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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第368页 > 2SD1776
功率晶体管
2SD1776 ， 2SD1776A
硅NPN三重扩散平面型
对于功放的高正向电流传输比
s
特点
q
q
0.7±0.1
单位：mm
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
φ3.1±0.1
1.4±0.1
1.3±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8±0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
3
4.2±0.2
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD1776
2SD1776A
2SD1776
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
Ta=25°C
P
C
T
j
T
英镑
(T
C
=25C)
评级
80
100
60
80
6
4
2
0.5
25
2
150
-55到+150
单位
V
16.7±0.3
14.0±0.5
发射极电压2SD1776A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
结温
储存温度
V
V
A
A
A
W
C
C
浸焊
4.0
7.5±0.2
高盼着电流传输比H
FE
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220全包套餐（一）
s
电气特性
参数
集电极截止
当前
2SD1776
2SD1776A
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
V
CB
= 80V ，我
E
= 0
V
CB
= 100V ，我
E
= 0
V
CE
= 40V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
I
C
= 25毫安，我
B
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 300毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 25毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 25毫安
V
CE
= 12V，我
C
=的200mA， F = 10MHz时
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 1A ，我
B1
= 25毫安，我
B2
= -25mA ，
V
CC
= 50V
40
30
0.6
2.5
1
60
80
500
1500
1
1.2
V
V
兆赫
pF
s
s
s
民
典型值
最大
100
100
100
100
单位
A
A
A
V
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SD1776
2SD1776A
V
首席执行官
h
FE *
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
FE
等级分类
Q
P
h
FE
500 1000 800 1500
秩
1
功率晶体管
P
C
- TA
40
1.6
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（3）同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
（ 4 ）不带散热片
(P
C
=2W)
T
C
=25C
1.4
I
B
=3mA
1.2
2mA
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
2SD1776 ， 2SD1776A
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=40
集电极耗散功率P
C
(W)
35
30
25
20
15
10
5
0
(2)
(3)
(4)
(1)
集电极电流I
C
(A)
3
T
C
=100C
1
25C
1mA
0.8mA
0.6mA
0.4mA
0.2mA
0.1mA
0.3
–25C
0.1
0.03
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
100000
h
FE
— I
C
1000
V
CE
=4V
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.01 0.03
I
C
/I
B
=40
f
T
— I
C
V
CE
=12V
f=10MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
10
正向电流传输比H
FE
3
10000
T
C
=100C
25C
–25C
300
100
30
10
0.01 0.03
1
T
C
=–25C
100C
25C
3000
1000
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
0.1
0.3
1
3
10
过渡频率f
T
（兆赫）
30000
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
100
30
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 ％
I
C
/I
B
=40 (I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
t
英镑
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
t
f
t
on
安全操作区（ ASO ）
100
30
非重复脉冲
T
C
=25C
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
集电极电流I
C
(A)
10
10
I
CP
3
I
C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
10ms
DC
t=1ms
100
2SD1776A
300
2SD1776
1000
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日（T ）
— t
10
2
（ 1 ）不带散热片
（2）在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
2SD1776 ， 2SD1776A
热阻R
th
（吨）（ C / W）
10
(2)
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t （S ）
3
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