
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5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6486 2N6487 2N6488
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6486 2N6487 2N6488
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
标准
可选
功率晶体管
TO- 220 CASE
TO-220
型号
IC
(A)
最大
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
2N6040
2N6041
2N6042
10
10
10
10
10
16
2N6124
2N6125
2N6126
2N6132
2N6133
2N6134
2N6111
2N6109
2N6107
2N6666
2N6667
2N6668
2N6475
2N6476
2N6489
2N6490
2N6491
4.0
4.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
8.0
10
10
4.0
4.0
15
15
15
PD
(W)
36
36
36
50
50
50
50
75
75
75
75
75
75
40
40
40
50
50
50
40
40
40
65
65
65
40
40
75
75
75
BVCBO BVCEO
(V)
民
80
60
80
60
75
60
90
60
80
100
70
80
45
45
60
80
40
60
80
40
60
80
40
60
80
110
130
50
70
90
(V)
民
70
40
60
40
55
40
70
60
80
100
60
70
40
45
60
80
40
60
80
30
50
70
40
60
80
100
120
40
60
80
民
30
30
20
20
20
20
20
1,000
1,000
1,000
20
20
15
25
25
20
20
20
20
30
30
30
1,000
1,000
1,000
15
15
20
20
20
的hFE
最大
120
120
80
100
100
100
100
20,000
20,000
20,000
80
80
80
100
100
80
100
100
100
150
150
150
20,000
20,000
20,000
150
150
150
150
150
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
3.0
4.0
5.0
8.0
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
TO- 220FP全白
fT
（兆赫）
民
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.0
4.0
4.0
20
20
20
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
(V)
最大
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
1.4
1.4
1.8
3.5
3.5
3.5
2.0
2.0
2.0
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
(A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
35
4.0
4.0
3.0
10
10
16
1.5
1.5
1.5
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
7.0
3.0
5.0
5.0
1.5
1.5
5.0
5.0
5.0
NPN
2N5294
2N5296
2N5298
2N5490
2N5492
2N5494
2N5496
2N6043
2N6044
2N6045
2N6099
2N6101
2N6103
2N6121
2N6122
2N6123
2N6129
2N6130
2N6131
2N6288
2N6290
2N6292
2N6386
2N6387
2N6388
2N6473
2N6474
2N6486
2N6487
2N6488
PNP
92
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
可在TO- 220FP全乐要求。
安森美半导体
)
NPN
互补硅塑料
功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器的使用和开关
应用程序。
2N6487
2N6488 *
2N6490
2N6491*
·安森美半导体首选设备
PNP
直流电流增益指定为15安培 -
的hFE = 20-150 @ IC = 5.0 ADC
= 5.0 （最小） @ IC = 15 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - 2N6487 ， 2N6490
= 80伏直流（最小值） - 2N6488 ， 2N6491
高电流增益 - 带宽积
FT = 5.0兆赫（最小值） @ IC = 1.0 ADC
TO- 220AB封装紧凑
15安培
补充
硅
功率晶体管
60-80伏
75瓦
最大额定值（ 1 ）
等级
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
PD
2N6487
2N6490
60
70
2N6488
2N6491
80
90
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
5.0
15
5.0
连续集电极电流 -
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
75
0.6
瓦
W / ℃，
瓦
W / ℃，
_C
1.8
0.014
TJ ， TSTG
-65到+150
4
1
2
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
3
CASE 221A -09
TO–220AB
热特性
特征
符号
R
θJC
R
θJA
最大
70
单位
热阻，结到外壳
1.67
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 10牧师
出版订单号：
2N6487/D
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
TA TC
4.0 80
PD ，功耗（瓦）
3.0
60
TC
2.0
40
TA
1.0
20
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TC ，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
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2
小信号电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0伏， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
（2）的fT = | HFE |
FTEST 。
*电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
开关特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0伏， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 15 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 5.0 ADC ， IB = 0.5 ADC ）
（ IC = 15 ADC ， IB = 5.0 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 15 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 65伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 85伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏）
（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）
（ VCE = 80伏直流电， VEB （关闭） = 1.5伏， TC = 150_C ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 200 MADC ， VBE = 1.5伏）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 200 MADC ， IB = 0 ）
特征
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
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2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
VCEX
ICEO
IEBO
ICEX
的hFE
的hFE
fT
民
5.0
20
5.0
25
70
90
60
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
150
—
500
500
5.0
5.0
1.3
3.5
1.3
3.5
1.0
1.0
1.0
—
—
—
—
—
MADC
MADC
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
—
—
3
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
VCC
+ 30 V
25
s
+ 10 V
0
- 10 V
TR ， TF
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
RB
D1
-4V
RC
范围
T， TIME （ NS ）
1000
500
200
100
50
20
NPN
PNP
TD @ VBE （关闭）
[
5.0 V
tr
RB和RC变化，以获得所需的电流水平。
适用于PNP ，翻转所有的极性。
D1必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用IB
[
百毫安
MSD6100下使用IB
[
百毫安
TC = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
10
0.5
0.2
2.0
1.0
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
20
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.67 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
5.0
10
20
50
100
200
500 1.0 k
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
吨，时间（ ms）的
图4.热响应
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
100
s
500
s
1.0毫秒
TJ = 150℃
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
限热@ TC = 25°C
曲线适用于低于额定VCEO
2N6487, 2N6490
2N6488, 2N6491
2.0
5.0毫秒
dc
4.0
40 60
10
20
80
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
有对的功率处理能力两方面的局限性
一个晶体管平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T J （峰） = 150_C ; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
v
150℃。 T J （ pk）的可从数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过二次击穿所施加的限制
图5.活动区安全工作区
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4
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
5000
1000
700
ts
1000
T， TIME （ NS ）
500
200
100
50
0.2
0.5
tf
NPN
PNP
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
1.0
2.0
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
20
C，电容（pF ）
300
200
兴业银行
COB
COB
100
70
50
0.5
NPN
PNP
TJ = 25°C
1.0
2.0
5.0
10
20
VR ，反向电压（伏）
50
图6.开启，关闭时间
图7的电容
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5
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