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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD2047
描述
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V (最小值)
高速开关
应用
●颜色
电视水平偏转输出
●颜色
显示水平偏转输出
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极电流脉冲
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
1500
700
10
5
10
3
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.55
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2SD2047
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
700
V
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
1500
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
10
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 2.0A
2.0
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 2.0A
1.5
V
V
CB
= 750V ;我
E
= 0
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
50
μA
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
18
50
开关时间
t
on
开启时间
1.0
μs
t
英镑
贮存时间
I
C
= 2.5A ,我
B1
= 0.25A ;我
B2
= -0.5A
3.0
μs
t
f
下降时间
0.5
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD2047
描述
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V (最小值)
高速开关
应用
●颜色
电视水平偏转输出
●颜色
显示水平偏转输出
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极电流脉冲
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
1500
700
10
5
单位
V
V
V
A
10
3
80
150
-55~150
A
A
W
基地电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.55
单位
℃/W
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2SD2047
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
700
V
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
1500
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
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= 0
10
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 2.0A
2.0
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
= 2.0A
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
开关时间
t
on
开启时间
w
em
cs
。是
w
w
V
CB
= 750V ;我
E
= 0
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
.CN
i
18
1.5
V
50
μA
1.0
mA
50
1.0
μs
t
英镑
贮存时间
I
C
= 2.5A ,我
B1
= 0.25A ;我
B2
= -0.5A
3.0
μs
t
f
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0.5
μs
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    联系人:杨小姐
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    2SD2047
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    -
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