【INCHANGE半导体ISC产品speci fi cationISC硅NPN功率晶体管2SD2107】,IC型号2SD2107,2SD2107 PDF资料,2SD2107经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

2SD2107

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 60V （最小值）

ULOW

集电极饱和电压

应用

·设计

低频功率放大器的应用。

绝对最大额定值（T

=25

℃)

符号

参数

价值

单位

CBO

集电极 - 基极电压

首席执行官

集电极 - 发射极电压

EBO

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

集电极耗散功率

@ T

=25℃

集电极耗散功率

@ T

=25℃

结温

150

℃

英镑

存储温度范围

-55~150

℃

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

2SD2107

典型值。

最大

单位

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

= 50毫安;

∞

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

= 10μA ;我

= 0

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

= 10μA ;我

= 0

CE（

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压

= 2A ;我

= 0.2A

1.0

BE （

SAT

)

基射极饱和电压

= 2A ;我

= 0.2A

1.2

BE （

)

CBO

基射极电压上

= 1A ; V

= 4V

1.0

μA

收藏家Cuto FF电流

= 60V ;我

= 0

= 60V ;

∞

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

μA

FE-1

直流电流增益

= 1A ; V

= 4V

200

FE-2

直流电流增益

= 0.1A ; V

= 4V

FE-1

分类

60-120

100-200

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2SD2107

硅NPN三重扩散

应用

低频功率放大器

概要

TO-220FM

1.基地

2.收集

3.辐射源

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C.

TSTG

等级

150

-55到+150

°C

单位

2SD2107

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

（ BR ） CBO

民

—

典型值

—

1.0

1.2

最大

—

200

单位

测试条件

= 10

= 0

= 50毫安，R

∞

= 10

= 0

= 60 V，I

= 0

= 50 V ，R

∞

= 4 V，I

= 1 A*

= 4 V，I

= 0.1 A*

= 4 V，I

= 1 A*

= 2 A，I

= 0.2 A*

= 2 A，I

= 0.2 A*

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

（ BR ） EBO

CBO

首席执行官

直流电流传输比

FE1

FE2

基地发射极电压

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

注：1.脉冲测试。

2. 2SD2107用h分组

FE1

如下。

60至120

100至200

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

(W)

集电极电流I

(A)

典型的输出特性

= 25°C

10毫安

100

案例温度T

(°C)

150

集电极到发射极电压V

(V)

2SD2107

直流电流传输比主场迎战集电极电流

1,000

直流电流传输比H

500

= 75°C

200

100

0.01 0.02

25°C

–25°C

= 4 V

0.5 1.0

0.05 0.1 0.2

集电极电流I

(A)

饱和电压与集电极电流

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

BE （ SAT ）

1.0

0.3

（ SA

= 25°C

= 10

0.1

0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0 2

集电极电流I

(A)

2SD2107

瞬态热阻

热阻

J-

（ ° C / W）

= 25°C

1.0

0.3

0.1

10m

100m

1.0

100

1000

时间t （S ）

10.0

0.3

7.0

0.3

3.2

0.2

2.8

0.2

2.5

0.2

单位：mm

0.6

5.0

0.3

2.0

0.3

1.2

0.2

1.4

0.2

12.0

0.3

4.45

0.3

2.5

14.0

1.0

0.5

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO-220FM

—

符合

1.8 g

0.7

0.1

2.54

0.5

2.54

0.5

17.0

0.3

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如日立的变化

电气与日立XX ，瑞萨科技公司

三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌

名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨

科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和

企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且

这些变化不构成任何改动文件本身的内容。

瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

注意事项

保持安全第一在你的电路设计！

1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好

和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦

半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的

例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施

（三）预防对任何故障或事故。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择

科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何

在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技

公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并

受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或

其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司

或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息

在购买之前，这里所列的产品。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任

从这些不准确或错误上升。

另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息

意味着，包括瑞萨科技半导体首页

（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技

公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任

此处包含的信息。

5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用

或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系

瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时

系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现

全部或部分这些物料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家

超过批准的目的地。

任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例

被禁止的目的国。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息

包含在其中。

2SD2107

硅NPN三重扩散

ADE - 208-923 （ Z）

1日。版

2000年9月

应用

低频功率放大器

概要

TO-220FM

1.基地

2.收集

3.辐射源

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C.

TSTG

等级

150

-55到+150

°C

单位

2SD2107

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

（ BR ） CBO

民

—

典型值

—

1.0

1.2

最大

—

200

单位

测试条件

= 10

= 0

= 50毫安，R

∞

= 10

= 0

= 60 V，I

= 0

= 50 V ，R

∞

= 4 V，I

= 1 A*

= 4 V，I

= 0.1 A*

= 4 V，I

= 1 A*

= 2 A，I

= 0.2 A*

= 2 A，I

= 0.2 A*

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

（ BR ） EBO

CBO

首席执行官

直流电流传输比

FE1

FE2

基地发射极电压

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

注：1.脉冲测试。

2. 2SD2107用h分组

FE1

如下。

60至120

100至200

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

(W)

集电极电流I

(A)

典型的输出特性

= 25°C

10毫安

100

案例温度T

(°C)

150

集电极到发射极电压V

(V)

2SD2107

直流电流传输比主场迎战集电极电流

1,000

直流电流传输比H

500

= 75°C

200

100

0.01 0.02

25°C

–25°C

= 4 V

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

集电极电流I

(A)

饱和电压与集电极电流

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

BE （ SAT ）

1.0

（ SA

0.3

= 25°C

= 10

0.1

0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0 2

集电极电流I

(A)