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2SD2247
NPN硅外延
应用
低频放大器
概要
TO-92 (1)
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
2SD2247
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
TSTG
评级
55
50
5
100
–100
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
55
50
5
100
典型值
0.67
1.8
最大
0.5
0.5
320
0.2
0.75
100
3.5
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 40 V,I
E
= 0
V
EB
= 4 V,I
C
= 0
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意:
GRADE
h
FE
B
100至200
C
160到320
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
1. 2SD2247用h分组
FE
如下。
2
2SD2247
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
( mW)的
300
集电极电流I
C
(MA )
100
典型的输出特性
P
C
= 0.2 W
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
80
200
60
40
0.3
0.2
100
20
0.1毫安
I
B
= 0
TA = 25°C
0
50
100
环境温度Ta (C )
150
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
1,000
直流电流传输比H
FE
2.0
1.0
0.5
饱和电压与集电极电流
V
BE ( SAT )
300
25°C
TA = -25°C
0.2
0.1
0.05
75°C
I
C
= 10 I
B
V
CE ( SAT )
100
–25°C
25°C
TA = 75℃
30
V
CE
= 12 V
10
1
3
10
30
集电极电流I
C
(MA )
100
TA = 75℃
25°C
–25°C
0.02
1
3
10
30
集电极电流I
C
(MA )
100
3
2SD2247
典型的传输特性
100
集电极电流I
C
(MA )
TA = 75℃
80
25°C
–25°C
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
300
增益带宽积
与集电极电流
100
60
30
40
10
V
CE
= 12 V
TA = 25°C
3
1
3
10
30
集电极电流I
C
(MA )
100
20
V
CE
= 12 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
(PF )
10
3
1.0
0.3
0.1
1
F = 1 MHz的
I
E
= 0
TA = 25°C
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
4
单位:mm
4.8
±
0.3
3.8
±
0.3
2.3最大
0.5
±
0.1
0.7
0.60 MAX
12.7分
5.0
±
0.2
0.5
1.27
2.54
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量(参考值)
TO-92 (1)
符合
符合
0.25 g
我们所有的客户
关于文件中提到的名字,如日立的变化
电气与日立XX ,瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM (闪速存储器,静态存储器等)等
因此,虽然日立,日立制作所,日立半导体,和其他日立牌
名称被提到的文件中,这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标,标识和
企业声明,没有改变任何已对文档的内容,并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页: http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计!
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的,但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害,火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的
例如(i )替代的布置,辅助电路,(ⅱ)使用不易燃的材料或措施
(三)预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可,属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责,或侵权
第三方的权利,对原产于使用任何产品数据,图,表,程序,算法,或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息,并
受瑞萨科技公司,恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此,建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前,这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着,包括瑞萨科技半导体首页
( http://www.renesas.com ) 。
4.当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图形或所有信息,
图表,程序和算法,请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失,责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中,人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的,例如装置或使用时
系统运输,车辆,医疗,航空航天,核能,或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制,它们必须是
日本政府根据许可证出口,不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SD2247
NPN硅外延
ADE - 208-1166 ( Z)
1日。版
2001年3月
应用
低频放大器
概要
TO-92 (1)
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
2SD2247
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
TSTG
评级
55
50
5
100
–100
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
55
50
5
100
典型值
0.67
1.8
最大
0.5
0.5
320
0.2
0.75
100
3.5
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 40 V,I
E
= 0
V
EB
= 4 V,I
C
= 0
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意:
GRADE
h
FE
B
100至200
C
160到320
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
1. 2SD2247用h分组
FE
如下。
2SD2247
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
( mW)的
300
集电极电流I
C
(MA )
100
典型的输出特性
P
C
= 0.2 W
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
80
200
60
40
0.3
0.2
100
20
0.1毫安
I
B
= 0
TA = 25°C
0
50
100
环境温度Ta (C )
150
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
1,000
直流电流传输比H
FE
2.0
1.0
0.5
饱和电压与集电极电流
V
BE ( SAT )
300
25°C
TA = -25°C
0.2
0.1
0.05
75°C
I
C
= 10 I
B
V
CE ( SAT )
100
–25°C
25°C
TA = 75℃
30
V
CE
= 12 V
10
1
3
10
30
集电极电流I
C
(MA )
100
TA = 75℃
25°C
–25°C
0.02
1
3
10
30
集电极电流I
C
(MA )
100
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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