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2SC535
NPN硅外延平面
应用
甚高频放大器,混频器,本地振荡器
概要
TO-92 (2)
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
2SC535
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
30
20
4
20
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
2
2SC535
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
30
20
4
60
450
17
典型值
0.72
0.17
940
0.9
20
3.5
最大
0.5
200
1.2
5.5
V
V
兆赫
pF
dB
dB
mS
mS
mS
mS
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安
I
C
= 20 mA时,我
B
= 4毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 100 MHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 100兆赫,R
g
= 50
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 100 MHz的
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
增益带宽积
集电极输出电容
功率增益
噪声系数
输入导纳(典型值)
反向传输导纳
(典型值)
FOWARD转移导纳
(典型值)
输出导纳(典型值)
注意:
B
60至120
C
100至200
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
*
1
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
PG
NF
一愕
YRE
YFE
YOE
1.3 + j5.3
–0.078 – j0.41
32 – j10
0.08 + j0.82
1. 2SC535用h分组
FE
如下。
3
2SC535
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
( mW)的
150
集电极电流I
C
(MA )
20
16
12
8
300
275
250
225
200
175
150
125
100
P
典型的输出特性
100
75
50
C
=1
00
50
mW
4
25
A
I
B
= 0
0
50
100
环境Tmperature TA( ° C)
150
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
5
集电极电流I
C
(MA )
4
3
2
1
直流电流传输比H
FE
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
120
V
CE
= 6 V
100
80
60
40
20
0
0.1
50
40
30
20
10A
I
B
= 0
0
4
8
12
20
16
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0.2
0.5 1.0
2
5
集电极电流I
C
(MA )
10
20
4
2SC535
典型的传输Cahracteristics ( 1 )
20
V
CE
= 6 V
集电极电流I
C
(MA )
16
集电极电流I
C
(MA )
4
5
V
CE
= 6 V
典型的传输Cahracteristics ( 2 )
12
3
8
2
4
1
0
0.6
0.8
0.7
基极至发射极电压V
BE
(V)
0
0.6
0.8
0.7
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
(PF )
1.5
F = 1 MHz的
I
E
= 0
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
0.3
1.0
3
10
集电极基极电压V
CB
(V)
30
5
2SC535
NPN硅外延平面
REJ03G0683-0200
(上ADE- 208-1047 )
Rev.2.00
Aug.10.2005
应用
甚高频放大器,混频器,本地振荡器
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003DA -C
(包名称: TO- 92 ( 2)条)
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
30
20
4
20
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Rev.2.00 2005年8月10日第1页7
2SC535
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
功率增益
噪声系数
输入导纳(典型值)
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
*
1
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
PG
NF
一愕
30
20
4
60
450
17
典型值
0.72
0.17
940
0.9
20
3.5
1.3 + j5.3
–0.078 – j0.41
32 – j10
0.08 + j0.82
最大
0.5
200
1.2
5.5
单位
V
V
V
A
V
V
兆赫
pF
dB
dB
mS
mS
mS
mS
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安
I
C
= 20 mA时,我
B
= 4毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 100 MHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 100兆赫,R
g
= 50
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 100 MHz的
反向传输导纳(典型值)
YRE
正向转移导纳(典型值)
YFE
输出导纳(典型值)
YOE
注: 1, 2SC535为h分组
FE
如下。
B
C
60至120
100至200
Rev.2.00 2005年8月10日第2 7
2SC535
主要特点
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
( mW)的
150
20
典型的输出特性
集电极电流I
C
(MA )
16
12
8
100
300
275
250
225
200
175
150
125
100
P
75
50
C
=1
50
00
mW
4
25
A
I
B
= 0
0
50
100
150
0
4
8
12
16
20
环境Tmperature TA( ° C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
120
V
CE
= 6 V
100
80
60
40
20
0
0.1
典型的输出特性
5
4
3
2
1
40
30
20
10A
I
B
= 0
0
4
8
12
16
20
直流电流传输比H
FE
50
集电极电流I
C
(MA )
0.2
0.5
1.0
2
5
10
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
典型的传输Cahracteristics ( 1 )
20
5
典型的传输Cahracteristics ( 2 )
集电极电流I
C
(MA )
16
集电极电流I
C
(MA )
V
CE
= 6 V
V
CE
= 6 V
4
12
3
8
2
4
1
0
0.6
0.7
0.8
0
0.6
0.7
0.8
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第3页7
2SC535
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
(PF )
1.5
增益带宽积主场迎战
集电极电流
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
1.3
F = 1 MHz的
I
E
= 0
1,000
800
600
400
200
0
0.1
V
CE
= 6 V
1.1
0.9
0.7
0.5
0.3
1.0
3
10
30
0.2
0.5
1.0
2
5
10
20
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(MA )
噪声系数与集电极电流
8
I
C
= 1毫安
F = 100 MHz的
R
g
= 50
8
噪声系数与信号源电阻
V
CE
= 6 V
I
C
= 1毫安
F = 100 MHz的
6
噪声系数NF ( dB)的
6
4
噪声系数NF ( dB)的
1.0
2
5
10
4
2
2
0
0.2
0.5
0
20
50
100
200
500
1,000
集电极电流I
C
(MA )
噪声系数与集电极
发射极电压
8
V
CE
= 6 V
F = 100 MHz的
R
g
= 50
信号源电阻R
g
()
100 MHz功率增益测试电路
噪声系数NF ( dB)的
6
IN
F = 100 MHz的
R
g
= 100
300 p
D.U.T.
10 p
最大
0.1
OUT
R
l
= 550
3k
4
500
0.01
0.01
0.01
2
V
EE
V
CC
单位R:
:F
0
1
2
5
10
20
捕集器来发射极电压V
CE
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第4 7
2SC535
反向传输导纳
特征
反向传输电导G
re
(女士)
y
re
= g
re
+ JB
re
V
CE
= 6 V
输入导纳特点
18
y
ie
= g
ie
+ JB
ie
V
CE
= 6 V
输入Suceptance B
ie
(女士)
16
14
12
F = 50MHz的
70
–0.2
–0.4
–0.6
10 F = 200 MHz的
8
150
70
50兆赫
5毫安
150
100
200
100
150
200
I
C
= 5毫安3 2 1
6 100
70 3毫安
4
2毫安
2 50
I
C
= 1毫安
0
2
4
–0.8
–1.0
6
8
10 12 14 16 18
输入电导G
ie
(女士)
正向转移导纳
特征
正向传输电导G
fe
(女士)
正向传输Suceptance B
fe
(女士)
0
20
40
60
80
100 120
2.4
y
fe
= g
fe
+ JB
fe
V
CE
= 6 V
I
C
= 1毫安
2毫安
F = 50MHz的
–60
–80
–100
–120
3毫安
70
5毫安
200
150
100
输出特性准入
y
oe
= g
oe
+ JB
oe
V
CE
= 6 V
I
C
= 1毫安2
3
5
F = 200 MHz的
1.2
0.8
0.4
100
70
50
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
150
–20
–40
输出Suceptance B
oe
(女士)
2.0
1.6
0
输出电导G
oe
(女士)
输入导纳主场迎战收藏家
到发射极电压
10
输入导纳主场迎战集电极电流
20
输入导纳Y
ie
(女士)
b
ie
5
y
ie
= g
ie
+ JB
ie
I
C
= 1毫安
F = 100 MHz的
g
ie
1.0
输入导纳Y
ie
(女士)
10
5
y
ie
= g
ie
+ JB
ie
V
CE
= 6 V
F = 100 MHz的
b
ie
2
2
1.0
0.5
0.2
0.1
g
ie
0.5
1
2
5
10
20
0.2
0.5
1.0
2
5
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
Rev.2.00 2005年8月10日第5页7
反向传输Suceptance B
re
(女士)
–0.20 –0.16 –0.12 –0.08 –0.04
0
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    联系人:杨小姐
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    2SC535
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    -
    -
    -
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
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HITACHI
24+
28500
TR-TO92NPNRF.CONV
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HITACHI/日立
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33000
TO-92
百分百进口正品原装现货 支持实单!
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NEC
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To-92
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2SC535
TOS
2024
20918
TO92
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联系人:何小姐
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2SC535
Hitachi
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TOS
24+
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TO92
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联系人:肖先生
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