2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
晶体管
功率晶体管（ 80V ， 1A ）
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
！特点
1 ）高V
首席执行官
, V
首席执行官
=80V
2 ）高I
C
, I
C
= 1A （ DC ）
3）良好的
FE
线性
4 ）低V
CE
（SAT）
5 ）补充了2SB1260 /
2SB1241 / 2SB1181
!
外形尺寸
（单位：毫米）
2SD1898
0.5±0.1
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
1.5
+0.2
0.1
4.0±0.3
2.5
+0.2
0.1
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+0.1
0.05
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
!
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
缩写符号： DF
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SD1733
1.5
±
0.3
6.5
±
0.2
5.1
+
0.2
0.1
2.3
+
0.2
0.1
0.5
±
0.1
2SD1768S
4±0.2
2±0.2
C0.5
3±0.2
5.5
+
0.3
0.1
9.5
±
0.5
(15Min.)
0.9
1.5
0.75
0.9
0.65
±
0.1
2.5
0.45
+0.15
0.05
3Min.
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2 2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
5
2.5
+0.4
0.1
0.5
0.45
+0.15
0.05
(1) (2) (3)
(1) (2) (3)
大坪规格
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
2SD1863
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
大坪规格
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
ROHM ： ATV
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
1/4
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
120
80
5
1
2
2SD1898
集电极电源
耗散
0.5
2
P
C
1
10
0.3
1
Tj
TSTG
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
W
W
W
W（锝= 25 ° C）
W
W
°C
°C
2
3
2SD1733
2SD1768S
2SD1863
结温
储存温度
1
PW = 20毫秒，占空比= 1 /
2
印刷电路板1.7毫米厚，收藏家镀铜1厘米
2
或更大。
3
当安装在一个40 ×40× 0.7毫米陶瓷板。
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
2SD1863
直流电流
2SD1733 ， 2SD1898
传输比
2SD1768S
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
分钟。
120
80
5
120
典型值。
0.15
100
20
马克斯。
1
1
390
390
390
0.4
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=100V
V
EB
=4V
条件
h
FE
82
120
V
CE
=3V,
I
C
=0.5A
V
CE （ SAT ）
f
T
COB
I
C
/I
B
=500mA/20mA
V
CE
=10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
2/4
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
晶体管
!
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SD1898
2SD1733
2SD1768S
2SD1863
h
FE
PQR
PQR
QR
R
基本订购单位（件）
T100
1000
TAPING
TL
2500
TP
5000
TV2
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82~180
Q
120~270
R
180~390
!
电气特性曲线
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta=25°C
V
CE
=5V
集电极电流：我
C
(
A)
Ta=25°C
1.0
0.8
0.6
0.4
1mA
0.2
0
0
I
B
=0mA
10
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
直流电流增益：H
FE
Ta=25°C
100
1000
V
CE
=3V
1V
100
10
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
基地发射极电压： V
BE
(V)
2
4
6
8
0
0
10
100
1000
集电极到发射极电压： V
CE
(
V)
集电极电流：我
C
(
毫安）
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
跃迁频率：F
T
（兆赫）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
2
5
10
20
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
10
100
1000
I
C
/I
B
=20/1
10/1
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
发射极输入电容
： CIB （
pF的）
Ta=25°C
Ta=25°C
V
CE
=5V
1000
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
Ic=0A
100
10
50 100 200 500 1000
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
集电极电流：我
C
(
毫安）
发射极电流：
I
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(
V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(
V)
图4集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
图5增益带宽积主场迎战
发射极电流
图6集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
3/4
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
晶体管
10
5
集电极电流：我
C
(A)
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
集电极电流：我
C
(
A)
IC MAX（脉冲）
Pw
DC
Ta=25°C
单身
不重复
脉冲
S
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.1 0.2 0.5 1
IC MAX（脉冲）
DC
Ta=25°C
单身
不重复
脉冲
Pw
=1
0m
S
0m
Pw
0
=1
0
=1
m
S
Pw
0
=1
S
0m
2m
1m
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20 50100 200 5001000
2
5 10 20 50100200 500
1000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(
V)
图7安全工作区
(2SD1863)
图8安全工作区
(2SD1898)
4/4
附录
笔记
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本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
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此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
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在使用这样的装置的。
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以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
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本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
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（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
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