N沟道增强
MODE POWER MOSFET
2N6661
VDSS = 90V ， ID = 0.9A ， RDS （ ON ） = 4.0Ω
快速开关
低阈值电压（逻辑电平）
低CISS
积分源极 - 漏极体二极管
全封闭金属TO39封装
提供高可靠性筛选选项
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C除非另有说明）
VDS
VGS
ID
IDM
PD
PD
TJ
TSTG
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
(1)
在总功率耗散
在总功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
TC = 25°C
TC
≤
25°C
德率TC > 25℃
TA
≤
25°C
去速率TA > 25℃
90V
±20V
0.9A
3.0A
5W
40mW/°C
725mW
5.8mW/°C
-55到+ 150°C
-65到+ 150°C
热性能
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
分钟。
典型值。
马克斯。
25
172
单位
° C / W
° C / W
笔记
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
（2 ）脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab有限公司
考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
电话：+44（ 0 ） 1455 556565
传真：+44（ 0 ） 1455 552612
电子邮件：
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文档编号3092
问题5
第1页3
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N沟道增强
MODE POWER MOSFET
2N6661
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明）
符号
BVDSS
参数
漏源击穿
电压
测试条件
VGS = 0
VDS = VGS
ID = 1.0μA
ID = 1.0毫安
TC = 125°C
TC = -55°C
分钟。
90
0.8
0.3
典型值。
马克斯。
单位
V
2.0
V
2.5
±100
±500
1.0
100
A
A
5.3
4.0
7.5
1.6
4.0
7.5
V
nA
VGS （ TH）
栅极阈值电压
IGSS
栅极 - 源极漏电流
零栅极电压
漏电流
通态漏电流
静态漏源
导通状态电阻
VGS = ± 20V
VDS = 0V
TC = 125°C
IDSS
ID （上）
(2)
(2)
VDS = 72V
VGS = 0
TC = 125°C
VDS = 10V
VGS = 5V
VGS = 10V
ID = 0.3A
ID = 1.0A
TC = 125°C
1.5
RDS （ ON）
VGS = 10V
VGS = 5V
VDS （上）
(2)
(2)
ID = 0.3A
ID = 1.0A
TC = 125°C
静态漏源
通态电压
正向跨导
体二极管正向电压
体二极管反向恢复
VGS = 10V
政府飞行服务队
VDS = 7.5V
VGS = 0
VGS = 0
ID = 0.475A
IS = 0.86A
IS = 1.0A
170
0.7
350
1.4
m
V
ns
VSD
TRR
(2)
(2)
动态特性
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
TD （关闭）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
VGS = 0
VDS = 25V
F = 1.0MHz的
VDD = 25V
ID = 1.0A
RG = 50Ω
50
40
10
10
ns
10
pF
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问题5
分页： 1 2 3
N沟道增强
MODE POWER MOSFET
2N6661
机械数据
尺寸mm （英寸）
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
5.08 (0.200)
典型值。
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
3
45°
TO39封装（ TO- 205AD ）
引脚1 - 来源
PIN 2 - GATE
引脚3 /凯斯 - 漏
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问题5
第3页3
2N6661 ， 2N6661-2 ， 2N6661JANTX ， 2N6661JANTXV
www.vishay.com
Vishay Siliconix公司
N沟道90 V（ D- S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 10 V
CON组fi guration
90
4
单身
特点
军用合格
3
D
TO-205AD
(TO-39)
低导通抗争： 3.6
低阈值： 1.6 V
低输入电容： 35 pF的
开关速度快： 6纳秒
低输入和输出泄漏
保证可靠性
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
好处
S
1
2
G
应用
高可靠性系统
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
驱动程序：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，
回忆，晶体管等。
电池供电系统
固态继电器
顶视图
订购信息
部分
2N6661
2N6661-2
2N6661JANTX
TO-205AD
(TO-39)
包
描述/ DSCC
产品型号
广告
商业，铅（Pb ） - 免费
www.vishay.com/doc?67884
见-2流程文档
JANTX2N6661 （ STD金引线）
JANTX2N6661 （焊锡）
JANTX2N6661P （与PIND ）
2N6661JANTXV
JANTXV2N6661 （ STD金引线）
JANTXV2N6661P （与PIND ）
VISHAY订购
产品型号
2N6661
2N6661-E3
2N6661-2
2N6661JTX02
2N6661JTXL02
2N6661JTXP02
2N6661JTXV02
2N6661JTVP02
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
a
最大功率耗散
热阻，结到环境
b
热阻，结到外壳
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。无军事上的规范。
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
极限
90
± 20
0.86
0.54
3
6.25
0.725
170
20
- 55 150
W
° C / W
°C
A
单位
V
S11-1542 -REV 。 D， 01 - 8 - 11
1
文档编号： 70225
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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Vishay Siliconix公司
范围
特定网络阳离子
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
V
DS
V
GS （ TH）
V
DS
= 0 V，I
D
= 10 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
T
A
= - 55 °C
T
A
= 125 °C
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏 - 源电容
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
= 25 V ，R
L
= 23
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 23
-
-
6
8
10
10
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
ds
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
35
15
2
30
50
40
10
-
pF
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 0 V
T
A
= 125 °C
V
DS
= 72 V
T
A
= 125 °C
V
DS
= 10 V
I
D
= 0.3 A
I
D
= 1 A
T
A
= 125 °C
d
I
S
= 0.86 A
90
0.8
-
0.3
-
-
-
-
-
-
-
-
170
0.7
125
1.6
1.8
1.3
-
-
-
-
1.8
3.8
3.6
6.7
340
0.9
-
2
2.5
-
± 100
± 500
1
100
-
5.3
4
7.5
-
1.4
mS
V
nA
μA
mA
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
b
马克斯。
单位
V
DS
= 7.5 V，I
D
= 0.475 A
V
GS
= 0 V
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
300占空比
2 %.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
。该参数不符合JEDEC注册。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
S11-1542 -REV 。 D， 01 - 8 - 11
2
文档编号： 70225
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
1.0
V
GS
= 10 V
6V
0.8
Vishay Siliconix公司
100
V
GS
= 3 V
2.8 V
2.6 V
80
I
D
- 漏电流（mA ）
5V
I
D
- 漏电流（ A）
0.6
4V
0.4
60
2.4 V
40
2.2 V
20
3V
0.2
2V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
2.0 V
1.8 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
欧姆地域特征
0.5
125 °C
0.4
I
D
- 漏电流（ A）
T
J
= - 55 °C
25 °C
0.3
V
DS
= 15 V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
6
5
4
3
2
1
7
输出特性为低栅极驱动
0.5 A
I
D
= 0.1 A
1.0 A
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
传输特性
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（标准化）
导通电阻与栅极至源极电压
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
- 50
- 10
30
70
110
150
T
J
- 结温（ ° C）
V
GS
= 10 V
10
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
8
6
V
GS
= 10 V
4
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
D
- 漏电流（ A）
导通电阻与漏电流
归一化的导通电阻
- 结温
S11-1542 -REV 。 D， 01 - 8 - 11
3
文档编号： 70225
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
10
V
GS
= 5 V
Vishay Siliconix公司
125
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
I
D
- 漏电流（mA ）
1
T
J
= 150 °C
- 电容（pF ）
75
50
C
国际空间站
25
C
OSS
C
RSS
0
0.1
125 °C
25 °C
- 55 °C
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
10
20
30
40
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
50
阈值区域
15.0
I
D
= 1.0 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
100
电容
V
DD
= 25 V
R
L
= 23
Ω
V
GS
= 0 V至10 V
I
D
= 1.0 A
10.0
V
DS
= 45 V
7.5
72 V
5.0
10
t
D（关闭）
t
r
t
D（上）
t
f
2.5
0
0
100
200
300
400
500
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
1
0.1
I
D
- 漏电流（ A）
1
2
栅极电荷
1.0
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
负载条件影响的开关
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJC
= 20℃ / W的
3. T
JM
- T
C
= P
DM
Z
thJC （T ）
0.01
0.1
1.0
10
10 0
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?70225.
S11-1542 -REV 。 D， 01 - 8 - 11
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包装信息
Vishay Siliconix公司
TO- 205AD （ TO- 39 TALL LID ）
CD
英寸
暗淡
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L1
L2
P
Q
r
TL
TW
m
民
0.305
0.240
0.335
0.016
0.500
0.016
—
0.250
0.100
—
—
0.029
0.028
MILLIMETERS
民
7.75
6.10
8.51
5.08 TP
0.41
12.70
0.41
—
6.35
2.54
—
—
0.74
0.71
45 ° TP
0.53
19.05
0.48
1.27
—
—
1.27
0.25
1.14
0.86
最大
0.335
0.260
0.370
0.021
0.750
0.019
0.050
—
—
0.050
0.010
0.045
0.034
最大
8.51
6.60
9.40
笔记
Q
P
CH
0.200 TP
6
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
7, 8
5
4
9
3
2
6
L1
LU
L2
LL
座位
飞机
45 ° TP
外形尺寸（见注1 ， 2 ， 9 ， 11 ， 12 ）
ECN ： S- 40373 -REV 。 C， 15 -MAR -04
DWG ： 5511
LD
注意事项：
1.尺寸以英寸。度量等价物给出了一般
仅供参考。
2.
3.
∝
1
2
4.
5.
C
L
TW
r
TL
LC
6.
除了半径（r ）最大， TW应当承担的0.011的最小长度
(0.028 mm).
TL尺寸从最大的高清测量。
大纲在这个区域不被控制。
维光盘不得在区域P上变化大于0.010 （ 0.25mm）的
区域被控制为自动处理。
信息在瓜哥平面0.054 + 0.001 ，
0.000
(1.37+0.03,
0.00
毫米）以下
飞机座位应为实际位置（TP ） 0.007 （0.18 MM）半径范围内
最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC 。
陆应用于L1和L2之间， LD适用的L2和L最大值之间。
直径是不受控制的在L1和超越的LL最小。
所有这三个线索。
半径（R）适用于标签的两个内角。
HD
3
7.
8.
9.
10.漏极电连接的情况。
文档编号： 71367
09-Mar-04
www.vishay.com
1
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
N沟道80 V和90 V（D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
2N6661
VN88AFD
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
90
80
r
DS （ ON）
最大值（W）的
4 @ V
GS
= 10 V
4 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
0.8-2
为0.8 2.5
I
D
(A)
0.9
1.29
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 3.6
W
低阈值： 1.6 V
低输入电容： 35 pF的
开关速度快： 6纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆，晶体管，
等等
D
电池供电系统
D
固态继电器
TO-205AD
(TO-39)
TO-220SD
（制表漏）
D
S
1
器件标识
SIDE VIEW
2N6661
“S”
fllxxyy
2
3
D
“S” = Siliconix公司徽标
f
=工厂代码
ll
=批次追踪
XXYY
=日期代码
G
器件标识
前视图
VN88AFD
“S”
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
S摹
前视图
VN88AFD
S
N沟道MOSFET
G
顶视图
2N6661
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
_
漏电流脉冲
a
功耗
热阻，结到环境
b
热阻，结到外壳
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。该参数不符合JEDEC注册。
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
2N6661
90
"20
0.9
0.7
"3
6.25
2.5
170
VN88AFD
80
"30
1.29
0.81
"3
15
6
单位
V
A
W
8.3
-55到150
° C / W
_
_C
11-1
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N6661
VN88AFD
参数
STATIC
漏源击穿电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
125
1.6
1.8
1.3
90
0.8
2
80
0.8
2.5
V
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
T
J
= –55_C
T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
"100
"500
10
"100
"500
nA
门体漏
I
GSS
T
J
= 125_C
V
DS
= 90 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
10
1
500
1.8
1.8
3.8
3.6
6.7
350
0.9
170
5.3
4
9
170
1.5
1.5
5.6
4
8
mS
V
W
A
500
mA
m
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 0.8× V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
通态漏电流
b
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V
I
D（上）
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V，I
D
= 0.3 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
=
1
A
T
J
= 125_C
d
正向跨导
b
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
I
S
= 0.86 ，V
GS
= 0 V
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏 - 源电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
ds
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
35
15
2
30
50
40
10
40
50
40
10
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
= 25 V ，R
L
= 23
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
6
8
10
10
15
ns
15
VNDQ09
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
。该参数不符合JEDEC注册。
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
1.0
V
GS
= 10 V
6V
0.8
5V
0.6
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏极电流（ A）
60
80
100
输出特性为低栅极驱动
V
GS
= 3 V
2.8 V
2.6 V
4V
2.4 V
0.4
3V
0.2
2V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
40
2.2 V
20
2.0 V
1.8 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
传输特性
0.5
125_C
6
25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.4
I
D
- 漏极电流（ A）
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
7
导通电阻与栅极至源极电压
0.3
0.5 A
I
D
= 0.1 A
1.0 A
0.2
0.1
V
DS
= 15 V
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
（归一化）
10
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–50
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= 10 V
8
6
V
GS
= 10 V
4
2
0
–10
30
70
110
150
I
D
- 漏极电流（ A）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
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11-3
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
阈值区域
10
V
GS
= 5 V
100
I
D
- 漏电流（mA ）
1
T
J
= 150_C
- 电容（pF ）
125
VGS = 0 V
F = 1 MHz的
电容
75
50
OSS
RSS
0
0.1
125_C
25_C
–55_C
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
国际空间站
25
0
10
20
30
40
50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
15.0
I
D
= 1.0 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
100
负载条件影响的开关
V
DD
= 25 V
R
L
= 23
W
V
GS
= 0到10伏
I
D
= 1.0 A
10.0
V
DS
= 45 V
7.5
72 V
5.0
10
t
D（关闭）
t
r
2.5
t
D（上）
t
f
1
0
100
200
300
400
500
0.1
I
D
- 漏极电流（ A）
1
2
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
0
标准化的有效瞬态热阻抗，结至外壳（ 2N6661 ）
1.0
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJC
= 20℃ / W的
3. T
JM
– T
C
= P
DM
Z
thJC （T ）
0.01
0.1
1.0
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
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11-4
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
2N6660/2N6661
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
概述
Supertex公司2N6660和2N6661是enhancement-
模式（常关）晶体管，它利用垂直
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生装置
与双极晶体管的功率处理能力，
和高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特色
所有的MOS结构中，这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
订购信息
设备
2N6660
2N6661
包
TO-39
TO-39
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
60
90
R
DS （ ON）
（最大）
(Ω)
3.0
4.0
I
D（上）
（分钟）
(A)
1.5
1.5
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
引脚CON组fi guration
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
注： 1 。
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
DGS
TO-39
案例：排水
2N6660/2N6661
电气特性
(T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有规定编）
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
（上）
t
（关闭）
V
SD
t
rr
漏极至源极突破性
电压下降
栅极阈值电压
2N6660
2N6661
60
90
0.8
-
-
-
-
-
-
-3.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
350
-
-
2.0
-5.5
100
10
500
-
5.0
3.0
4.0
-
50
40
10
10
10
-
-
V
V
毫伏/
O
C
nA
A
A
Ω
mmho
pF
V
GS
= 0V时，我
D
= 10A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 0.3A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.5A
V
GS
= 0V,
V
DS
= 24V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 25V ，我
D
= 1.0A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
V
GS （ TH）
随温度的变化
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
所有
静态漏 - 源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
2N6660
2N6661
-
1.5
-
-
-
170
-
-
-
-
-
-
-
ns
V
ns
注意事项：
1.全直流参数100％测试25
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
热特性
设备
2N6660
2N6661
包
TO-39
TO-39
I
D
（连续）
*
（MA ）
410
350
I
D
（脉冲的）
(A)
3.0
3.0
功耗
@T
C
= 25
O
C
(W)
6.25
6.25
θ
jc
O
（ C / W ）
20
20
θ
ja
O
（ C / W ）
125
125
I
DR
*
（MA ）
410
350
I
DRM
(A)
3.0
3.0
注意事项：
* I
D
（续）由最大限制额定牛逼
J
.
开关波形和测试电路
10V
V
DD
R
L
产量
90%
输入
0V
10%
t
（上）
脉冲
发电机
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
R
根
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
2
2N6660/2N6661
TO- 39封装外形
0.360
±
0.010
迪亚
(9.144
±
0.254)
0.325
±
0.010
迪亚
(8.255
±
0.254)
0.250
±
0.010
(6.350
±
0.254)
0.050
最大
(1.270)
0.500
民
(12.700)
0.018
±
0.002
(0.4572
±
0.0508)
0.200
典型值
(5.080)
90 ° NOM
0.100
(2.540)
0.100
(2.540)
0.035
±
0.005
(0.889
±
0.127)
1
2
3
0.033
±
0.005
(0.8382
±
0.127)
45°
喃
1-Source
2-Gate
3-Drain
测量图例=
尺寸以英寸
（单位：毫米）
（包图纸（S ）本数据表可能不会再FL ECT最新的特定连接的阳离子。如需最近的封装外形
信息，请访问
http://www.supertex.com/packaging.html 。 ）
DOC 。 ＃ DSFP ， 2N6660_2N6661
A042507
3
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
N沟道80 V和90 V（D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
2N6661
VN88AFD
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
90
80
r
DS （ ON）
最大值（W）的
4 @ V
GS
= 10 V
4 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
0.8-2
为0.8 2.5
I
D
(A)
0.9
1.29
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 3.6
W
低阈值： 1.6 V
低输入电容： 35 pF的
开关速度快： 6纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆，晶体管，
等等
D
电池供电系统
D
固态继电器
TO-205AD
(TO-39)
TO-220SD
（制表漏）
D
S
1
器件标识
SIDE VIEW
2N6661
“S”
fllxxyy
2
3
D
“S” = Siliconix公司徽标
f
=工厂代码
ll
=批次追踪
XXYY
=日期代码
G
器件标识
前视图
VN88AFD
“S”
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
S摹
前视图
VN88AFD
S
N沟道MOSFET
G
顶视图
2N6661
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
_
漏电流脉冲
a
功耗
热阻，结到环境
b
热阻，结到外壳
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。该参数不符合JEDEC注册。
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
2N6661
90
"20
0.9
0.7
"3
6.25
2.5
170
VN88AFD
80
"30
1.29
0.81
"3
15
6
单位
V
A
W
8.3
-55到150
° C / W
_
_C
11-1
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N6661
VN88AFD
参数
STATIC
漏源击穿电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
125
1.6
1.8
1.3
90
0.8
2
80
0.8
2.5
V
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
T
J
= –55_C
T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
"100
"500
10
"100
"500
nA
门体漏
I
GSS
T
J
= 125_C
V
DS
= 90 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
10
1
500
1.8
1.8
3.8
3.6
6.7
350
0.9
170
5.3
4
9
170
1.5
1.5
5.6
4
8
mS
V
W
A
500
mA
m
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 0.8× V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
通态漏电流
b
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V
I
D（上）
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V，I
D
= 0.3 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
=
1
A
T
J
= 125_C
d
正向跨导
b
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
I
S
= 0.86 ，V
GS
= 0 V
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏 - 源电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
ds
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
35
15
2
30
50
40
10
40
50
40
10
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
= 25 V ，R
L
= 23
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
6
8
10
10
15
ns
15
VNDQ09
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
。该参数不符合JEDEC注册。
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
1.0
V
GS
= 10 V
6V
0.8
5V
0.6
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏极电流（ A）
60
80
100
输出特性为低栅极驱动
V
GS
= 3 V
2.8 V
2.6 V
4V
2.4 V
0.4
3V
0.2
2V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
40
2.2 V
20
2.0 V
1.8 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
传输特性
0.5
125_C
6
25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.4
I
D
- 漏极电流（ A）
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
7
导通电阻与栅极至源极电压
0.3
0.5 A
I
D
= 0.1 A
1.0 A
0.2
0.1
V
DS
= 15 V
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
（归一化）
10
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–50
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= 10 V
8
6
V
GS
= 10 V
4
2
0
–10
30
70
110
150
I
D
- 漏极电流（ A）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-3
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
阈值区域
10
V
GS
= 5 V
100
I
D
- 漏电流（mA ）
1
T
J
= 150_C
- 电容（pF ）
125
VGS = 0 V
F = 1 MHz的
电容
75
50
OSS
RSS
0
0.1
125_C
25_C
–55_C
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
国际空间站
25
0
10
20
30
40
50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
15.0
I
D
= 1.0 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
100
负载条件影响的开关
V
DD
= 25 V
R
L
= 23
W
V
GS
= 0到10伏
I
D
= 1.0 A
10.0
V
DS
= 45 V
7.5
72 V
5.0
10
t
D（关闭）
t
r
2.5
t
D（上）
t
f
1
0
100
200
300
400
500
0.1
I
D
- 漏极电流（ A）
1
2
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
0
标准化的有效瞬态热阻抗，结至外壳（ 2N6661 ）
1.0
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJC
= 20℃ / W的
3. T
JM
– T
C
= P
DM
Z
thJC （T ）
0.01
0.1
1.0
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
11-4
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
N沟道80 V和90 V（D -S ）的MOSFET
产品概述
产品型号
2N6661
VN88AFD
V
（ BR ） DSS
敏（ V）
90
80
r
DS （ ON）
最大值（W）的
4 @ V
GS
= 10 V
4 @ V
GS
= 10 V
V
GS （ TH）
(V)
0.8-2
为0.8 2.5
I
D
(A)
0.9
1.29
特点
D
D
D
D
D
低导通电阻： 3.6
W
低阈值： 1.6 V
低输入电容： 35 pF的
开关速度快： 6纳秒
低输入和输出泄漏
好处
D
D
D
D
D
低失调电压
低电压操作
轻松驱动无缓冲器
高速电路
低电压错误
应用
D
直接逻辑电平接口： TTL / CMOS
D
司机：继电器，螺线管，灯，
锤子，显示器，记忆，晶体管，
等等
D
电池供电系统
D
固态继电器
TO-205AD
(TO-39)
TO-220SD
（制表漏）
D
S
1
器件标识
SIDE VIEW
2N6661
“S”
fllxxyy
2
3
D
“S” = Siliconix公司徽标
f
=工厂代码
ll
=批次追踪
XXYY
=日期代码
G
器件标识
前视图
VN88AFD
“S”
XXYY
“S” = Siliconix公司徽标
XXYY
=日期代码
S摹
前视图
VN88AFD
S
N沟道MOSFET
G
顶视图
2N6661
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
_
漏电流脉冲
a
功耗
热阻，结到环境
b
热阻，结到外壳
工作结存储温度范围
笔记
一。脉冲宽度有限的最高结温。
B 。该参数不符合JEDEC注册。
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
2N6661
90
"20
0.9
0.7
"3
6.25
2.5
170
VN88AFD
80
"30
1.29
0.81
"3
15
6
单位
V
A
W
8.3
-55到150
° C / W
_
_C
11-1
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
范围
2N6661
VN88AFD
参数
STATIC
漏源击穿电压
符号
测试条件
典型值
a
民
最大
民
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 10
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
125
1.6
1.8
1.3
90
0.8
2
80
0.8
2.5
V
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
T
J
= –55_C
T
J
= 125_C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"15
V
"100
"500
10
"100
"500
nA
门体漏
I
GSS
T
J
= 125_C
V
DS
= 90 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
10
1
500
1.8
1.8
3.8
3.6
6.7
350
0.9
170
5.3
4
9
170
1.5
1.5
5.6
4
8
mS
V
W
A
500
mA
m
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 0.8× V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 0 V
T
J
= 125_C
通态漏电流
b
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V
I
D（上）
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V，I
D
= 0.3 A
漏源导通电阻
b
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
=
1
A
T
J
= 125_C
d
正向跨导
b
二极管的正向电压
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
I
S
= 0.86 ，V
GS
= 0 V
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏 - 源电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
ds
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
35
15
2
30
50
40
10
40
50
40
10
pF
开关
c
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
V
DD
= 25 V ，R
L
= 23
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V
R
G
= 25
W
6
8
10
10
15
ns
15
VNDQ09
笔记
一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。
B 。脉冲测试： PW
v300
ms
占空比
v2%.
。开关时间基本上是独立的工作温度。
。该参数不符合JEDEC注册。
www.vishay.com
11-2
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
欧姆地域特征
1.0
V
GS
= 10 V
6V
0.8
5V
0.6
I
D
- 漏电流（mA ）
I
D
- 漏极电流（ A）
60
80
100
输出特性为低栅极驱动
V
GS
= 3 V
2.8 V
2.6 V
4V
2.4 V
0.4
3V
0.2
2V
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
40
2.2 V
20
2.0 V
1.8 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
传输特性
0.5
125_C
6
25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
)
0.4
I
D
- 漏极电流（ A）
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0
0
7
导通电阻与栅极至源极电压
0.3
0.5 A
I
D
= 0.1 A
1.0 A
0.2
0.1
V
DS
= 15 V
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（
)
（归一化）
10
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–50
归一化的导通电阻
- 结温
V
GS
= 10 V
8
6
V
GS
= 10 V
4
2
0
–10
30
70
110
150
I
D
- 漏极电流（ A）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
11-3
2N6661/VN88AFD
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
阈值区域
10
V
GS
= 5 V
100
I
D
- 漏电流（mA ）
1
T
J
= 150_C
- 电容（pF ）
125
VGS = 0 V
F = 1 MHz的
电容
75
50
OSS
RSS
0
0.1
125_C
25_C
–55_C
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
国际空间站
25
0
10
20
30
40
50
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
15.0
I
D
= 1.0 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
12.5
吨 - 开关时间（纳秒）
100
负载条件影响的开关
V
DD
= 25 V
R
L
= 23
W
V
GS
= 0到10伏
I
D
= 1.0 A
10.0
V
DS
= 45 V
7.5
72 V
5.0
10
t
D（关闭）
t
r
2.5
t
D（上）
t
f
1
0
100
200
300
400
500
0.1
I
D
- 漏极电流（ A）
1
2
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
0
标准化的有效瞬态热阻抗，结至外壳（ 2N6661 ）
1.0
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJC
= 20℃ / W的
3. T
JM
– T
C
= P
DM
Z
thJC （T ）
0.01
0.1
1.0
10
100
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
11-4
文档编号： 70224
S- 04279 -REV 。 C， 16 -JUL- 01
2N6660
2N6661
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
60V
90V
R
DS （ ON）
（最大）
3.0
4.0
I
D（上）
（分钟）
1.5A
1.5A
订单号码/套餐
TO-39
2N6660
2N6661
高可靠性器件
请参阅军用标准流程5-4页和5-5
流动和订购信息。
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
特点
s
无二次击穿
s
低功耗驱动要求
s
易于并联的
s
低C
国际空间站
和快速开关速度
s
优良的热稳定性
s
积分源极 - 漏极二极管
s
高输入阻抗和高增益
s
互补N和P沟道器件
封装选项
应用
s
电机控制
s
转换器
s
放大器器
s
开关
s
电源电路
s
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
DGS
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-39
案例：排水
注：请参阅尺寸封装外形部分。
7-3
2N6660/2N6661
热特性
包
2N6660
2N6661
I
D
（连续） *
1.1A
0.9A
I
D
（脉冲的）
3A
3A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
6.25W
6.25W
θ
jc
°
C / W
20
20
θ
ja
°
C / W
125
125
I
DR
*
1.1A
0.9A
I
DRM
3.0A
3.0A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
2N6660
2N6661
民
60
90
0.8
-3.8
2.0
-5.5
100
10
500
I
D（上）
R
DS （ ON）
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
所有
2N6660
2N6661
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
（上）
t
（关闭）
V
SD
t
rr
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
1.2
350
170
50
40
10
10
10
ns
V
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 1A ，R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1A
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V
F = 1 MHz的
1.5
5.0
3.0
4.0
m
A
V
毫伏/°C的
nA
A
典型值
最大
单位
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10A
V
GS
= V
DS
, I
D
=1mA
V
GS
= V
DS
, I
D
=1mA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最大额定值，
T
A
= 125°C
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
V
GS
= 5V ，我
D
= 0.3A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.5A
注意事项：
1 ：全部的直流参数的100％ ，在25 ℃条件下测定，除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2 ：所有交流电参数样本进行测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
10%
t
（上）
t
D（上）
V
DD
产量
0V
90%
90%
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
F
脉冲
发电机
R
根
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
10%
10%
输入
7-4
LAB
机械数据
尺寸mm （英寸）
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
SEME
2N6661
N沟道
增强型
MOS晶体管
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
DIA 。
特点
开关稳压器
转换器
5.08 (0.200)
典型值。
电机驱动器
2.54
(0.100)
2
1
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
45
TO- 39金属封装
仰视图
PIN 1 - 源
3脚 - 漏
2脚 - 门
案例 - 漏
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
T
j
T
英镑
T
L
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流
漏电流
漏电流脉冲*
功耗
功耗
存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
@ T
例
= 25°C
@ T
例
= 100°C
@ T
例
= 25°C
@ T
例
= 100°C
90V
±20V
0.9A
0.7A
3A
6.25W
2.5W
-55 ℃150℃
-55 ℃150℃
300°C
工作结温范围
*脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
预赛。 6/94
LAB
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
门 - 源极击穿电压
V
GS （ TH）
I
GSS
栅极阈值电压
门 - 体泄漏电流
V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
V
GS
= ±15V
V
DS
= 0V
V
DS
= 90V
I
DSS
I
D（上） *
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
V
DS
= 72V
V
DS
= 15V
V
GS
= 5V
R
DS （ ON） *
漏 - 源极导通电阻
V
GS
= 10V
I
D
= 1A
V
GS
= 5V
V
DS （ ON） *
g
FS *
g
OS *
漏 - 源极电压上
正向跨导
共源输出电导
动态特性
R
DS （ ON）
C
ds
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
ON
t
关闭
小信号漏 - 源
抗性
漏 - 源极电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
开启时间
关断时间
R
L
= 23
W
I
D
= 1A
V
DD
= 25V
R
G
= 25
W
V
根
= 10V
6
8
10
ns
10
V
GS
= 10V
F = 1kHz时
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
I
D
= 1A
3.6
30
35
15
2
4
40
50
40
10
pF
V
GS
= 10V
I
D
= 1A
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
T
例
= 125°C
I
D
= 0.5A
I
D
= 0.1A
170
T
例
= 125°C
I
D
= 0.3A
T
例
= 125°C
V
GS
= 0V
V
GS
= 0V
T
例
= 125°C
V
GS
= 10V
I
D
= 0.3A
1.5
1.8
4.2
3.6
6.8
1.26
3.6
6.8
350
225
5.3
4
9
1.6
4
9
ms
V
SEME
2N6661
测试条件
I
D
= 10
m
A
I
D
= 1毫安
分钟。
90
0.8
典型值。
120
1.6
马克斯。
单位
V
nA
2
±100
±500
10
500
m
A
A
W
m
s
W
*脉冲测试：吨
p
80
m
s ,
d
1%
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
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