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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第325页 > 2MBI450UE-120
富士日立功率半导体有限公司
IGBT发展部科M12
<TENTATIVE>
U系列2MBI450UE -120
（目标规格）
1.外形图（单位：mm ）
2.等效电路
6月19日'02 Y.Kobayashi
6月19日'02 S.Miyashita
修订
T.Miyasaka
MT5F12399
1
4
3.绝对最大额定值（在Tc = 25℃除非另有说明）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
VCES
VGES
Ic
集电极电流
IC脉冲
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
结温
储存温度
隔离电压（ * 1 ）
螺杆转矩
Pc
Tj
TSTG
VISO
Mounting(*2)
Terminals(*2)
（* 1）所有的终端应该连接在一起时，隔离测试将被完成。
（ * 2 ）推荐值：安装2.5 3.5米（ M5或M6 ） /端子3.5 4.5Nm （ M6 ）
AC： 1分钟。
1ms
1设备
连续
1ms
Tc=25C
Tc=80C
Tc=25C
Tc=80C
条件
最大
评级
1200
+-20
600
450
1200
900
450
900
2080
150
-40~ +125
2500
3.5
4.5
W
C
C
V
Nm
A
单位
V
V
4.电气特性（在环境温度为25℃ ，除非另有规定）
项
零栅极电压
集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 射极
阈值电压
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
冰
IGES
VGE （ TH）
VGE =
VCE =
VCE =
条件
0 V,
0 V,
20 V,
15 V
450
A
VCE =
VGE =
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
1200
V
+-20 V
450
mA
25 C
125 C
25 C
125 C
-
-
待定
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.0
1.95
2.2
1.75
2.0
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
2.0
2.0
1.8
1.8
-
3.0
0.6
待定
待定
-
-
-
-
-
-
1.2
0.6
-
1.0
0.3
待定
-
-
-
0.35
单位
mA
uA
V
V
IC =
TJ =
TJ =
TJ =
TJ =
VCE （ SAT ）
VGE =
（终奌站）
IC =
VCE （ SAT ）
（片）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
正向电压上
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
VF
（终奌站）
VGE =
VCE =
0V
10 V
1兆赫
600
V
450
A
+-15 V
0.68
450
A
TJ =
TJ =
TJ =
TJ =
25 C
125 C
25 C
125 C
pF
f=
VCC =
IC =
VGE =
us
RG =
IF =
-
-
-
-
-
V
VF
（片）
反向恢复时间
TRR
IF =
450
A
us
5.热电阻特性
项
热阻
符号
RTH （J -C ）
IGBT
条件
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.060
0.08
C / W
单位
（ 1个设备）
FWD
-
-
接触热阻
RTH （ C-F ）
用导热膏（ * ）
-
0.0167
*这是被定义的安装在附加散热片具有热化合物的值。
注意：
该规范仅适用于技术方面的考虑，而不是合同。
本规范如有恕不另行通知进行更改。
修订
MT5F12399
2
4
U系列1200V / 450A与VCE IC
（片）
600
Tj=125℃
500
400
IC [ A]
300
200
100
0
0
1
2
VCE （饱和） [V]的
3
4
U系列1200V / 450A VF与IF
（片）
700
Tj=125℃
600
500
IF [ A]
400
300
200
100
0
0
1
2
VF [V]的
3
4
修订
MT5F12399
3
4
U系列1200V / 450A SW-损失与IC
100
90
80
SW-损失[兆焦耳]
70
60
50
40
30
20
10
0
0
200
400
IC [ A]
600
800
ERR
宙
条件：推荐值
Vcc=600V,VGE=±15V
RG = 0.68Ω ， TJ = 125 ℃
EOFF
U系列1200V / 450A （ M238 ）的Rth （J -C ）
1
FWD
RTH （J -C ） [ ℃ / W]
0.1
IGBT
0.01
0.001
0.001
0.01
Pw的[秒）。
0.1
1
修订
MT5F12399
4
4
2MBI450UE-120
IGBT模块U系列
特点
高开关速度
·电压驱动器
·低电感模块结构
1200V / 450A 2中的一个包
等效电路示意
C1
E2
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
·工业机器，如焊接机
C2E1
G1 E1
G2 E2
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 射极voltaga
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
p
-I
C
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端和铜底座之间的隔离电压* 1
螺杆转矩
安装*
2
端子*
2
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
1设备
条件
等级
1200
±20
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
675
450
1350
900
450
900
2080
+150
-40到+125
2500
3.5
4.5
单位
V
V
A
连续TC = 25℃
1ms
W
°C
VAC
N·m的
AC： 1分钟。
*
1 :
所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
*
2 :
推荐值：安装2.5 3.5 N·m的（ M5或M6 ） ，终端3.5 4.5N ·m的（ M6 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
V
CE （ SAT ）
（片）
输入电容
开启时间
C
IES
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
t
rr
R导线
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1200V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=450mA
V
GE
= 15V ，我
C
= 450A TJ = 25℃
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
V
CE
=10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
=600V
I
C
=450A
V
GE
=±15V
R
G
=0.68
V
GE
=0V
I
F
=450A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
I
F
=450A
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
4.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
6.5
2.00
2.25
1.75
2.00
50
0.36
0.21
0.03
0.37
0.07
1.85
1.95
1.60
1.70
–
0.45
单位
马克斯。
3.0
600
8.5
2.35
–
2.10
–
–
1.20
0.60
–
1.00
0.30
2.15
–
1.90
–
0.35
–
nF
s
mA
nA
V
V
打开-O FF时间
正向电压上
V
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片* 3
s
m
* 3 ：手臂中最大的内部终端电阻。
热阻特性
项
热阻
接触热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
4
条件
IGBT
FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
0.0167
单位
马克斯。
0.060
0.08
–
° C / W
° C / W
° C / W
*
4
：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
2MBI450UE-120
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
1200
1200
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
1000
集电极电流IC [ A]
1000
VGE=20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
800
VGE=20V
15V
12V
800
600
600
10V
400
10V
400
200
8V
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
200
8V
0
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
1200
1000
集电极电流IC [ A]
T J = 25°C
800
600
400
200
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25C /片
10.0
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8.0
6.0
T J = 125°C
4.0
Ic=900A
Ic=450A
Ic=225A
2.0
0
0.00
0.0
1.00
2.00
3.00
4.00
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 100万赫兹， TJ = 25°C
100.0
集电极 - 发射极电压VCE [ 200V / DIV ]
门 - 发射极电压VGE
[ 5V / DIV ]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600 ， IC = 450A ， TJ = 25°C
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
资本投资者入境计划
10.0
CRES
VGE
1.0
卓越中心
VCE
0
0
500
1000
1500
2000
0.1
0.0
10.0
20.0
30.0
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
2MBI450UE-120
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.68Ω ， TJ = 25°C
10000
10000
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.68Ω ， TJ = 125°C
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
1000
吨
花花公子
tr
100
tf
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
10
0
200
400
600
800
集电极电流IC [ A]
10
0
200
400
600
800
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 450A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
10000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
90.0
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.68Ω
Eoff(125°C)
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
0.0
Err(125°C)
Err(25°C)
Eoff(25°C)
Eon(25°C)
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
吨
花花公子
1000
Eon(125°C)
tr
100
tf
10
0.1
1.0
10.0
100.0
0
200
400
600
800
门极电阻： RG [
]
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 450A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
350.0
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
300.0
集电极电流IC [ A]
250.0
200.0
150.0
100.0
50.0
ERR
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0
0
EOFF
宙
1200
反向偏压安全工作区（最大）
+VGE=15V,-VGE
15V ， RG > = 0.68Ω ， TJ < = 125°C
＆ LT ;?
1000
800
600
400
200
200
400
600
800
1000
1200
门极电阻： RG [
]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
2MBI450UE-120
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
1050
900
正向电流IF [ A]
750
600
450
300
150
0
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
正向电压： VF [ V]
T J = 25°C
T J = 125°C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1000
IGBT模块
反向恢复特性（典型值）。
"Vcc = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.68Ω
内部收益率（ 125°C ）
内部收益率（ 25 ° C）
TRR （ 125°C ）
TRR （ 25 ° C）
100
10
0
200
400
600
800
正向电流IF [ A]
瞬态热阻抗（最大）
1.000
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
0.100
FWD
IGBT
0.010
0.001
0.001
0.010
0.100
1.000
脉冲宽度：密码[秒]
外形图，毫米
2MBI450UE-120
IGBT模块U系列
特点
高开关速度
·电压驱动器
·低电感模块结构
1200V / 450A 2中的一个包
等效电路示意
C1
E2
应用
·逆变器电机驱动器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
·工业机器，如焊接机
C2E1
G1 E1
G2 E2
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 射极voltaga
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
p
-I
C
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端和铜底座之间的隔离电压* 1
螺杆转矩
安装*
2
端子*
2
-I
C
脉冲
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
1设备
条件
等级
1200
±20
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
675
450
1350
900
450
900
2080
+150
-40到+125
2500
3.5
4.5
单位
V
V
A
连续TC = 25℃
1ms
W
°C
VAC
N·m的
AC： 1分钟。
*
1 :
所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
*
2 :
推荐值：安装2.5 3.5 N·m的（ M5或M6 ） ，终端3.5 4.5N ·m的（ M6 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
（终奌站）
V
CE （ SAT ）
（片）
输入电容
开启时间
C
IES
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
t
rr
R导线
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1200V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=450mA
V
GE
= 15V ，我
C
= 450A TJ = 25℃
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
V
CE
=10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
=600V
I
C
=450A
V
GE
=±15V
R
G
=0.68
V
GE
=0V
I
F
=450A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
I
F
=450A
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
4.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
6.5
2.00
2.25
1.75
2.00
50
0.36
0.21
0.03
0.37
0.07
1.85
1.95
1.60
1.70
–
0.45
单位
马克斯。
3.0
600
8.5
2.35
–
2.10
–
–
1.20
0.60
–
1.00
0.30
2.15
–
1.90
–
0.35
–
nF
s
mA
nA
V
V
打开-O FF时间
正向电压上
V
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片* 3
s
m
* 3 ：手臂中最大的内部终端电阻。
热阻特性
项
热阻
接触热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
4
条件
IGBT
FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
0.0167
单位
马克斯。
0.060
0.08
–
° C / W
° C / W
° C / W
*
4
：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
2MBI450UE-120
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
1200
1200
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
1000
集电极电流IC [ A]
1000
VGE=20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
800
VGE=20V
15V
12V
800
600
600
10V
400
10V
400
200
8V
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
200
8V
0
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
1200
1000
集电极电流IC [ A]
T J = 25°C
800
600
400
200
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25C /片
10.0
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8.0
6.0
T J = 125°C
4.0
Ic=900A
Ic=450A
Ic=225A
2.0
0
0.00
0.0
1.00
2.00
3.00
4.00
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
门 - 发射极电压VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 100万赫兹， TJ = 25°C
100.0
集电极 - 发射极电压VCE [ 200V / DIV ]
门 - 发射极电压VGE
[ 5V / DIV ]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600 ， IC = 450A ， TJ = 25°C
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
资本投资者入境计划
10.0
CRES
VGE
1.0
卓越中心
VCE
0
0
500
1000
1500
2000
0.1
0.0
10.0
20.0
30.0
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
2MBI450UE-120
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.68Ω ， TJ = 25°C
10000
10000
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.68Ω ， TJ = 125°C
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
1000
吨
花花公子
tr
100
tf
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
10
0
200
400
600
800
集电极电流IC [ A]
10
0
200
400
600
800
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 450A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
10000
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
90.0
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.68Ω
Eoff(125°C)
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
0.0
Err(125°C)
Err(25°C)
Eoff(25°C)
Eon(25°C)
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
吨
花花公子
1000
Eon(125°C)
tr
100
tf
10
0.1
1.0
10.0
100.0
0
200
400
600
800
门极电阻： RG [
]
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 450A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
350.0
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
300.0
集电极电流IC [ A]
250.0
200.0
150.0
100.0
50.0
ERR
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0
0
EOFF
宙
1200
反向偏压安全工作区（最大）
+VGE=15V,-VGE
15V ， RG > = 0.68Ω ， TJ < = 125°C
＆ LT ;?
1000
800
600
400
200
200
400
600
800
1000
1200
门极电阻： RG [
]
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
2MBI450UE-120
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
1050
900
正向电流IF [ A]
750
600
450
300
150
0
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
正向电压： VF [ V]
T J = 25°C
T J = 125°C
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1000
IGBT模块
反向恢复特性（典型值）。
"Vcc = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.68Ω
内部收益率（ 125°C ）
内部收益率（ 25 ° C）
TRR （ 125°C ）
TRR （ 25 ° C）
100
10
0
200
400
600
800
正向电流IF [ A]
瞬态热阻抗（最大）
1.000
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
0.100
FWD
IGBT
0.010
0.001
0.001
0.010
0.100
1.000
脉冲宽度：密码[秒]
外形图，毫米
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