【SavantIC半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2SD1267 2SD12】,IC型号2SD1267A,2SD1267A PDF资料,2SD1267A经销商,ic,电子元器件-51电子网

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1267 2SD1267A

描述

·采用TO- 220Fa包

·高正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

·低集电极饱和电压

·补键入2SB942 / 942A

应用

·对于功率放大

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

参数

2SD1267

集电极 - 基极电压

2SD1267A

2SD1267

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

P

C

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

2SD1267A

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

a

=25

T

C

=25

集电极开路

开基

80

5

4

8

2

W

40

150

-55~150

V

A

发射极开路

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2SD1267

I

C

= 30mA时我

B

=0

2SD1267A

I

C

= 4A ，我

B

=0.4A

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

V

EB

= 5V ;我

C

=0

2SD1267

2SD1267A

2SD1267

2SD1267A

V

CE

= 30V ;我

B

=0

条件

符号

2SD1267 2SD1267A

民

60

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

V

80

1.5

2.0

1.0

V

mA

V

CESAT

V

BE

I

EBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

发射极截止电流

集热器

截止电流

I

首席执行官

0.7

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

=60V; V

BE

=0

0.4

V

CE

=80V; V

BE

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=4V

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=5V,f=1MHz

70

15

20

250

mA

I

CES

集热器

截止电流

mA

h

FE-1

h

FE-2

f

T

直流电流增益

跃迁频率

兆赫

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=4A;I

B1

=-I

B2

=0.4A

V

CC

=50V

0.4

1.5

0.5

s

h

FE-1

分类

Q

70-150

P

120-250

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD1267 2SD1267A

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1267 2SD1267A

4

功率晶体管

2SB942 ， 2SB942A

PNP硅外延平面型

对于低频功率放大

补充2SD1267和2SD1267A

单位：mm

0.7±0.1

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

φ3.1±0.1

1.4±0.1

1.3±0.2

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

5.08±0.5

1

2

3

4.2±0.2

s

特点

q

7.5±0.2

浸焊

4.0

14.0±0.5

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SB942

2SB942A

2SB942

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

(T

C

=25C)

评级

–60

–80

–60

–80

–5

–8

–4

40

2

150

-55到+150

单位

V

发射极电压2SB942A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

A

W

C

16.7±0.3

高正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SB942

2SB942A

2SB942

2SB942A

2SB942

2SB942A

(T

C

=25C)

符号

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1*

h

FE2

V

BE

V

CE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

I

C

= -4A ，我

B1

= - 0.4A ，我

B2

= 0.4A

条件

V

CE

= –60V, V

BE

= 0

V

CE

= –80V, V

BE

= 0

V

CE

= -30V ，我

B

= 0

V

CE

= -60V ，我

B

= 0

V

EB

= -5V ，我

C

= 0

I

C

= -30mA ，我

B

= 0

V

CE

= -4V ，我

C

= –1A

V

CE

= -4V ，我

C

= –3A

V

CE

= -4V ，我

C

= –3A

I

C

= -4A ，我

B

= – 0.4A

V

CE

= -10V ，我

C

= - 0.1A ， F = 10MHz时

30

0.2

0.5

0.2

–60

–80

70

15

–2

–1.5

V

兆赫

s

250

民

典型值

最大

–400

–700

–1

单位

A

mA

V

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE1

等级分类

Q

70至150

P

120至250

注：订货可以通过共同的秩进行PQ（秩

FE1

= 70 250）中的

等级分类。

秩

h

FE1

1

功率晶体管

P

C

- TA

50

–6

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2W)

I

B

=–120mA

–5

T

C

=25C

2SB942 ， 2SB942A

I

C

— V

CE

–10

V

CE

=–4V

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

–100mA

–80mA

集电极电流I

C

(A)

–4

集电极电流I

C

(A)

40

–8

30

–60mA

–6

25C

T

C

=100C

–25C

–3

(1)

20

–40mA

–20mA

–10mA

–4

–2

10

(3)

(4)

0

20

40

60

(2)

–1

–8mA

–5mA

–2

0

80 100 120 140 160

0

–2

–4

–6

–8

–10

–12

0

– 0.4

– 0.8

–1.2

–1.6

–2.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–100

I

C

/I

B

=10

–30

–10

–3

–1

25C

T

C

=100C

–25C

10000

h

FE

— I

C

10000

V

CE

=–4V

3000

1000

300

100

30

10

3

f

T

— I

C

V

CE

=–5V

f=10MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

1000

25C

300

100

30

10

3

1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

T

C

=100C

–25C

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

过渡频率f

T

（兆赫）

–1

–3

–10

3000

–1

–3

–10

1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

–100

–30

10

3

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

(1)

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

2

–10

–3

–1

I

CP

I

C

t=1ms

10ms

DC

10

(2)

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

–1

1

2SB942A

10

–1

2SB942

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

功率晶体管

2SD1267 ， 2SD1267A

硅NPN三重扩散平面型

进行功率放大

补充2SB942和2SB942A

单位：mm

0.7±0.1

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

φ3.1±0.1

1.4±0.1

1.3±0.2

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

5.08±0.5

1

2

3

4.2±0.2

s

特点

q

7.5±0.2

浸焊

4.0

14.0±0.5

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SD1267

2SD1267A

2SD1267

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

(T

C

=25C)

评级

60

80

60

80

5

8

4

40

2

150

-55到+150

单位

V

发射极电压2SD1267A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

A

W

C

16.7±0.3

高正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SD1267

2SD1267A

2SD1267

2SD1267A

2SD1267

2SD1267A

(T

C

=25C)

符号

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1*

h

FE2

V

BE

V

CE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CB

= 60V, V

BE

= 0

V

CB

= 80V, V

BE

= 0

V

CE

= 30V ，我

B

= 0

V

CE

= 60V ，我

B

= 0

V

EB

= 5V ，我

C

= 0

I

C

= 30mA时我

B

= 0

V

CE

= 4V ，我

C

= 1A

V

CE

= 4V ，我

C

= 3A

V

CE

= 4V ，我

C

= 3A

I

C

= 4A ，我

B

= 0.4A

V

CE

= 5V ，我

C

= 0.5A ， F = 1MHz的

I

C

= 4A ，我

B1

= 0.4A ，我

B2

= – 0.4A,

V

CC

= 50V

20

0.4

1.2

0.5

60

80

70

15

2

1.5

V

兆赫

s

250

民

典型值

最大

400

700

1

单位

A

mA

V

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE1

等级分类

Q

70至150

P

120至250

秩

h

FE1

1

功率晶体管

P

C

- TA

50

6

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2W)

T

C

=25C

5

I

B

=150mA

2SD1267 ， 2SD1267A

I

C

— V

CE

8

V

CE

=4V

7

25C

T

C

=100C

–25C

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

20

40

(1)

100mA

4

80mA

60mA

3

40mA

30mA

2

20mA

10mA

1

5mA

0

6

5

4

3

2

1

0

30

20

10

(2)

(3)

(4)

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

4

8

12

16

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

I

C

/I

B

=10

30

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

T

C

=100C

10000

h

FE

— I

C

10000

V

CE

=4V

3000

1000

300

100

30

10

3

1

0.01 0.03

f

T

— I

C

V

CE

=10V

f=1MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

1000

300

100

–25C

30

10

3

1

0.01 0.03

25C

T

C

=100C

25C

–25C

0.1

0.3

1

3

10

0.1

0.3

1

3

10

过渡频率f

T

（兆赫）

3000

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

30

10

3

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

(1)

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10 I

CP

3 I

C

1

0.3

0.1

0.03

0.01

1

3

10

30

10ms

DC

t=1ms

10

2

10

(2)

1

2SD1267A

2SD1267

10

–1

100

300

1000

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1267 2SD1267A

描述

·带

TO- 220Fa包

高

正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2SB942 / 942A

应用

For

功率放大

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SD1267

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SD1267A

2SD1267

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1267A

V

EBO

I

C

I

CM

P

C

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25℃

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

40

150

-55~150

℃

集电极开路

开基

80

5

4

8

2

W

V

A

发射极开路

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SD1267

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1267A

V

CESAT

V

BE

I

EBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

发射极截止电流

2SD1267

I

首席执行官

集电极截止电流

2SD1267A

2SD1267

I

CES

集电极截止电流

2SD1267A

h

FE-1

h

FE-2

f

T

直流电流增益

跃迁频率

V

CE

=80V; V

BE

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=4V

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

=60V; V

BE

=0

I

C

= 4A ，我

B

=0.4A

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

V

EB

= 5V ;我

C

=0

V

CE

= 30V ;我

B

=0

I

C

= 30mA时我

B

=0

条件

2SD1267 2SD1267A

民

60

典型值。

最大

单位

V

80

1.5

2.0

1.0

V

mA

0.7

mA

0.4

mA

70

15

20

250

I

C

= 0.5A ; V

CE

=5V,f=1MHz

兆赫

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=4A;I

B1

=-I

B2

=0.4A

V

CC

=50V

0.4

1.5

0.5

μs

h

FE-1

分类

Q

70-150

P

120-250

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD1267 2SD1267A

图2外形尺寸（ unindicated公差：

±0.15

mm)

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1267 2SD1267A

4

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1267 2SD1267A

描述

·带

TO- 220Fa包

高

正向电流传输比H

FE

它具有良好的线性度

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2SB942 / 942A

应用

For

功率放大

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

V

CBO

V

首席执行官

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

条件

2SD1267

集电极 - 基极电压

发射极开路

2SD1267A

2SD1267

集电极 - 发射极电压

开基

2SD1267A

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

T

a

=25℃

集电极开路

OR

CT

U

价值

60

V

80

60

V

80

5

4

8

2

W

40

150

-55~150

℃

V

A

单位

V

EBO

I

C

I

CM

P

C

集电极耗散功率

T

C

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SD1267

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1267A

V

CESAT

V

BE

I

EBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

发射极截止电流

2SD1267

I

首席执行官

集电极截止电流

2SD1267A

2SD1267

I

CES

集电极截止电流

2SD1267A

h

FE-1

h

FE-2

f

T

直流电流增益

V

CE

=80V; V

BE

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=4V

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

V

CE

= 60V ;我

B

=0

V

CE

=60V; V

BE

=0

I

C

= 4A ，我

B

=0.4A

I

C

= 3A ; V

CE

=4V

V

EB

= 5V ;我

C

=0

V

CE

= 30V ;我

B

=0

I

C

= 30mA时我

B

=0

条件

2SD1267 2SD1267A

民

60

典型值。

最大

单位

V

80

1.5

2.0

1.0

V

mA

0.7

mA

0.4

mA

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

跃迁频率

I

C

= 0.5A ; V

CE

=5V,f=1MHz

开启时间

贮存时间

I

C

=4A;I

B1

=-I

B2

=0.4A

V

CC

=50V

下降时间

70

15

OR

CT

U

250

20

兆赫

0.4

1.5

0.5

μs

h

FE-1

分类

Q

70-150

P

120-250

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD1267 2SD1267A

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

图2外形尺寸（ unindicated公差：

±0.15

mm)

OR

CT

U

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1267 2SD1267A

导½

半

ND

固电

ICO

SEM

GE

的HAn

INC。

OR

CT

U

4