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20ETF10FPPbF , 20ETF12FPPbF软恢复系列
威世半导体
快速软恢复整流二极管, 20 A
特点
BASE
阴极
2
完全隔离的包(V
插件
= 2500 V
RMS
)
在UL E78996批准
设计和工业级合格
应用
TO- 220AC FULL- PAK
1
阴极
3
阳极
输出整改
斩波器和转换器
惯性滑行
in
逆变器,
on
输入整改,其中严重
传导EMI应满足
限制
产品概述
V
F
在20 A
I
FSM
V
RRM
< 1.31 V
355 A
1000 V到1200 V
描述
该20ETF..FPPbF快速软恢复整流器系列具有
被优化用于结合反向恢复时间短
和较低的正向电压降。
玻璃钝化确保了稳定可靠的运行
最严重的温度和功率循环条件。
主要额定值及特点
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
1 A, 100 A / μs的
20 A,T
J
= 25 °C
范围
正弦波形
特征
10001200
20
355
95
1.31
- 40150
单位
V
A
ns
V
°C
电压额定值
产品型号
20ETF10FPPbF
20ETF12FPPbF
V
RRM
,最大峰值
反向电压
V
1000
1200
V
RSM
,最大不重复
峰值反向电压
V
1100
1300
I
RRM
在150 C
mA
6
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
我最大
2
吨融合
我最大
2
t
对于融合
符号
I
F( AV )
I
FSM
I
2
t
I
2
t
测试条件
T
C
= 97℃ ,180°导通半正弦波
10毫秒正弦脉冲,额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲,无电压重新申请
10毫秒正弦脉冲,额定V
RRM
应用的
10毫秒正弦脉冲,无电压重新申请
吨= 0.1毫秒至10毫秒,没有再通电的
20
300
355
450
635
6350
A
2
s
A
2
s
A
单位
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 93222
修订: 26 10年7月
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
20ETF10FPPbF , 20ETF12FPPbF软恢复系列
威世半导体
快速软恢复
整流二极管, 20 A
电气规格
参数
最大正向电压降
正向斜率电阻
阈值电压
最大反向漏电流
符号
V
FM
r
t
V
F( TO)
I
RM
测试条件
20 A,T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
1.31
11.88
0.93
0.1
V
R
=额定V
RRM
mA
6
单位
V
m
V
恢复特性
参数
反向恢复时间
反向恢复电流
反向恢复电荷
捕捉因子
符号
t
rr
I
rr
Q
rr
S
测试条件
I
F
在20 APK
25 A / μs的
25 °C
典型
400
6.1
1.7
0.6
单位
ns
A
μC
DIR
dt
I
FM
t
a
t
rr
t
b
Q
rr
I
RM ( REC )
t
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻,
结到外壳
最大热电阻,
结到环境
典型热阻,
案件散热器
大约重量
0.07
最低
安装力矩
最大
打标设备
机箱样式TO- 220AC FULL- PAK
20ETF12FP
12 (10)
6 (5)
盎司
千克力·厘米
(磅力·英寸)
符号
T
J
, T
英镑
R
thJC
R
thJA
R
乡镇卫生院
安装面,光滑,润滑
直流操作
测试条件
- 40150
1.5
62
1.5
2
g
° C / W
单位
°C
20ETF10FP
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
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文档编号: 93222
修订: 26 10年7月
20ETF10FPPbF , 20ETF12FPPbF软恢复系列
快速软恢复
整流二极管, 20 A
150
R
thJC
(DC) = 0.9 K / W
35
威世半导体
最大正向平均
功率损耗( W)
最大允许案例
温度(℃)
140
30
25
20
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
130
导通角
120
30°
110
60°
90°
120°
180°
100
0
5
10
15
20
25
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
导通时间
T
J
= 150 °C
平均正向电流( A)
图。 1 - 额定电流特性
平均正向电流( A)
图。 4 - 正向功率损耗特性
150
R
thJC
(DC) = 0.9 K / W
350
300
在任何额定载荷条件和
为V
RRM
适用于以下浪涌。
初始的T
J
= 150 °C
在60赫兹0.0083 s
在50赫兹0.0100 s
最大允许案例
温度(℃)
140
峰值半正弦波
正向电流( A)
250
200
150
100
130
导通时间
120
60°
110
30°
90°
120°
180°
100
0
5
10
15
20
25
30
35
DC
50
1
10
100
平均正向电流( A)
图。 2 - 额定电流特性
的等幅半周期数
电流脉冲(N )
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
35
400
180°
120°
90°
60°
30°
RMS限制
350
最大不重复浪涌电流
对比脉冲序列的持续时间。
初始的T
J
= 150 °C
没有再通电
为V
RRM
重新申请
最大正向平均
功率损耗( W)
30
25
20
15
10
5
0
0
峰值半正弦波
正向电流( A)
300
250
200
150
100
50
0.01
导通角
T
J
= 150 °C
5
10
15
20
25
0.1
1
平均正向电流( A)
图。 3 - 正向功率损耗特性
脉冲串持续时间( S)
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
文档编号: 93222
修订: 26 10年7月
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3
20ETF10FPPbF , 20ETF12FPPbF软恢复系列
威世半导体
1000
快速软恢复
整流二极管, 20 A
正向电流(A )
100
10
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
正向电压( V)
图。 7 - 正向压降特性
0.7
T
J
= 25 °C
0.6
6
T
J
= 25 °C
I
FM
= 30 A
5
I
FM
= 20 A
4
3
I
FM
= 10 A
2
1
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
I
FM
= 5 A
I
FM
= 1 A
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
FM
= 5 A
I
FM
= 1 A
的di / dt - 率正向电流的秋天( A / μs)内
图。 8 - 恢复时间特性,T
J
= 25 °C
Q
rr
- 最大反向
恢复电荷( μC )
t
rr
- 最大反向
恢复时间(μs )
I
FM
= 30 A
I
FM
= 20 A
I
FM
= 10 A
的di / dt - 率正向电流的秋天( A / μs)内
图。 10 - 恢复电荷特性,T
J
= 25 °C
1.2
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 150 °C
I
FM
= 30 A
I
FM
= 20 A
t
rr
- 最大反向
恢复时间(μs )
Q
rr
- 最大反向
恢复电荷( μC )
0.9
I
FM
= 30 A
I
FM
= 20 A
I
FM
= 10 A
I
FM
= 5 A
I
FM
= 1 A
8
6
I
FM
= 10 A
4
I
FM
= 5 A
2
I
FM
= 1 A
0.6
0.3
0
0
50
100
150
200
0
0
50
100
150
200
的di / dt - 率正向电流的秋天( A / μs)内
图。 9 - 恢复时间特性,T
J
= 150 °C
的di / dt - 率正向电流的秋天( A / μs)内
图。 11 - 恢复电荷特性,T
J
= 150 °C
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4
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文档编号: 93222
修订: 26 10年7月
20ETF10FPPbF , 20ETF12FPPbF软恢复系列
快速软恢复
整流二极管, 20 A
25
T
J
= 25 °C
I
FM
= 30 A
I
FM
= 20 A
I
FM
= 10 A
I
FM
= 5 A
10
I
FM
= 1 A
5
35
T
J
= 150 °C
30
I
FM
= 30 A
I
FM
= 20 A
I
FM
= 10 A
I
FM
= 5 A
威世半导体
I
rr
- 最大反向
恢复电流(A )
I
rr
- 最大反向
恢复电流(A )
20
25
20
15
10
15
I
FM
= 1 A
5
0
0
50
100
150
200
0
0
50
100
150
200
的di / dt - 率正向电流的秋天( A / μs)内
图。 12 - 恢复电流特性,T
J
= 25 °C
的di / dt - 率正向电流的秋天( A / μs)内
图。 13 - 恢复电流特性,T
J
= 150 °C
Z
thJC
- 瞬态热阻抗(K / W)
1
稳态值
(直流操作)
0.1
单脉冲
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
20ETF ..系列
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
方波脉冲持续时间( S)
图。 14 - 热抗Z
thJC
特征
文档编号: 93222
修订: 26 10年7月
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    20ETF12FP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
20ETF12FP
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
10000
TO-220AC 整包
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
20ETF12FP
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
16000
TO-220AC 整包
全新原装现货,原厂代理。
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
20ETF12FP
VISHAY
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
20ETF12FP
VISHAY
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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联系人:刘先生
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Vishay Semiconductors
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8492
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