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晶体管
2SD2240 , 2SD2240A
NPN硅外延平面型
对于高击穿电压的低频率和低噪声
放大器阳离子
1.6±0.15
单位:mm
s
特点
q
q
q
0.4
0.8±0.1
0.4
0.2
–0.05
0.15
–0.05
+0.1
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
低噪声电压NV 。
SS-迷你型封装,设备的小型化使
并通过带包装自动插入。
1.6±0.1
1.0±0.1
0.5
1
0.5
3
2
0.75±0.15
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD2240
2SD2240A
2SD2240
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
符号
0.45±0.1 0.3
(Ta=25C)
评级
150
185
150
185
5
100
50
125
125
–55 ~ +125
单位
V
发射极电压2SD2240A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ :SC- 75
SS-迷你型包装
标记符号:
P
(2SD2240)
L
(2SD2240A)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SD2240
2SD2240A
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
NV
条件
V
CB
= 100V ,我
E
= 0
I
C
= 100μA ,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
I
C
= 30mA时我
B
= 3毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= -10mA , F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安,G
V
= 80分贝
R
g
= 100kΩ的,功能= FLAT
150
2.3
150
150
185
5
130
330
1
V
兆赫
pF
mV
典型值
最大
1
单位
A
V
V
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
*1
h
FE1
等级分类
h
FE
R
130 ~ 220
2SD2240
2SD2240A
PR
LR
S
185 ~ 330
PS
LS
记号
符号
0-0.1
0.2±0.1
+0.1
1
晶体管
P
C
- TA
150
120
Ta=25C
125
100
2SD2240 , 2SD2240A
I
C
— V
CE
120
V
CE
=10V
100
25C
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
( mW)的
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
100
80
75
60
I
B
=2.0mA
1.8mA
1.6mA
1.4mA
1.2mA
1.0mA
0.8mA
0.6mA
0.4mA
Ta=75C
80
–25C
60
50
40
0.2mA
20
40
25
20
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
Ta=75C
25C
–25C
I
C
/I
B
=10
600
h
FE
— I
C
200
V
CE
=10V
f
T
— I
E
V
CB
=10V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
500
过渡频率f
T
(兆赫)
30
100
160
400
120
300
Ta=75C
25C
–25C
80
200
100
40
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
C
ob
— V
CB
5
集电极输出电容C
ob
(PF )
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
4
3
2
1
0
1
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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