【SavantIC半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管描述·采用TO-3封装·低】,IC型号2N6471,2N6471 PDF资料,2N6471经销商,ic,电子元器件-51电子网

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO-3封装

·低集电极饱和电压

·卓越的安全工作区

·高增益高电流

应用

·通用型开关

和线性放大器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6470 2N6471 2N6472

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

参数

2N6470

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6471

2N6472

2N6470

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6471

2N6472

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

50

70

90

40

60

80

5

15

5

125

150

-65~200

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.4

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N6470

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N6471

2N6472

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE

I

首席执行官

I

CEX

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

I

C

= 15A ;我

B

=3A

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

2N6470 2N6471 2N6472

符号

条件

民

40

60

80

典型值。

最大

单位

V

1.3

3.5

1.0

0.2

5.0

1.0

20

5

4

150

V

mA

V

CE

= 1 / 2Rated V

首席执行官

; I

B

=0

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE

=-1.5V

T

C

=150

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6470 2N6471 2N6472

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

ULOW

集电极饱和电压

优秀

安全工作区

高

增益在高电流

应用

通用

类型的开关

和线性放大器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2N6470 2N6471 2N6472

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N6470

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6471

2N6472

2N6470

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6471

2N6472

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

50

70

90

40

60

80

5

15

5

125

150

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.4

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6470 2N6471 2N6472

条件

民

典型值。

最大

单位

2N6470

集电极 - 发射极

维持电压

40

V

CEO （ SUS ）

2N6471

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

60

V

2N6472

80

V

CEsat-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

1.3

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 15A ;我

B

=3A

3.5

V

BE

基射极电压上

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

3.5

V

I

首席执行官

集电极截止电流

V

CE

= 1 / 2Rated V

首席执行官

; I

B

=0

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE

=-1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

1.0

0.2

5.0

1.0

mA

I

CEX

集电极截止电流

mA

I

EBO

发射极截止电流

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

20

150

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

5

f

T

跃迁频率

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V

4

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6470 2N6471 2N6472

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

ULOW

集电极饱和电压

优秀

安全工作区

高

增益在高电流

应用

通用

类型的开关

和线性放大器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2N6470 2N6471 2N6472

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N6470

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6471

2N6472

2N6470

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6471

2N6472

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

50

70

90

40

60

80

5

15

5

125

150

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.4

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6470 2N6471 2N6472

条件

民

典型值。

最大

单位

2N6470

集电极 - 发射极

维持电压

40

V

CEO （ SUS ）

2N6471

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

60

V

2N6472

80

V

CEsat-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

1.3

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 15A ;我

B

=3A

3.5

V

BE

基射极电压上

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

3.5

V

I

首席执行官

集电极截止电流

V

CE

= 1 / 2Rated V

首席执行官

; I

B

=0

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE

=-1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

1.0

0.2

5.0

1.0

mA

I

CEX

集电极截止电流

mA

I

EBO

发射极截止电流

mA

h

FE-1

直流电流增益

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

20

150

h

FE-2

直流电流增益

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

5

f

T

跃迁频率

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V

4

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6470 2N6471 2N6472

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

功率晶体管

TO- 3案（续）

型号

IC

(A)

最大

10

15

PD

(W)

125

175

115

150

160

125

117

100

125

100

125

175

100

120

150

BVCBO

(V)

民

110

300

375

450

55

100

60

80

100

500

600

700

50

40

60

80

50

70

90

650

850

650

850

650

850

45

60

90

120

350

400

450

BVCEO

(V)

民

100

200

275

350

45

80

60

80

100

250

300

350

40

60

80

40

60

80

300

400

300

400

300

400

40

60

90

120

300

350

400

的hFE

* TYP

民

20

10

8.0

6.0

20

750

15

12

15

最大

100

50

70

@ IC VCE （ SAT ）

(A)

5.0

10

3.0

5.0

(V)

最大

3.5

1.5

4.0

3.0

5.0

4.0

3.0

3.5

1.0

1.5

4.0

2.0

@ IC

(A)

10

15

20

8.0

16

10

15

3.0

8.0

5.0

10

4.0

15

8.0

NPN

2N6249

2N6250

2N6251

2N6253

2N6254

2N6282

2N6283

2N6284

2N6306

2N6307

2N6308

2N6371

2N6383

2N6384

2N6385

2N6470

2N6471

2N6472

2N6542

2N6543

2N6544

2N6545

2N6546

2N6547

2N6569

2N6576

2N6577

2N6578

2N6671

2N6672

2N6673

PNP

2N6248

fT

* TYP

（兆赫）

民

4.0

2.5

4.0

--

4.0

5.0

4.0

6.0

4.0

6.0

2.5

6.0

15

2N6285

2N6286

2N6287

20

8.0

15

18,000 10

75

60

8.0

2N6648

2N6649

2N6650

2N6469

10

15

5.0

8.0

15

1,000 20,000 5.0

20

7.0

12

15

150

35

60

200

5.0

3.0

5.0

4.0

2N6594

12

15

8.0

2,000 20,000 4.0

10

40

--

阴影部分表示达林顿。

83

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

ULOW

集电极饱和电压

优秀

安全工作区

高

增益在高电流

应用

通用

类型的开关

和线性放大器的应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2N6470 2N6471 2N6472

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

固电

IN

导½

半

参数

2N6470

2N6471

2N6472

2N6470

2N6471

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

ES

昂

CH

2N6472

发射极开路

ND

ICO

EM

条件

OR

UCT

价值

50

70

90

40

60

80

单位

V

开基

V

EBO

I

C

I

B

P

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

5

15

5

V

A

W

℃

T

C

=25℃

125

150

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

1.4

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6470 2N6471 2N6472

条件

民

典型值。

最大

单位

2N6470

集电极 - 发射极

维持电压

40

V

CEO （ SUS ）

2N6471

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

60

V

2N6472

80

V

CEsat-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 5A ;我

B

=0.5A

1.3

V

CEsat-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 15A ;我

B

=3A

3.5

V

BE

基射极电压上

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

3.5

V

I

首席执行官

集电极截止电流

I

CEX

I

EBO

固电

IN

集电极截止电流

导½

半

V

CE

= 1 / 2Rated V

首席执行官

; I

B

=0

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE

=-1.5V

T

C

=150℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

1.0

mA

发射极截止电流

h

FE-1

直流电流增益

h

FE-2

直流电流增益

ES

昂

CH

I

C

= 5A ; V

CE

=4V

ICO

EM

OR

UCT

ND

0.2

5.0

1.0

20

150

5

mA

I

C

= 15A ; V

CE

=4V

f

T

跃迁频率

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V

4

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N6470 2N6471 2N6472

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3