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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第137页 > 2SB1027
SMD型
PNP硅外延
2SB1027
晶体管
特点
低频放大器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 PW
10毫秒，占空比
20%
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
*1
P
C
*2
T
j
T
英镑
等级
-180
-160
-5
-1.5
-3
1
150
-55到150
单位
V
V
V
A
A
W
* 2值的氧化铝陶瓷板（ 12.5X 20X 0.7mm）的
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
Testconditons
I
C
= -1毫安，我
E
= 0
I
C
= -10毫安，R
BE
=
I
E
= -1毫安，我
C
= 0
V
CB
= -160 V，I
E
= 0
V
CE
= -5 V，I
C
= -0.15 A,
V
CE
= -5 V，I
C
= -0.5 A,
I
C
= -0.5 A，I
B
= -50毫安，
V
CE
= -5 V，I
C
= -0.15 A,
60
30
-1.0
-0.9
V
V
民
-180
-120
-5
-10
320
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
h
FE
分类
记号
的hFE
EH
60至120
EJ
100至200
EK
160到320
www.kexin.com.cn
1
2SB1027
PNP硅外延
应用
低频放大器
概要
UPAK
1
3
2
4
1.基地
2.收集
3.辐射源
4.收集器（法兰）
2SB1027
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
*
1
P
C
*
2
Tj
TSTG
评级
–180
–120
–5
–1.5
–3
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10毫秒，占空比
≤
20%
2.价值的氧化铝陶瓷板（ 12.5
×
20
×
0.7 mm)
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
注意：
标志
h
FE1
V
CE （ SAT ）
V
BE
民
–180
–120
–5
—
60
30
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
–10
320
—
–1.0
–0.9
V
V
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= -1毫安，我
E
= 0
I
C
= -10毫安，R
BE
=
∞
I
E
= -1毫安，我
C
= 0
V
CB
= -160 V，I
E
= 0
V
CE
= -5 V，I
C
= –0.15 A,
脉冲
V
CE
= -5 V，I
C
= –0.5 A,
脉冲
I
C
= -0.5 A，I
B
= -50毫安，
脉冲
V
CE
= -5 V，I
C
= –0.15 A,
脉冲
1. 2SB1027用h分组
FE1
如下。
EH
60至120
EJ
100至200
EK
160到320
2
2SB1027
典型的输出特性
最大集电极耗散曲线
1.2
集电极耗散功率PC（ W）
（在氧化铝陶瓷基板）
集电极电流I
C
(A)
–1.0
–5
.0
.0
–4
3.5
–
0
–3.
5
–2.
–2.0
–1.5
–0.8
0.8
–0.6
–0.4
0.4
–1.0
–0.2
-0.5毫安
I
B
= 0
0
50
100
150
环境温度Ta （C ）
0
–10
–20
–30
–40
–50
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的传输特性
–500
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
= –5 V
脉冲
1,000
直流电流传输比H
FE
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
V
CE
= –5 V
脉冲
300
–100
TA = 75
°
C
25
–25
100
–10
30
–1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
10
–10
–30
–100
–300
集电极电流I
C
（MA ）
–1,000
3
2SB1027
集电极到发射极饱和电压与
集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
–10
增益带宽乘积F
T
（兆赫）
I
C
= 10 I
B
脉冲
1,000
V
CE
= –5 V
脉冲
300
增益带宽积主场迎战
集电极电流
–1.0
100
–0.1
30
–0.01
–1
–10
–100
集电极电流I
C
（MA ）
–1,000
10
–10
–30
–100
–300
集电极电流I
C
（MA ）
–1,000
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
（PF ）
100
30
10
3
F = 1 MHz的
I
E
= 0
1
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
4
单位：mm
4.5
±
0.1
0.4
1.8最大
φ
1
1.5
±
0.1
0.44最大
(2.5)
(1.5)
1.5 1.5
3.0
0.8分钟
0.44最大
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
(0.4)
0.53最大
0.48最大
2.5
±
0.1
4.25最大
UPAK
—
符合
0.050 g
(0.2)
产品speci fi cation
2SB1027
特点
低频放大器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 PW
10毫秒，占空比
20%
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
*1
P
C
*2
T
j
T
英镑
等级
-180
-160
-5
-1.5
-3
1
150
-55到150
单位
V
V
V
A
A
W
* 2值的氧化铝陶瓷板（ 12.5X 20X 0.7mm）的
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
Testconditons
I
C
= -1毫安，我
E
= 0
I
C
= -10毫安，R
BE
=
I
E
= -1毫安，我
C
= 0
V
CB
= -160 V，I
E
= 0
V
CE
= -5 V，I
C
= -0.15 A,
V
CE
= -5 V，I
C
= -0.5 A,
I
C
= -0.5 A，I
B
= -50毫安，
V
CE
= -5 V，I
C
= -0.15 A,
60
30
-1.0
-0.9
V
V
民
-180
-120
-5
-10
320
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
h
FE
分类
记号
的hFE
EH
60至120
EJ
100至200
EK
160到320
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