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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3PML包
·高速
·高击穿电压
高可靠性
·内置阻尼二极管
应用
·彩色电视水平偏转输出
·彩色显示器水平偏转输出。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD1881
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
6
10
30
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1881
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
C
= 100毫安，我
B
=0
I
C
= 8A ，我
B
=1.6A
I
C
= 8A ，我
B
=1.6A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
=1500V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 8A ; V
CE
=5V
I
EC
=10A
I
C
= 6A ; V
CC
=200V;
R
L
=33.3@;I
B1
=1.2A;I
B2
=-2.4A;
0.1
8
5
10
2
0.3
V
s
40
民
800
5
1.5
10
130
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
mA
mA
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE-1
h
FE-2
V
F
t
f
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1881
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1881
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PML包
高
速度
高
击穿电压
高
可靠性
·内置
在阻尼二极管
应用
●颜色
电视水平偏转输出
●颜色
显示水平偏转输出。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
描述
2SD1881
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
6
10
30
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1881
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE-1
h
FE-2
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
C
= 100毫安，我
B
=0
I
C
= 8A ，我
B
=1.6A
I
C
= 8A ，我
B
=1.6A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
=1500V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 8A ; V
CE
=5V
I
EC
=10A
I
C
= 6A ; V
CC
=200V;
R
L
=33.3Ω;I
B1
=1.2A;I
B2
=-2.4A;
0.1
8
5
10
2
0.3
V
μs
40
民
800
5
1.5
10
130
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
mA
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1881
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1881
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PML包
高
速度
高
击穿电压
高
可靠性
·内置
在阻尼二极管
应用
●颜色
电视水平偏转输出
●颜色
显示水平偏转输出。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
描述
2SD1881
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
昂
CH
导½
半
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
1500
800
6
10
30
70
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1881
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE-1
h
FE-2
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
二极管的正向电压
条件
I
C
= 100毫安，我
B
=0
I
C
= 8A ，我
B
=1.6A
I
C
= 8A ，我
B
=1.6A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
=1500V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 8A ; V
CE
=5V
I
EC
=10A
8
5
10
2
V
μs
40
民
800
5
1.5
10
130
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
μA
mA
mA
固电
下降时间
IN
ES
昂
CH
导½
半
I
C
= 6A ; V
CC
=200V;
R
L
=33.3Ω;I
B1
=1.2A;I
B2
=-2.4A;
ON
MIC
E
OR
DUT
0.1
0.3
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1881
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1881
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
4
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2MBI450UE-120
2DD1664Q-13
282080-1
2020EX103Z5
228TMA025M
2SD2144SV
24LC09I/P
2FAB-M20R
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
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    2SD1881
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联系人：何小姐
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TO-3P
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电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
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联系人：林先生
地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
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电话：0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
联系人：李先生
地址：深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
2SD1881
HIT
99
275
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2SD1881
SANYO/三洋
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TO-3P
一级代理专营，原装现货，价格优势
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2SD1881
SANYO/三洋
24+
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TO-3PF
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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2SD1881
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6852
TO-3P
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市美思瑞电子科技有限公司
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2SD1881
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12245
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