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晶体管
2SB1340
2SD1889
(96-650-B88)
(96-765-D88)
288
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1889
描述
·采用TO- 220Fa包
·达林顿
·补键入2SB1340
·高直流电流增益
应用
·低频功率放大
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
120
120
6
6
10
30
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1889
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50μA ;我
E
=0
I
C
=5mA;I
B
=0
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
E
= -0.2A ; V
CE
=5V;f=10MHz
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
2000
40
50
民
120
120
1.5
100
3.0
20000
兆赫
pF
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
mA
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1889
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
晶体管
2SB1340
2SD1889
(96-650-B88)
(96-765-D88)
288
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1889
描述
·带
TO- 220Fa包
·达林顿
.Complement
键入2SB1340
高
直流电流增益
应用
ULOW
高频功率放大
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
120
120
6
6
10
30
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1889
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 50μA ;我
E
=0
120
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
=5mA;I
B
=0
120
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 120V ;我
E
=0
100
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
3.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
2000
20000
f
T
跃迁频率
I
E
= -0.2A ; V
CE
=5V;f=10MHz
40
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
50
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1889
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1889
描述
·带
TO- 220Fa包
·达林顿
.Complement
键入2SB1340
高
直流电流增益
应用
ULOW
高频功率放大
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
昂
CH
导½
半
参数
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
120
120
6
6
10
单位
V
V
V
A
A
开基
集电极开路
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
W
2
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1889
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 50μA ;我
E
=0
120
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
=5mA;I
B
=0
120
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 120V ;我
E
=0
100
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
3.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
2000
20000
f
T
跃迁频率
C
OB
固电
IN
输出电容
ES
昂
CH
导½
半
I
E
= -0.2A ; V
CE
=5V;f=10MHz
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
ON
MIC
E
OR
DUT
40
50
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1889
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
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2SC3789E
2SC461C
296HC501C2B
2SC5254R
2SC4453-3
2SC4667O
2SC6016
22HS
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封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
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    2SD1889
    -
    -
    -
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2SD1889
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