订购数量： EN694G
2SB815/2SD1048
双极晶体管
（ - ） 15V， （ - ） 0.7A ，低VCE （饱和），（ PNP）的NPN单CP
特点
http://onsemi.com
超小型封装允许小型化终端产品
大电流能力（ IC = 0.7A ）和低饱和电压
特定网络阳离子
（）： 2SB815
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
条件
评级
(-
-)20
(-
-)15
(--)5
(--)0.7
(--)1.5
200
125
--55到125
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7013A-009
2.9
3
0.1
产品&包装信息
包
： CP
JEITA ， JEDEC
： SC - 59 ， TO- 236 ， SOT -23 ， TO- 236AB
最小包装数量： 3000个/卷。
2SB815-6-TB-E
2SB815-7-TB-E
2SD1048-6-TB-E
2SD1048-7-TB-E
0.5
包装方式： TB
2.5
1.5
1
0.5
0.95
2
0.4
TB
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
CP
0.3
记号
R
A
N
K
R
A
N
K
LOT号
LOT号
LOT号
LOT号
0.05
1.1
B
X–
2SB815
2SD1048
电气连接
3
3
1
1
2SB815
2
2SD1048
2
半导体元件工业有限责任公司， 2013
九月， 2013
O1012 TKIM / 41301 TSIM / 91098 HA （ KT ） / 8258MO / 4017 KI / 2173 KI ， TS No.694-1 / 6
2SB815 / 2SD1048
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE(sat)1
VCE(sat)2
条件
VCB = （ - ） 15V， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 50毫安
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 500毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 50毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 5毫安， IB = （ - ） 0.5毫安
IC = （ - ） 100mA时IB = （ - ） 10毫安
(200*)200*
80
250
(13)8
(-
-15)10
(--60)30
(-
-35)25
(-
-120)80
兆赫
pF
mV
mV
评级
民
典型值
最大
(-
-)0.1
(--)0.1
(600*)900*
单位
μA
μA
*
：本2SB815 / 2SD1048的分类网络版由50毫安hFE参数如下：
秩
的hFE
6
200至400
7
300至600
8
450至900
订购信息
设备
2SB815-6-TB-E
2SB815-7-TB-E
2SD1048-6-TB-E
2SD1048-7-TB-E
包
CP
CP
CP
CP
航运
3,000pcs./reel
3,000pcs./reel
3,000pcs./reel
3,000pcs./reel
无铅
备忘录
No.694-2/6
2SB815 / 2SD1048
压纹带包装特定网络阳离子
2SB815-6 - TB -E ， 2SB815-7 - TB -E ， 2SD1048-6 - TB -E ， 2SD1048-7 - TB -E
No.694-4/6
2SB815 / 2SD1048
外形绘图
盘图形示例
2SB815-6 - TB -E ， 2SB815-7 - TB -E ， 2SD1048-6 - TB -E ， 2SD1048-7 - TB -E
质量（g ）单位
0.013 mm
*仅供参考
单位：mm
0.8
1.0
2.4
0.95
0.95
No.694-5/6
QQ：2880707522 复制
